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71.
利用去湿现象制备图案化的离子刻蚀聚合物保护层 总被引:3,自引:0,他引:3
微米和纳米尺度的图案化表面的制备在微电子、光学、生物、化学和材料科学等领域具有重要的科学意义和应用价值 [1~ 3 ] .由于需要复杂昂贵的设备和苛刻的工作环境 ,光刻技术难以广泛应用于微电子以外的领域 ,因此 ,发展简单、便宜、适用于普通实验室 (尤其是化学实验室 )的表面图案化技术已成为一个涉及众多学科领域的课题 .在近年来不断涌现出来的物理、化学和生物的表面图案化技术 [4~ 6]中 ,最具代表性的是由 Whitesides等 [7]发明的以表面具有微观图案的聚二甲基硅氧烷 (PDMS)弹性体作为模具或印章的软光刻技术 .结合溶胶 -凝胶、… 相似文献
72.
以葡萄糖氧化酶(GOD)为模型酶,用一次性丝网印刷电极检测氧化还原酶活力,选用具有较低氧化还原电位的单羟基二茂铁(HMF)作为电子传递介体,以电流法测定氧化酶的活力,所需时间仅为60s,线性响应范围为0~40U/mL.将电极用于检测黑曲酶发酵产生的葡萄糖氧化酶(GOD)的活力,测定结果与传统的方法相对照,具有较好的一致性,相关系数为0.9813. 相似文献
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74.
为提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用丝网印刷硼浆和高温扩散的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散和硼浆印刷工艺对电池发射极钝化性能和接触性能的影响。实验结果表明,在硼扩散沉积时间和退火时间一定的条件下,硼扩散通源(BBr3)流量为100 mL/min,沉积温度为830 ℃,退火温度为920 ℃时,发射极轻掺杂(p+)区域的隐开路电压达到710 mV,暗饱和电流密度为12.2 fA/cm2。发射极局部印刷硼浆湿重为220 mg时,经过高温硼扩散退火,重掺杂(p++)区域的隐开路电压保持在683 mV左右,该区域方块电阻仅46 Ω/□,金属接触电阻为2.3 mΩ·cm2. 采用该工艺方案制备的IBC电池最高光电转换效率达到24.40%,平均光电转换效率达到24.32%,相比现有IBC电池转换效率提升了0.28个百分点。 相似文献
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77.
78.
79.
80.
微接触印刷法构造金属银的二维和准三维微图纹结构 总被引:4,自引:0,他引:4
以聚二甲基硅氧烷(PDMS)有机硅橡胶为弹性印章,以十八烷基三氯硅烷(OTS)正已烷溶液为“墨水”,用微接触印刷分别在普通盖玻片表面和直径为20 mm的试管外表面直接盖印,以及在直径为10 mm的玻璃棒表面进行滚动式微接触印刷盖印.将这些盖好印的基材放在化学镀银液中进行选择性镀银沉积,得到金属银在平面上的二维微结构和在曲面上的准三维微结构.这些微结构的显微照片显示,采用微接触印刷法制备的微图纹结构,图纹转移效率高,精细度很好,特别是微接触印刷操作方法灵活多变,适用于多种形态的表面,是一类实用的微制造方法. 相似文献