CID-ICP-AES检测煤中不同形态的硫

研究了CID-ICP-AES检测煤中硫酸盐和硫铁矿形态硫的方法。较现有国标方法快速、简便，常见元素不干扰，加标回收率在98．5％-103．0％之间，10次测定的RSD在0．76％-1．59％之间。     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

Chemical Potential Dependence of the Dressed-Quark Propagator in a Simple Confining QCD Model

Based on the Dyson-Schwinger approach, a method for obtaining the chemical potential dependence of the dressed quark propagator in the ‘Nambu-Goldstone‘ and the ‘Wigner‘ phase is developed. The bag constant in the presence of the non-zero chemical potential is analysed.     

药用植物化学分类法与红外指纹图谱的相关性研究

本文首次采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)对五加科、桔梗科、木兰科、樟科、豆科、蕨类等科目中的典型药用植物进行了系统研究,比较了各科内植物的异同,并且讨论了相同植物不同药用部位、不同采药时间对其红外谱图的影响。结合药典中关于药物主体有效成分的记载,分析了各药用植物谱图中主要成分的特征基团,对主要吸收峰进行了指认。在传统形态比较分类方法的基础上,FTIR可以成为一种快速、可靠、客观、有效的化学分类学的补充方法。     

KBrO3-CH3CH(NH2)CO2H-MnSO4-[Fe(phen)3]SO4-H2SO4体系的化学振荡反应

本文首次报道须在两种金属离子同时作用下的振荡反应——KBrO_3-CH_3CH(NH_2)CO_2H-MnSO_4-[Fe(phen)_3]SO_2-H_2SO_4体系的振荡反应,对反应产物作了分析,研究了两种金属离子在振荡反应中的不同作用,Mn~(2+)起催化氧化丙氨酸以产生丙酮酸的作用,而[Fe(phen)_3]~(2+)则是丙酮酸-BZ型反应的催化剂.研究了温度变化对振荡反应的影响,从而得出振荡反应各阶段的表观活化能.考察了Cl~-、自由基抑制剂及反应物浓度对振荡反应的影响.实验证明,振荡反应同时受Br~-及Br_2的控制,振荡机理与Br_2-水解控制模型相同.     

高频单线圈双调谐NMR单晶探头的研制

本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH₂CH₂COOH·H₂C₂O₄)屏蔽张量的测量。     

N2（A）及N（2D）对IF（X）的传能研究

在微波放电系统中,对NH_3-F-F_2-CF_3I体系进行研究,结果表明,向IF(X)传能的诸多媒介中,N_2(A)及N(~2D)起着主要作用,并且这一结论在经微波激发后的N_2与CF_3I的直接反应中得到了进一步证实。     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.