Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

顶夸克的发现

 今年3月2日,在美国费米国家实验室举行的报告会上,CDF和D0两个实验组分别报告了他们的实验结果,正式宣布发现顶夸克(Top Quark,也称t夸克)。     

同系列电子给体与同系列电受体电荷转移络合作用的研究

用电子吸收光谱法, 研究了五个电子受体系列和三个电子给体系列以及非同系列的给、受体共48个化合物间的弱电荷转移络合作用。发现所研究的同系列给体与同一受体作用; 或同系列受体与同一给体作用; 或同系列给体与同系列受体作用, 一般存在着明显的CT络合与表观不络合的现象。通常情况下, 同系序数大的化合物呈现表观不络合;有时, 同系序数大和小的化合物, 即同系物的两头均呈现表观不络合现象, 对此种现象用给、受体间前线分子轨道能级关系进行了讨论。     

一种新颖的测定和分析羟自由基氧化损伤RNA及其分子机理的化学发光体系

近年来，羟自由基（^.OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注，但是很少研究^.OH对RNA的氧化损伤。其实，RNA与DNA一样，也是核酸的两大组分之一，也有许多重要功能。所以^.OH攻击RNA也会引起重后果，会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等。为此，我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-PNA这一产生和测定^.OH氧化损伤RNA的化学发光体系，以便加强^.OH氧化损伤RNA的研究。通过对本体系测定条件的研究，得出了本体系最佳组方是：Vit.C,CuSO4,Phen,H2O2和RNA，浓度分别为350μmol/L,55μmol/L,350μmol/L,0.2mol/L和20μg/mL,体系pH为5．5，体系终体积为1mL。随后，利用本体系检测了槲皮素，咖啡酸，黄芩甙和芦丁抗^.OH氧化损伤RNA的作用，发现这四种抗氧化剂均能有效抑制^.OH氧化损伤RNA的分子机理，结果发现，^.OH清除剂硫脲几乎抑制全部发光，推测是因硫脲清除了引发剂^.OH所致；O^-.2清除剂SOD只能抑制小部分发光；^1O2清除剂叠氮化钠和苯甲酸都能抑制绝大部分发光。这些事实提示，^.OH是RNA氧化损伤的引发剂；O^-.2只是导致RNA氧化损伤的次要因素，^1O2才是导致RNA氧化损伤的最主要因素。     

重离子碰撞横能分布的饱和现象与多源模型

本文在深入分析高能不等核碰撞机制的基础上,进一步发展多源模型.计算了CERN和BNL两个能区的中心快度横能分布,成功地解释了高能时横能分布随靶核质量增加的加宽和低能时的饱和.给出了横能分布达到饱和(完全核阻止)的靶核质量.     

Rb(62D)原子与基态Rb原子,H2分子碰撞转移截面

本文用荧光法测量Rb(6²D)原子与基态Rb原子,H₂分子碰撞转移截面。结果表明:Rb(6²D)-Rb(5²s)转移截面为σ_fs=67×10^-14cm²,σ_tr=4.3×10^-14cm²,Rb(6²D)—H₂转移截面为σ_fs 关键词：     

粒子反应中初态粒子的阈能和末态粒子的最大能量问题

给出一种不依赖于具体动量图象求粒子反应中初态粒子的阈能和末态粒子最大能量的方法，并就常见的粒子反应作了讨论。     

液固界面的1,9—二苯基—1,3,6,8—壬四烯—5酮分子的STM研究

对于固液界面分子行为的研究在以下几个方面有着重要意义,如对润滑和吸附的更深入的了解、液晶在表面的取向、界面的分子的识别现象、催化、电荷及物质在超薄有机层中的传输等。从理论角度来说,单分子层的有序性也是人们非常感兴趣的课题。扫描隧道显微镜(STM)是80年代初发展起来的一种新型表面分析工具,对于单分子     

五羟色胺分子选择性电极研究

本应用自己合成的联萘２０－冠－６作为活性载体，进行了五羟色胺分子选择性电极研究。电极在１０＾－＾５－１０＾－＾２ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内对五羟色胺具有稳定的线性响应，平均斜率为６３ｍＶ／ＰＣ，检测下限为２．７×１０＾－＾６ｍｏｌ／Ｌ。     

深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶及其分子工程学探索方法

阐述了紫外无机非线性光学晶体分子工程学探索方法的基本特点，具体分析深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶（ＳＢＢＯ）以氟硼铍酸钾（ＫＢＢＦ）为主要参考晶体的分子设计方法，随后根据晶体结构研究、单晶培养、和非线性光学性能测定等实验结果讨论ＳＢＢＯ作为新型深紫外无机晶体的主要优点，即它既具有更短的紫外吸收边（接近１５５ｎｍ）和较大的非线性光学系数（ｄ２２（ＳＢＢＯ）＝０６×ｄ２２（ＢＢＯ）＝１３８ｐｍ／Ｖ），同时晶体无明显层状习性，并肯有良好的化学稳定性和机械性能