In situ Synthesis of Oligonucleotides on Plasma Treated Polypropylene Microporous Membrane

Polypropylene microporous membranes were treated with plasma in a mixture of N2 and H2 (1:2 in volume). Attenuated total reflectance Fourier transform infrared spectroscopy (ATR-FTIR), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultra-violet (UV) spectra demonstrated the success of grafting amino groups. The density of the polar amino groups on the membrane surface is about 0.59 μmol/cm^2. The as-treated membranes were successively applied to the in situ synthesis of oligonucleotides and an average coupling yield was more than 98%. The surface feature of the treated membrane is suggested to be responsible for its advantage over a glass slide.     

硅磷酸铝分子筛SAPO—34稳定性的研究

利用差热分析（ＤＴＡ）、原位ＸＲＤ技术研究了ＳＡＰＯ－３４分子筛原粉样品的晶体结构在模板剂烧除过程以及环境气氛中的变化情况。采用１０７３Ｋ下的高温焙烧和水蒸汽处理以及甲醇转化试验跟踪考察了该分子筛在结构和催化性能上的稳定性。     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

动态广义球对称含荷黑洞的统计熵

利用改进了的brickwall膜模型,计算了动态广义球对称含荷黑洞的熵,研究结果表明,对于动态黑洞,将黑洞熵表示为与视界面积成正比时,则比例系数总与动态黑洞的视界速度有关 关键词： 广义球对称黑洞 黑洞熵 brick-wall膜模型 WKB近似     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

波纹壁面降膜过程的一种近似模型

对高粘度液体在正弦形波纹壁面上的自由降落和蒸发建立了分析模型。对控制微分方程及边界条件作无量纲处理,引入流函数,采用摄动展开得到了0级近似和一级近似的微分方程组,讨论了液膜的流动和传热特性与壁面之间的关系。     

TlBaCaCuO外延膜的光响应

在波长γ＝６３２．８ｎｍ，入射功率约０．８ｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光照射下，对ＴｌＢａ２Ｃａ２ＣｕＯ２（Ｔｌ－２２１２）外延膜的光响应行为进行了实验研究。结果显示：在样品转变温度（Ｔｃ＝１０５．５Ｋ）附近，ＴｌＢａ－ＣａＣｕＯ外延膜的光响应行为表现为辐射热与非辐射热效应共存现象。光响应信号电平与样品温度、偏置电流、及入射光束的调制频率等诸因素有密切关系的关系。实验结果还表明，辐射热与非辐射热效应的响应行为     

X光光电子能谱法测定胶片中氟,硅和铝的研究

应用Ｘ光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的１ｓ能级的结合能；分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化，表明氟化物分布在护膜最表层，是一种易溶于水的氟化物；测定了彩色片护膜层所含硅２ｐ能级的结合能，与自制彩色片护膜层测定结果比较，优质片含一种较多负电性，用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂；对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较，提出优质彩色片Ｆ－４００的护膜层可能是双     

Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。