溶剂热合成氮化硼纳米晶过程中氮源种类的影响

以NaNH2和BC l3为原料,利用溶剂热方法合成了六方氮化硼纳米微晶,并用红外吸收光谱(FTIR)、X射线粉末衍射(XRD)方法分析了微粒的结构,利用透射电子显微镜(TEM)观测了BN微粒的粒度和微观形貌。与早期用L i3N为氮源合成的氮化硼(产物中具有较多纳米棒)相比,本文中制备的氮化硼纳米晶主要呈球形,颗粒粒度明显增大,而且产率有较大幅度的提高。     

硫氰酸镉锌晶体的振动光谱和结构

本文通过对硫氰酸镉锌(ZnCd(SCN)4,简称ZCTC)晶体的群论、拉曼光谱分析和理论计算发现,对于具有I4对称性的ZCTC,在结构中具有ZnN4、CdS4畸变四面体,ZnN4与CdS4由电子桥-N=C=S-联结构成三维骨架的空间无限延伸的结构网络,畸变四面体产生的偶极矩通过电子桥传递,微观偶极矩通过电子桥-N=C=S-相互叠加,且方向一致,从而使宏观晶体材料显示出大的非线性效应。     

溶胶-凝胶法制备的高压电常数(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(1-x)Ba_xTiO_3系无铅压电陶瓷

测量了使用溶胶 凝胶工艺制备的 (Bi0 5Na0 5) 1 -xBaxTiO3(x =0 0 0 ,0 0 4 ,0 0 6 ,0 0 8,0 12 )系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能 .由于使用了溶胶 凝胶工艺制备的粉料 ,因此所有样品的压电性能都得到了较大提高 .其中(Bi0 5Na0 5) 0 94 Ba0 0 6 TiO3系陶瓷具有该系列最大的压电常数 ,d33=173× 10 - 1 2 C N ,与传统工艺相比 ,d33提高了近4 0 % .同时 ,在一定范围内 ,随Ba含量的增加 ,材料的剩余极化Pr 和矫顽场Ec 逐渐减小 ,退极化温度逐渐降低 .对于 (Bi0 5Na0 5) 0 94 Ba0 0 6 TiO3系陶瓷 ,剩余极化和矫顽场分别为 2 5 μC cm2 和 2 8kV cm ,退极化温度约为 80℃ .     

pH值对KDP晶体中散射颗粒的影响

 探讨了不同pH值对KDP晶体散射颗粒的影响。结果表明，不同pH值生长条件下生长的KDP晶体中散射颗粒的尺寸、密度呈现明显差异，pH值为5.5条件下KDP晶体中散射颗粒尺寸明显变大，分布稀疏；pH值为2.0时，散射颗粒密度高，尺寸小。其原因在于形成散射的杂质颗粒的存在形式不同。     

低对称性非线性光学晶体硼酸铋(BIBO)的1064nm三倍频性质

采用高温溶液法成功生长出高光学质量的硼酸铋 (BIBO)晶体 ,尺寸达到 2 4mm× 19mm× 35mm ,质量为4 8g。对BIBO晶体进行了定向 ,并测量了该晶体的主轴折射率。讨论了BIBO晶体的 10 6 4nm三倍频性质 ,包括相位匹配角、有效非线性光学系数deff、容限角、走离角等。结果表明 ,BIBO晶体的最佳三倍频方向为 (137.7°,130°) ,其有效非线性光学系数值达到 3.6 0 pm/V ,属I类相位匹配。就主平面内的相位匹配方向而言 ,(14 6 .4°,90°)具有最大的有效非线性光学系数值 ,为 3.16pm/V。在 10 6 4nm的腔外三倍频实验中 ,(14 6 .4° ,90°)BIBO晶体的转换效率达到 39.5 % ,角度容限半宽为 0 .2 2mrad·cm ,该数值与 0 .175mrad·cm的计算值基本符合。由于(33.6°,90°)BIBO晶体的有效非线性光学系数较小 (0 .31pm/V) ,其三倍频转换效率小于 5 %。     

反-4,4''-双(N,N-二丁胺基)二苯乙烯分子双光子吸收性质研究

对于实验室合成的反-4,4'-双(N,N-二丁胺基)二苯乙烯分子,实验测量了该分子的单光子和双光子荧光谱,然后从理论上研究了其单光子和双光子吸收特性.研究结果表明,在低能量范围内,分子的单光子吸收主要发生在分子的第一激发态,而分子的双光子吸收主要发生在分子的第二和第四激发态上.该分子在相应系列衍生物中具有最大的双光子吸收截面.分子的相关能对分子的激发态能量影响较大.我们给出了分子基态与电荷转移态的电荷转移过程,并从理论上定性解释了双光子聚合反应的聚合机理.     

Gd3(Al,Ga)5O12:Ce闪烁晶体缺陷对其发光性能的影响

新型闪烁晶体Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce(GAGG:Ce)在制备过程中易出现包裹体及反格位缺陷等问题,严重影响晶体的性能.为了抑制这些缺陷以得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,本文以Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂为基质、Ce3+为掺杂离子,采用提拉法生长得到了GAGG:Ce晶体,并对不同晶体部位的物相结构、微区成分、透光性质、发光及时间性能进行了测试和对比分析.结果表明,GAGG:Ce晶体的透过谱中存在340和440 nm两处Ce³⁺特征吸收带,且位于550 nm处的直线透过率为82%.晶体尾部因杂相包裹体等宏观缺陷的影响,导致其透过率下降至70%左右.微区成分分析进一步表明GAGG:Ce晶体中存在三种类型的包裹体,分别为富Gd相、富Ce相及(Al,Ga)₂O₃相.GAGG:Ce晶体的X射线激发发射谱中在550 nm附近存在Ce³⁺宽发射带,且380 nm处还存在GdAl/Ga反格位缺陷引起的发射.晶体中存在的杂相包裹体及GdAl/Ga反格位缺陷等因素导致Ce³⁺在GAGG基质的发光强度下降12.5%;GdAl/Ga反格位离子与近邻Ce的隧穿效应使得GAGG:Ce晶体的衰减时间由117.7 ns延长至121.9 ns,且慢分量比例由16%增加至17.2%.     

基于微生物作为智能模板的电催化剂制备与应用研究进展

通过电催化实现可再生能源的存储与转化对于改善能源结构、保护生态环境、实现碳达峰和碳中和的国家战略具有重大意义。而开发低成本、高效的电催化剂成为全世界科学家共同面对的挑战。微生物在自然界中广泛存在,具有结构、组成和代谢丰富的特点,可以成为电催化剂的模板以及碳、磷、硫等非金属元素以及金属元素的来源,而且具有无毒、生产可重复性好、易于规模化等优点,已成为电催化剂制备的新趋势。对此,本文综述了微生物“智能”引导制备电催化剂的发展及在电催化析氢(HER)、电催化析氧(OER)、氧还原反应(ORR)、二氧化碳还原(CO₂RR)、锂电池(LBs)等领域的应用现状。希望有助于推动微生物代谢与催化剂微纳结构关系以及与催化反应的构效关系的深入理解,最后针对这类材料的问题挑战及其未来发展方向进行了探讨与展望。     

自旋注入有机物的扩散理论

根据自旋注入半导体的相关理论， 考虑到有机体内可能同时含有带自旋的单极化子和不带自旋的双极化子两种载流子，从扩散 理论和欧姆定律出发，建立了自旋注入有机体的唯象模型.通过计算发现，适当选择铁磁层极化率或两层的电导率可以使得有机层内电流具有高的自旋极化.进一步研究了单极化子浓度等因素对注入电流极化的影响. 关键词： 自旋电子学 自旋注入 有机聚合物 极化子     

层状固体模板组装有机/无机纳米结构材料

主要介绍了几种有机／无机层状固体模板组装纳米功能材料的研究进展，对模板的类型、制备、纳米结构材料的产生及其应用前景进行了综述。