引力波与引力波探测:一个全新的空间信息通道

简述了引力波探测的历史,介绍了对质量谐振探测器、地面激光干涉引力波探测器、空间激光干涉引力波探测器,以及引力波在宇宙微波背景上极化效应的相关探测方案,评述了微波频带的高频引力波探测方案.     

一个传统验证性实验向设计性实验的升华

本文通过探讨单缝夫琅禾费衍射实验的原理、特点、传统实验的排布方式,在深入领会《理工科非物理专业大学物理实验课程教学基本要求》的基础上,研发了＂单缝衍射与现代传感器的设计＂实验,实现了一个传统的验证性实验向设计性实验的升华.文中给出了该实验的教学环节安排,提出了一些需要注意的技术细节,并给出了几个设计实例,最后还给出了设计该实验的一些体会.     

湿化学法制备硅纳米线阵列及其光电化学产氢性能分析

为了探究不同方法条件下制备的硅纳米线阵列电极产氢性能异同,文中分别采用了两步金属辅助催化无电刻蚀法、一步金属辅助催化无电刻蚀法以及阳极氧化法来制备硅纳米线阵列用作为光电分解水电池光阴极材料.通过FESEM、XRD和UV-Vis-IRDRS等手段对实验样品的形貌、晶型、减反性表征,发现相比于其他2种方法所得硅纳米线样品,两步金属辅助催化无电刻蚀法制备的硅纳米线结构晶型保持更好,表面缺陷更少.光电化学测试表明两步金属辅助催化无电刻蚀法制备的硅纳米线光电化学性能表现最优,其光电流密度值是一步法的4倍,阳极氧化法的40倍;转移电荷电阻仅是一步法制备的硅纳米线阵列阻值的1/3,阳极氧化法制备的1/1000.     

长程电子关联对聚噻吩中极化子的影响

采用扩展的SSH模型,加上电子相互作用和长程电子关联,用自洽迭代的方法研究了聚噻吩链中的极化子问题,计算了电子相互作用和长程电子关联对极化子位形和电荷密度的影响,获得了长程电子关联使极化子位形变小,极化子区域变窄,电荷密度震荡减弱,对聚合物中电子的输运的影响不能忽略的有益结果.     

聚吡咯/TiO2纳米管阵列复合电极制备条件对其光电性能的影响

通过阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列(TNTA),静态下采用电化学方法在TNTA表面修饰聚吡咯(PPy)。并用扫描电子显微镜(SEM)、红外透射光谱(FTIR)、紫外可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)等表征手段对复合材料进行表征。结果显示,PPy和TiO2之间存在强烈的相互作用,PPy修饰的TNTA发生了红移,并且增强了其在整个可见光区的吸收。确定了影响PPy/TNTA复合电极光电性能的因素(聚合时间、聚合温度、聚合电位、电解质浓度等),通过测定连续瞬间电流-时间曲线的方法,考察了制备条件对复合材料光电性能的影响。初步探讨出PPy提高TNTA光电性能的机理。     

Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度。电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而成的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性。Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性。因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体。     

Fe中<100>{010}刃位错芯结构的各向异性修正

在位错晶格理论基础上,采用改进的Peierls-Nabarro方程研究了Fe中<100>{010}刃位错在各向异性近似下的芯结构和Peierls应力. 各向异性近似下的晶格离散效应、切变模量和能量因子的表达式都已确切给出. 在这三个各向异性因素中,晶格离散效应和能量因子可以使位错宽度变窄,切变模量可以使位错宽度变宽. 相比于各向同性近似,各向异性近似下的位错宽度变窄了近20%,并且各向异性近似下的位错宽度与数值计算的结果相一致. 更为重要的是,各向异性使位错的Peierls应力数值几乎加倍,数量级也由 变成了 ,而这些都会显著影响位错的运动机制. 因此,各向异性对于位错来说非常重要,在研究位错芯结构以及运动机制时需要考虑各向异性的影响.     

超细Pt纳米线结构和熔化行为的分子动力学模拟研究

基于EAM原子嵌入势, 对临界尺寸下的自由Pt纳米线的奇异结构和熔化行为进行分子动力学模拟. 模拟结果显示, 超细Pt纳米线的熔点随径向尺寸和结构的不同而发生明显改变; 引入林德曼因子, 令其临界值为0.03, 以此得到对应熔点值大小与通过势能-温度变化曲线找出的一致, 又比较了纳米线各层粒子平均林德曼指数的大小, 对各层纳米结构的热稳定性进行定量标度; 综合分析发现螺旋结构纳米线的熔化从内核开始, 而多边形结构的纳米线的熔化从外壳层开始.     

退火温度对N+注入ZnO:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mn薄膜, 结合N⁺ 注入获得Mn-N共掺ZnO薄膜, 进而研究了退火温度对其结构及室温铁磁性的影响. 结果表明, 退火后ZnO:(Mn, N) 薄膜中Mn²⁺和N^3-均处于ZnO晶格位, 没有杂质相生成. 退火温度的升高 有助于修复N⁺注入引起的晶格损伤, 同时也会让N逸出薄膜, 导致受主(N_O)浓度降低. 室温铁磁性存在于ZnO:(Mn, N)薄膜中, 其强弱受N_O浓度的影响, 铁磁性起源可采用束缚磁极化子模型进行解释.     

线阵CCD棱镜摄谱中的抛物线定标

在采用线阵CCD棱镜摄谱仪测量光谱的实验中,内部定标方法普遍都是采用一种近似测量波长的方法,即用线形内插法求待测波长。在进行光谱测量实验的基础上总结出一种新定标测量方法——抛物线定标法求待测波长。通过实验对比分析,结果表明在一定范围内该方法比线形内插法求待测波长精确度更高。