苯基或联苯基桥连双环戊二烯基铼羰基化合物的合成、结构及催化性能

两个单桥连的双环戊二烯（C₅Me₄H） E（C₅Me₄H）（E=C₆H₄,（C₆H₄）₂）分别与Re₂（CO）₁₀在均三甲苯中加热回流,得到了2个双核配合物（E）[（η⁵-C₅Me₄） Re（CO）₃]₂（E=C₆H₄（1）,（C₆H₄）₂（2））。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和碳谱对配合物1和2的结构进行了表征,用X射线单晶衍射分析测定了配合物的结构。同时对2个配合物在芳香族化合物Friedel-Crafts酰基化反应中的催化活性进行了研究。     

广义超正则函数的一个带位移的非线性边值问题

讨论了一个广义超正则函数的带位移的非线性边值问题.首先将这个广义超正则函数分解为两个积分算子的和并讨论了相关奇异积分算子的性质,然后利用超正则函数的Plemelj公式和Schauder不动点定理证明了这个广义超正则函数的带位移的非线性边值问题的解的存在性和唯一性.     

基于教育部评价指标的高校发展仿真模型建立与应用研究

高校管理是一项涉及多层面、多要素变量的复杂系统,教育部建立高校评价指标体系对各高校现发展水平进行评价,促进国家教育发展.如何建立科学的评价指标体系?如何提高评价效应已有很多研究.但,未来发展仿真研究很少,因此,进行依据评价指标建立仿真方程、建立可靠性高的仿真模型研究很有意义.本文运用逐树设撤关联数结构行为检验建模法,基于教育部高校评价指标体系建立6个流位流率对构成的流位流率系;分别应用流率历史枝、主撑枝、条件枝法构建6棵流率入树基本结构,基于历史数据建立流率历史枝变量仿真方程;基于教育部高校评价指标的内涵等式建立刻画未来发展的主撑枝变量的仿真方程,基于表函数、延迟函数等建立条件枝变量仿真方程;通过设撤关联数分别进行T1(t)、T1(t)T2(t)、…、T1(t)T2(t)T3(t)…T6(t)各入树组合的结构行为检验,提高模型的可靠性,构建了高校管理系统的系统动力学(SD)评价仿真模型.通过高校最重要人力资源教师发展规划实施调控函数的不同调控参数下分别进行全系统仿真,分别揭示十二五、十三五期间各年满足教育部评价指标的教师数、在校生数、校建面积、教学设备、专业、收支差的数据复杂定量变化结果.为典型高校未来发展提供了具普遍意义的决策依据,为基于评价指标建立仿真方程,为提高仿真模型可靠性提供了新方法.     

hypergenic函数的边值问题

主要研究Clifford分析中hypergenic函数的边值问题A(y)Ψ*+f(y)+B(y)Ψ*-f(y)=G(y)L(Ψ*+f(y),Ψ*-f(y)).首先讨论hypergenic拟Cauchy型积分的相关性质;其次利用Schauder不动点原理证明了非线性边值问题解的存在性;最后利用压缩映射原理证明了线性边值问题解的存在唯一性.     

烃基取代茚基钌羰基化合物的合成及晶体结构(英文)

配体C9H7R(R=CH2CH2CH3(1),CH(CH3)2(2),C5H9(3),CH2C6H5(4),CH2CH=CH2(5))分别与Ru3(CO)12在二甲苯或庚烷中加热回流,得到了6个双核配合物[(η5-C9H6R)Ru(CO)(μ-CO)]2(R=CH2CH2CH3(6),CH(CH3)2(7),C5H9(8),CH2C6H5(9),CH2CH=CH2(10))和[(η5-C9H6)(H3CH2C)CHCH(CH2CH3)(η5-C9H6)][Ru(CO)(μ-CO)]2(11)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱对配合物的结构进行了表征,并用X-射线单晶衍射法测定了配合物6,9,10和11的结构。     

基于N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的ZnFe2O4@SiO2纳米材料手性识别酪氨酸对映异构体

我们将N-乙酰-L-半胱氨酸（NALC）修饰于ZnFe₂O₄@SiO₂纳米材料表面,制备了一种新型的手性纳米复合物（ZnFe₂O₄@SiO₂-NALC）,该材料能够简便、快速及高选择性地识别手性酪氨酸（Tyr）对映体。利用X射线粉末衍射（XRD）、红外光谱（FT-IR）、能量色散X射线光谱（EDS）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）和振动样品磁力计（VSM）等一系列表征手段对首次合成出的ZnFe₂O₄@SiO₂-NALC进行测试表征,并将其应用于对手性识别领域的探究。实验结果表明,利用光谱技术（紫外-可见光谱和荧光光谱）,ZnFe₂O₄@SiO₂-NALC可对Tyr对映异构体进行手性识别。此外,我们进一步对Tyr浓度和pH值等实验参数进行了优化。     

Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/La0.67Sr0.33MnO3/Pt异质结电致电阻效应的改善

采用脉冲激光沉积技术制备了Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃/Pt和Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃/La_0.67Sr_0.33MnO₃/Pt异质结并研究了La_0.67Sr_0.33MnO₃功能插层对异质结电致电阻特性的影响. 实验结果表明La_0.67Sr_0.33MnO₃功能层的引入有效提高了器件的电阻转变特性,尤其是电阻转变率和疲劳性得到了极大的改善. 对La_0.67Sr_0.33MnO₃插层改善电致电阻转变特性的机理进行了定性的分析. 关键词： 电致电阻效应 电阻转变比率 疲劳特性     

双hypergenic函数向量的带Haseman位移带共轭的边值问题

讨论实Clifford分析中双hypergenic函数向量的带Haseman位移带共轭的边值问题.首先利用积分方程和Schauder不动点定理证明了其边值问题解的存在性,再运用压缩映射原理证明了其线性边值问题解的存在唯一性,并给出解的积分表达式.     

量子点接触中有关电导0.7结构的研究

研究了由鞍形势描述的量子点接触中的电子输运性质,利用Hartree-Fock近似与低维纳米器件中Thomas-Fermi近似方法处理了电子-电子之间的相互作用,采用格点格林函数方法计算了零温下体系的电导、电子的自旋积累以及散粒噪声,重现了0.7结构这个反常的实验现象.计算结果加深了我们关于半导体纳米器件中的强关联互作用对自旋输运影响的理解.     

Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究

利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了厚度不同的Ge薄膜, 随着样品厚度的减小, 样品表现出了室温铁磁性. 厚度为12 nm样品经过300 ℃退火后, 由于颗粒细化, 颗粒之间的界面增加, 界面缺陷增加, 样品表现出最大的铁磁性 (50 emu/cm³). 场冷却和零场冷却曲线测试表明居里温度约为350 K. 进行600 ℃退火后, 颗粒团聚, 样品的铁磁性最小. 当样品厚度进一步减小为6 nm时, 沉积态样品表现出铁磁性和顺磁性共存. 对6 nm厚的样品进行300 ℃退火后, 样品只具有铁磁性. 进行600 ℃退火后, 样品却只具有顺磁性. 12 nm 和6 nm 厚的Ge纳米结构薄膜随退火温度变化表现出不同的磁性规律, 我们认为是由于样品的颗粒大小和颗粒分布不同造成的. 样品越薄, Si基底与Ge薄膜之间的界面缺陷越明显, 界面缺陷以及Ge颗粒之间的界面缺陷为样品提供了未配对电子, 未配对电子的铁磁性耦合强度与样品颗粒的分布以及颗粒之间的结合有一定的关系. 颗粒之间分散或颗粒之间的融合程度大都将会降低样品的铁磁性.