超导电性制冷唯象理论

本文以超导热力学唯象为基础，讨论了有退磁效应和远退磁效应的两种Ｉ类超导体样品在外场从０增加到临界场ＨＣ（Ｔ）过程中所产生的制冷效应，我们发现：对于有退磁效应的样品，其制冷效应发生在中间态区；而从Ｍｅｉｓｓｎｅｒ态到中间态和从中间态到正常态的相变过程是二级相为，所以无制冷效应，这可能是超导体制冷实验研究的核心问题。     

关于刚体弹性碰撞的一个定理

讨论一类刚体的弹性碰撞，从而得到一个定理，该定理的结论与理论力学中质点弹性碰撞的相应结论类似。     

熔融织构的YBCO超导体的交流磁化率频率响应

在涡漩玻璃理论的基础上，我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程，可表示为Tp=Cf^1/（v（z-1））．实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好．利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v（z-1）的数值．     

二维颗粒膜超导电性

我们对二维排列的Sn颗粒膜进行了低温R-T特性研究。样品是在充有氧气的真空室内用热蒸发方法制备的。因为颗粒尺寸、颗粒分布和颗粒间距的随机性,使得颗粒之间的Josephson耦合和热激发电子的hopping过程的强弱,在不同的样品中不同,观测到的结果可以理解为以下三类:1)向零电阻的K-T转变;2)电阻极小转变;3)金属-绝缘转变。 关键词：     

本征Josephson单结的电流-电压特性

采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结，并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ～Ⅴ特征曲线．结果表明，临界电流几乎保持不变，但返回电流随温度增加而增大；与此同时，Mccumber参数βc随着温度增加而减小．临界温度附近，跳跃电压△V明显偏离BCS理论．     

追念钱临照先生--《钱临照文集》读后感

文章叙述了钱临照教授的科学生涯，展示了他对物理学所作的主要贡献和对现代中国科学和教育事业的发展所起的重要作用。文中也包含了作者的一些个人回忆。     

一种新型的换向开关——冲击法测磁化曲线实验的改进

本文通过对冲击检流计原理构造和测量实例的简要阐述,分析了换向开关在用冲击检流计进行精密测量过程中对测量结果误差的影响,说明了对目前实验中所使用的换向开关进行改进的必要性,并介绍了一种我们最近设计的新型换向开关,以及用它消除误差的原理。用冲击法测量磁性材料的特性或磁状态,是高校物理系学生应当掌握的实验方法之一。而在这一类实验中必不可少的仪器设备便是冲击检流计和换向开关。目前普遍使用的换向开关都是双刀双掷开关,就是先得将电路断开,然后再接通,即必须经过一个     

两步浸渍法制备发光多孔硅及NO2的作用

用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO₂的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。     

YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)3O_(7-y)超导体的磁弛豫和钉扎

我们制备了一组 YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_(7-y)多晶超导样品,在77K 时测量了它们的磁滞回线和增场磁弛豫率,计算了它们的钉扎势 U_0结果表明,在相同制备工艺条件下,掺锡样品的钉扎势比不掺锡(x=0)样品的高.结合 TEM、X-射线衍射和喇曼谱分析结果,我们认为YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体中的位错不是主要钉扎中心,掺锡样品中的β-Sn 正常粒子可能是有效的钉扎中心.     

BFEL高压脉冲调制器幅度稳定性的改进

 北京自由电子激光装置(BFEL)的高功率脉冲调制器中,采用de-Qing电路作为主要脉间稳幅手段,在不改变高压大功率元件的条件下,通过定量分析及细致实验,使稳幅精度 从0.5%提高到小于0.1%,从而提高了BFEL激光输出的稳定性。