排序方式: 共有91条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
在特定的薄膜工艺条件下制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/聚3-己基噻吩(P3HT)/氧化钛(TiOx)/氧化钛纳米颗粒(TiOxnp)/铝(Al)的有机/无机异质结构太阳能电池。通过不同的TiOx前驱体制备了多种类型氧化钛层,并采用TiOx层掺杂研究其对器件性能的影响。实验结果表明:以有机物掺杂的TiOx为功能层的器件有较好的开路电压,但相应的短路电流较低。研究了器件低温退火及TiOx层厚度调控对器件性能的影响,从而确定了器件的优化条件。采用常温技术制备了TiOx前驱体溶液,简化了工艺流程。 相似文献
82.
在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底 温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现, 随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋势,而吸收边呈现先是“蓝移”然后“红移”的 现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响,这些影响主 要体现在带尾的形成,Burstein Moss(B M)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对 薄膜的迁移率有重要影响.对于CIO薄膜,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重 要影响并将直接影响到薄膜的光透性.由于存在吸收带尾,利用传统的“外推法”获得薄膜 的光带隙并不适合简并半导体,而应使用更为准确的“拟合法”.
关键词:
射频反应溅射
CdIn2O4透明导电薄膜
Burstein Moss漂移
带隙收缩
电学性 质
光学性质 相似文献
83.
为了研究离子注入对外延磁性薄膜面内磁各向异性的影响,用离子加速器对在有错切角的Si(111)面上外延生长的Fe膜进行了N~+注入实验.随着N~+注入剂量的增加,外延生长的Fe膜的面内磁各向异性逐渐从二重对称改变为六重对称.通过透射电子显微镜和刻蚀实验验证,发现离子辐照改变了Fe膜表面和界面的状态.未辐照Fe膜面内二重磁对称来自于由于Si(111)面的错切使得在薄膜界面和表面处形成的原子台阶.N~+注入的溅射作用使得Fe膜表面的原子台阶被擦除,N~+注入使得缓冲层和Fe膜界面处相互扩散导致界面处原子台阶消失.因此,外延Fe膜在大剂量N~+注入后表现出Fe(111)面诱导的六重磁对称.研究结果对于提高面内磁记录密度有潜在的应用价值. 相似文献
84.
基于隧穿磁电阻效应(TMR)的磁场传感器具有很高的磁场灵敏度, 但同时噪声也较大,有效抑制TMR磁场传感器的噪声, 尤其是低频噪声的抑制对于其在高灵敏度要求场合的应用具有重要的意义. 本文采用高精度数据采集卡搭建了噪声测量系统, 测量了全桥结构TMR磁场传感器的噪声频谱图, 发现TMR传感器的噪声在低频段表现为1/f特性, 同时噪声功率谱密度与工作电流平方成正比关系; 低频噪声在自由层翻转区间内噪声急剧增大, 证明了1/f噪声主要来源于磁噪声, 这一结果为TMR磁场传感器的噪声特性优化指明了方向. 相似文献
85.
86.
采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理. 相似文献
87.
88.
89.
介绍了非线性表面自旋波理论研究的新进展 ,并对前人的理论做了推广 ,针对具有非均匀交换各向异性的偶极 交换铁磁介质的非线性表面自旋波的性质和行为进行了较为系统的理论研究. The new progress in the theoretical investigation on nonlinear surface spin waves is reviewed, and the theory mentioned above is generalized. A relatively systematical investigation on the behaviors and properties of the nonlinear surface spin waves in dipole-exchange ferromagnetic media with inhomogeneous exchange anisotropy is developed. 相似文献
90.
软磁复合材料在光伏逆变器、新能源汽车及充电桩等新兴电力电子行业的应用前景广阔.目前研究者们聚焦于开发新型软磁复合材料,达到匹配以SiC和GaN为主的第3代高频宽禁带半导体的目标.本文利用氨气氮化羰基铁粉制备得到高电阻率的γ’-Fe4N,并证实其具备优异的软磁性能,对γ’-Fe4N进行球磨处理使其成为静磁易面γ’-Fe4N粉体,所获得的易面粉体与聚氨酯(PU)混合制成软磁复合材料.与未球磨静磁易面化处理的非易面γ’-Fe4N复合材料相比,静磁易面γ’-Fe4N软磁复合材料具有更高的磁导率,更低的功率损耗.与同类软磁复合材料相比,通过氮化工艺降低磁性铁颗粒内涡流效应,静磁易面γ’-Fe4N软磁复合材料具有优异的高频软磁性能.静磁易面γ’-Fe4N为软磁复合材料匹配第3代宽禁带半导体的高频应用提供了一种新思路. 相似文献