首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   4篇
晶体学   1篇
物理学   4篇
  2011年   1篇
  2005年   4篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
伞海生  陈冲  何毓阳  王君  冯博学 《物理学报》2005,54(4):1736-1741
在Ar+O22气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn22O44 薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn22O44和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热 处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品 进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调  相似文献   
2.
Ba2+对 YVO4:Dy3+荧光粉发光性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用化学共沉淀法制备了 Y0.99-xBaxVO4:1% Dy3+荧光粉,研究了 Ba2+浓度(0≤x≤0.25)及电荷补偿剂 K+对荧光粉发光强度的影响.结果表明:在315 nm 紫外光激发下,随Ba2+浓度的增加,Y0.99-xBaxVO4:1%Dy3+荧光粉发光强度呈现先增加后降低的趋势,在x=0.1 处达最大值,与未添加 Ba2+的荧光粉相比发光强度提高约50%,但色坐标变化不明显,色温在5200 K 左右,为光色柔和的暖白光.电荷补偿剂 K+的添加使 Y0.99-xBaxVO4:1%Dy3+荧光粉在 Y0.99-x BaxKxVO4:1%Dy3+荧光粉发光强度的基础上明显提高,色坐标及色温变化不明显.  相似文献   
3.
在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调了弛豫时间的重要性.为了提高导电膜的透射率,还分析了Burstein-Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度T8≈280℃.实验表明,在氧分压为8%左右时制备的薄膜质量较好,热处理后的指标大约为迁移率μH=31×10-4m2/V·s,电阻率ρ=1.89×10-5Ω·m.  相似文献   
4.
在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底 温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现, 随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋势,而吸收边呈现先是“蓝移”然后“红移”的 现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响,这些影响主 要体现在带尾的形成,Burstein Moss(B M)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对 薄膜的迁移率有重要影响.对于CIO薄膜,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重 要影响并将直接影响到薄膜的光透性.由于存在吸收带尾,利用传统的“外推法”获得薄膜 的光带隙并不适合简并半导体,而应使用更为准确的“拟合法”. 关键词: 射频反应溅射 CdIn2O4透明导电薄膜 Burstein Moss漂移 带隙收缩 电学性 质 光学性质  相似文献   
5.
在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现,随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋势,而吸收边呈现先是"蓝移"然后"红移"的现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响,这些影响主要体现在带尾的形成,Burstein-Moss(B-M)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对薄膜的迁移率有重要影响.对于CIO薄膜,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重要影响并将直接影响到薄膜的光透性.由于存在吸收带尾,利用传统的"外推法"获得薄膜的光带隙并不适合简并半导体,而应使用更为准确的"拟合法".  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号