二级性性价格控制问题的满意解的求解思路及实例

本文就文献[1]对线性二级价格控制问题（BLP2）研究的结果及文献[2]提出的问题进行了进一步的讨论。用反例指了文[1]求出的极点最优解是错的，以及一般的（BLP）2问题同的最优解，可能是下层决策者根本无法接受的。因此，本文提出（BLP）2的求下层目标最优解的边界搜索法及在此基础上用多目标的观点来求（BLP）2的求下层目标最优解的边界搜索法及在此基础上用多目标的观点来求（BLP）2的满意解的思路及实例。     

黑客秘密团伙击败微软

2000年10月28日，世界各地的媒体纷纷刊发一条较为轰动的消息：世界电脑软件业龙头老大美国微软公司的电脑系统几天前被“黑”，生产软件的源代码被窃，新开发的Windows和Office产品的具体计划可能被盗！那么，此次黑客是如何入侵微软电脑系统的？到底是什么人能如此大胆又如此     

CsI(Tl)闪烁探测器用于粒子鉴别

根据CsI(Tl)晶体产生的闪烁光脉冲具有快、慢两种成份这一特性,采用电荷灵敏ADC对快、慢成份分别积分的方法,仅用一块CsI(Tl)晶体实现了对轻粒子p、d、α和Li的鉴别与测量,且得到了好的粒子分辨本领.另外,用CsI(Tl)晶体与Si半导体组成的ΔE-E望远镜也很好地实现了对轻粒子的鉴别.     

氟苯尼考胶体金免疫层析定量检测方法的建立

建立了定量检测氟苯尼考的胶体金免疫层析方法.对胶体金标记抗体时溶液pH和抗体浓度、金标抗体用量、检测线上抗原浓度以及检测时间进行了优化.采用胶体金试纸条读取仪测定试纸条检测线和质控线的信号强度,以标准品的浓度为横坐标,阳性样本和阴性样本的检测线/质控线的信号比值(Bx/B0)为纵坐标建立标准曲线.结果表明,胶体金免疫层析试纸定量检测氟苯尼考的线性范围为0.1~1.5 ng/mL,检出限为0.08 ng/mL,检测时间为15 min.本方法具有简便、快速和可定量等特点,适于大批量样品的现场筛查.     

简易数字存储示波器电子综合实验项目设计

设计了一个电子综合实验项目简易存储示波器,让学生利用低频,数字电路、单片机技术、EDA技术等相关专业技能,完成方案设计,电路制作、直到最后的调试验收整个项目开发过程。培养学生应用已学的专业基础知识,进行项目设计和开发的能力。     

有机薄膜太阳电池的研究进展

有机薄膜太阳电池作为一种新型光伏电池,近年来得到了迅猛发展。其制备工艺简单、价格低廉、柔性、质轻,为人类解决能源问题提供了一种崭新的途径。文章综述了近年来有机薄膜太阳电池的发展状况,结合有机薄膜太阳电池的发展历史,分析了单异质结、体异质结和叠层三种典型结构器件的工作原理和研究成果,探讨了各种器件结构的优缺点,并对有机薄膜太阳电池的发展趋势作了展望。     

新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.

摘要：

     

基于多特征的语音端点检测技术研究

针对传统的端点检测技术,如基于能量、过零率等方法,在低信噪比噪声环境下检测性能急剧下降的问题,根据汉语语音发音的特点,提出了一种新的检测方法,该方法结合了Mel频率倒谱系数（MFCC）和能量、过零率、频带方差等多个语音特征。基于多特征融合的模糊判决二次搜索端点检测方法,能有效减少清音、拖尾音的截断,提高端点检测的精度,并对噪声环境具有一定的自适应性。实验结果表明,即使在低信噪比条件下,该方法仍具有较高的准确性。     

基于蓝牙的心肺音采集系统

心脏疾病目前已经成为致死率第一的疾病。学者们正在致力于研究各种治疗方式,以从心脏病手中挽救人们的生命。而目前我国的心血管发病率在逐年增加,心血管课题也成为一个重要课题,心血管疾病也越来越受到人们的重视。本文研究了心肺音采集系统的适配电路,阐述了可分离心、肺音的多功能无线可视化电子听诊器的应用前景。针对可分离心、肺音的多功能无线可视化电子听诊器工作原理确定了适配电路的选择方案。详细介绍了各部分电路的功能,构成低功耗、低成本的硬件平台,实现基于蓝牙的心肺音采集系统。     

Ultra-low on-resistance high voltage (>600 V) SOI MOSFET with a reduced cell pitch

A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage.