首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   29934篇
  免费   5592篇
  国内免费   3230篇
化学   21472篇
晶体学   349篇
力学   1767篇
综合类   136篇
数学   2982篇
物理学   12050篇
  2024年   90篇
  2023年   666篇
  2022年   840篇
  2021年   1158篇
  2020年   1376篇
  2019年   1345篇
  2018年   1130篇
  2017年   997篇
  2016年   1555篇
  2015年   1436篇
  2014年   1873篇
  2013年   2306篇
  2012年   2810篇
  2011年   2867篇
  2010年   1867篇
  2009年   1780篇
  2008年   1992篇
  2007年   1736篇
  2006年   1624篇
  2005年   1278篇
  2004年   973篇
  2003年   763篇
  2002年   755篇
  2001年   586篇
  2000年   467篇
  1999年   591篇
  1998年   510篇
  1997年   497篇
  1996年   491篇
  1995年   426篇
  1994年   342篇
  1993年   281篇
  1992年   279篇
  1991年   224篇
  1990年   202篇
  1989年   151篇
  1988年   92篇
  1987年   79篇
  1986年   104篇
  1985年   73篇
  1984年   37篇
  1983年   43篇
  1982年   26篇
  1981年   22篇
  1980年   7篇
  1979年   2篇
  1976年   1篇
  1975年   1篇
  1957年   4篇
  1923年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
181.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器  相似文献   
182.
The convergent iterative procedure for solving the groundstate Schr?dinger equation is extended to derive the excitation energy and the wavefunction of the low-lying excited states. The method is applied to the one-dimensional quartic potential problem. The results show that the iterative solution converges rapidly when the coupling g is not too small.  相似文献   
183.
Sufficient conditions for the existence of positive solutions to a class of quasilinear elliptic equations in two-dimensional exterior domains are given.  相似文献   
184.
神经网络在工程爆破应力波规律探讨中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用BP(Back Propagation)前馈人工神经网络模型,对工程爆破中柱状震源的自由场应力波传播规律进行了探讨。结果表明:利用人神经网络模型的非线性映射功能,可以较好地给出工程爆破引起的近区自由场力学规律,对于同类型问题的研究,也有着很重要的意义。  相似文献   
185.
赵毅  万星拱 《物理学报》2006,55(6):3003-3006
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词: 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量  相似文献   
186.
The dissolution behavior of the aspirin enteric granule prepared using acylglycerols, glyceryl monostearate (GMS) and glyceryl trilaurate (GTL), was investigated in vitro and in human subjects in a fasting or non-fasting state. Aspirin was slowly released from the granule in vitro at pH 1.2. No acceleration of the aspirin dissolution rate in the medium without lipase and cholic acid was observed when the pH level of the medium increased to a neutral region (pH 6.4). However, the dissolution of aspirin was significantly increased by increasing the concentrations of lipase and cholic acid in the medium. Lipase appears to play an essential role in the dissolution process of aspirin granules. In human subjects, the average levels of the cumulative amount of total salicylate excreted in a urine-time curve, and the mean residence time (MRT) obtained after oral administration of a granule in the fasting state were markedly delayed in comparison with the results observed using an aqueous solution and a crystalline form of aspirin. In comparing the fasting condition with the non-fasting condition (after food ingestion), no significant difference was recognized in the total amount of salicylate excreted in urine to an infinite time (Ae(infinity)), whether the MRT was obtained by granule, crystalline form or aqueous solution. It can be concluded that aspirin granule prepared by GMS and GTL has a property of pancreatic lipase-sensitive dissolution, and its bioavailability is unaffected by food intake.  相似文献   
187.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。  相似文献   
188.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应. 关键词: 离子辐照 拟南芥 胚区域 生物效应  相似文献   
189.
在2×1.7串列加速器上利用束-箔方法和装有CCD的Spectrapro-500i光谱单色仪的测量装置,在2MeV束能下研究了250nm—350nm波长范围离化态氧原子光谱.在250nm—350nm范围已确定的201条光谱线,确定的跃迁大部分属于OⅡ到OⅣ原子的n,l能级间的跃迁,一些实验结果与现有理论一致.实验发现,在这个范围的光谱大都属于弱跃迁谱线,并且许多谱线是以前没有观测到的. 关键词: 串列加速器 氧离子 CCD 光谱  相似文献   
190.
宋红州  张平  赵宪庚 《物理学报》2006,55(11):6025-6031
对原子氢在Be(1010)薄膜表面的吸附性质做了第一性原理计算研究.根据原子面间距的不同,可把Be(1010)表面分为两种.计算结果表明,原子氢在这两种表面上的吸附性质显著不同.为阐明和分析这些不同,系统计算和分析了Be(1010)薄膜的表面电子结构、电子功函数、平均静电势和局域电荷密度.这些物理量都自洽地表明,吸附过程中原子氢和表面铍原子间的电荷转移过程对于两种表面是完全不同的.对于L型表面来说,电荷由吸附原子氢向表面Be原子层转移,而对于S型表面而言,电荷转移过程恰恰相反. 关键词: 表面能 功函数 量子尺度效应  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号