首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2642篇
  免费   634篇
  国内免费   1083篇
化学   1950篇
晶体学   129篇
力学   138篇
综合类   94篇
数学   477篇
物理学   1571篇
  2024年   8篇
  2023年   32篇
  2022年   97篇
  2021年   99篇
  2020年   93篇
  2019年   98篇
  2018年   90篇
  2017年   146篇
  2016年   77篇
  2015年   148篇
  2014年   160篇
  2013年   211篇
  2012年   202篇
  2011年   244篇
  2010年   219篇
  2009年   263篇
  2008年   312篇
  2007年   294篇
  2006年   260篇
  2005年   214篇
  2004年   146篇
  2003年   112篇
  2002年   131篇
  2001年   123篇
  2000年   156篇
  1999年   79篇
  1998年   55篇
  1997年   34篇
  1996年   20篇
  1995年   31篇
  1994年   29篇
  1993年   26篇
  1992年   23篇
  1991年   12篇
  1990年   15篇
  1989年   19篇
  1988年   12篇
  1987年   13篇
  1986年   8篇
  1985年   9篇
  1984年   5篇
  1983年   2篇
  1982年   3篇
  1981年   2篇
  1980年   3篇
  1979年   4篇
  1978年   4篇
  1977年   3篇
  1975年   3篇
  1965年   3篇
排序方式: 共有4359条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
基于 HL-2M 真空室烘烤保温要求,通过有限元分析和原型件实验确定采用陶瓷纤维与纳米级微孔材 料组合作为 HL-2M 真空室保温材料。在 30℃时,保温层的导热系数小于 0.027W⋅m−1·℃−1;300℃时,导热系数 小于 0.038W⋅m−1·℃−1。在保温层厚度 25mm、热面温度 300℃且达到稳态时,冷面可控制在 85℃以下,线圈侧的 温度低于 60℃,整体热损失小于 12kW,满足 HL-2M 真空室烘烤需求。   相似文献   
122.
六方氮化硼(h-BN)晶格结构是一种类六方对称复式超晶格结构。具有h-BN晶格构型的光子晶体以其宽光子带隙特点受到国内外学者的广泛关注。本文利用不同尺度低压气体放电管与Al2O3介质棒周期性排列,构建了新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体,实现其空间结构和等离子体参数的动态调控。利用微波透射谱对比研究了h-BN型超晶格与简单三角晶格等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目。分析了放电电流、介质棒阵列数对不同频段光子带隙的影响,以及电磁波入射角度对电磁传输特性的影响。结果表明:等离子体的引入不仅能够形成新的光子带隙,而且可以选择性地使部分禁带位置发生移动;相对于简单三角晶格,h-BN型超晶格等离子体光子晶体呈现出更多光子带隙;Al2O3介质棒阵列数对等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目均具有重要影响。电磁波入射角度变化越大,电磁传输特性差别越显著,透射谱相关性越差。本文所设计的新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体为制作可调谐光子晶体提供了新的思路,在微波和太赫兹波控制领域具有潜在应用价值。  相似文献   
123.
无水坝抽水蓄能系统利用封闭容器内的高压气体构建虚拟水坝,是兼具压缩空气储能和抽水蓄能优点的新型储能系统。但该系统的封闭容器内水和气在高压状态共存有可能造成水中溶气,从而对水轮机造成汽蚀等破坏。本文采用实际气体状态方程及分子动力学模拟方法,研究了宽广的压力、温度范围下气体在水中的溶解及扩散规律,揭示了水中气体溶解量随时间和水深的变化规律。研究结果表明释能结束后保证水-气共容舱内剩余水的高度大于0.5 m时,高压溶气不会对水轮机产生危害,该结论对系统的工程应用及推广具有指导意义。  相似文献   
124.
为了了解聚变实验堆真空室壳体表面残余应力的分布以及退火工艺对残余应力的影响,通过模拟分析和实验检测两种方式对不锈钢316LN冷压曲面和热压曲面残余应力进行研究,获得退火前后曲面表面残余应力的大小,得到冷压曲面和热压曲面残余应力的分布以及退火工艺对残余应力分布的影响。研究结果为分析成型工艺提供数据支撑,对中国聚变工程实验堆真空室的研究与制造具有重要意义。  相似文献   
125.
质量非均匀分布的烟囱在倾倒过程中的力学分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
烟囱倒塌的过程中可能会在某处断裂.本文研究了质量非均匀的烟囱倾倒过程中各部位的受力与扭矩,并通过扭矩极大值点找出烟囱断裂位置.  相似文献   
126.
讨论"甲虫与气球"、甲虫在可伸缩曲线上的运动以及星系间的航行等问题.  相似文献   
127.
以钨酸钠为钨源,以乙二胺四乙酸二钠为碳源经过高温煅烧制备了含W的介孔碳材料,采用XRD、SEM、FT-IR、BET对含钨的介孔碳材料进行表征。结果表明,煅烧后介孔碳材料的表面形成了粒状含有结晶水的氧化钨(WO_3·H_2O)。相比于纯的介孔碳材料,含钨介孔碳材料的总比表面积减小。以含W介孔碳材料为催化剂,H_2O_2作为氧化剂,1-丁基-3-甲基咪唑氟硼酸盐([BMIM][BF_4])离子液体作为萃取剂,组成萃取-催化氧化脱硫体系(ECODS)并研究其对模拟油中二苯并噻吩脱除效果。考察了氧化钨负载量、反应温度、H_2O_2加入量、催化剂用量、离子液体用量以及不同类型硫化物对二苯并噻吩脱除的影响。在最佳反应条件下,催化剂对二苯并噻吩(DBT)、4,6-二甲基二苯并噻吩(4,6-DMDBT)、苯并噻吩(BT)、噻吩(TH)和真实汽油的脱除率分别达到98.6%、65.6%、61.2%、57.8%和64.3%。催化剂回收利用五次之后脱硫率略有降低,仍高达95.2%。  相似文献   
128.
通过对洛铂和卡铂的结构进行重组和优化,合成了一种新型洛铂衍生物cis-[(trans-1,2-双(氨甲基)环丁烷)(3-羟基-1,1-环丁烷二羧酸根)合铂(Ⅱ)],采用元素分析、红外光谱、质谱和核磁共振表征了其化学结构,并考察了此化合物的水溶性和稳定性。应用标准SRB法测试了目标化合物对人肺癌细胞株(NCI-H460、A549)、人乳腺癌细胞株(DU4475)、人白血病细胞株(Sup-B15)生长的抑制活性,评价了它对人肺癌细胞NCI-H460裸鼠移植瘤的治疗作用。结果表明:目标化合物水溶性好、稳定,对多种癌细胞的生长有明显的抑制活性,IC50均小于10 μmol·L-1。更重要的是,其体内对人肺癌细胞NCI-H460裸鼠移植瘤的治疗效果明显,与洛铂相当。  相似文献   
129.
通过高温浸渍法,对多壁纳米碳管进行了氟离子与浓硫酸磺化反应修饰改性处理,制备了一种新型Lewis酸型催化剂F--SO42-/MWCNTs,并通过透射电镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱、吡啶吸附红外光谱、X射线荧光光谱、X射线衍射和NH3程序升温脱附等表征手段对其的物理化学性能进行了表征分析,进而对多壁纳米碳管经F-与浓硫酸磺化反应修饰改性后所出现的结构与催化性能变化的内在影响规律进行了探索。以F--SO42-/MWCNTs为催化剂,以甲醇和油酸为原料,对其在应用于催化酯化反应合成油酸甲酯过程中的活性进行了研究。结果表明:当反应温度为65℃、醇油物质的量之比为12:1、催化剂质量占反应物总质量的0.9%、反应时间为6 h,油酸的转化率最高,达到了90%。高催化活性可归因于随着氟元素的加入,提高了SO42-的插层作用效果,从而增加了酸性活性位的数量;此外,S=O键具有电子诱导效应,而F-有强负电性,两者之间发生强烈的相互作用后形成了F-S键,使S=O的吸电子效应大幅度增强,从而加剧了F--SO42-/MWCNTs催化剂的体系电荷不平衡趋势,导致催化剂中的正电荷过剩,使催化剂中的酸性活性位以Lewis酸为主,有效的避免了单纯磺化反应作用所生成的催化剂的酸性活性位以Brönsted酸型为主,而易在富含水的反应介质中发生水合作用而降低,甚至失去催化活性的现象发生。  相似文献   
130.
采用水热法成功制备了MoS2/WO3复合半导体光催化剂,分别通过SEM、TEM、EDS、XRD、Raman和DRS对催化剂的形貌,组成及结构进行表征,并用BET模型计算比表面积。对比发现球状MoS2/WO3对罗丹明B(RhB)的光降解效率明显高于纯WO3、片状MoS2/WO3复合半导体。针对球状MoS2/WO3复合半导体,分别研究了MoS2不同负载量(0.5%,1%,2%,5%,10%)对RhB光催化降解性能的影响,结果表明MoS2含量为2%时催化效果最佳。同时,研究了溶液的pH值(pH=1,3,6,7,11)对光催化降解反应活性的影响,结果显示pH=6时降解率最高。当催化剂量增加到1 g·L-1时,30min后RhB降解率达到96.6%。球状MoS2/WO3的瞬态光电流为0.050 6 mA·cm-2,比纯WO3提高了2.4倍。经过5次循环实验,球状MoS2/WO3复合半导体催化剂仍能保持90%的高降解率。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号