首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   170947篇
  免费   32868篇
  国内免费   17048篇
化学   130779篇
晶体学   1888篇
力学   9633篇
综合类   1110篇
数学   19452篇
物理学   58001篇
  2024年   308篇
  2023年   2835篇
  2022年   3249篇
  2021年   4910篇
  2020年   6745篇
  2019年   7396篇
  2018年   5588篇
  2017年   5092篇
  2016年   9558篇
  2015年   9552篇
  2014年   11018篇
  2013年   13939篇
  2012年   15424篇
  2011年   15209篇
  2010年   11566篇
  2009年   11285篇
  2008年   11515篇
  2007年   9913篇
  2006年   9009篇
  2005年   7796篇
  2004年   6220篇
  2003年   5042篇
  2002年   5534篇
  2001年   4346篇
  2000年   3917篇
  1999年   3375篇
  1998年   2640篇
  1997年   2538篇
  1996年   2482篇
  1995年   2124篇
  1994年   1827篇
  1993年   1536篇
  1992年   1308篇
  1991年   1209篇
  1990年   990篇
  1989年   767篇
  1988年   595篇
  1987年   497篇
  1986年   492篇
  1985年   408篇
  1984年   248篇
  1983年   224篇
  1982年   168篇
  1981年   105篇
  1980年   86篇
  1979年   33篇
  1977年   20篇
  1976年   27篇
  1975年   29篇
  1957年   43篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
981.
用于光纤电流传感器的BGO晶体磁光特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
在理论分析Bi4Ge3O12(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果.同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁光优值曲线.进而将BGO晶体的磁光特性与光纤电流传感器常用的几种磁光材料作了对比,结果表明BGO晶体适合用于光纤电流传感器.  相似文献   
982.
本文介绍了利用喷油脉宽大小的变化来分析电控发动机电控系统、燃油供给等系统故障的一种方法,在汽车故障检测与诊断中有着广泛的应用。  相似文献   
983.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道 关键词: 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟  相似文献   
984.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低. 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目  相似文献   
985.
SHS等离子喷涂制备FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合涂层的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍.  相似文献   
986.
过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明:过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.  相似文献   
987.
SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.  相似文献   
988.
董一鸣  徐云飞  张璋  林强 《物理学报》2006,55(11):5755-5759
提出一种直接测量光束的轨道角动量的方法,其原理是把具有轨道角动量的光束照射到一个金属靶上,使其在光束的角动量作用下发生转动. 通过测量靶转动的角度来计算光束的角动量值. 对几种不同参数的光束的轨道角动量进行了测量,获得了轨道角动量与光束参数之间的关系,实验结果与理论分析较好地符合. 关键词: 复杂像散椭圆光束 轨道角动量 测量  相似文献   
989.
Total disintegration events produced by 4.5\,A GeV/c $^{16}$O--AgBr interactions are analysed to investigate the characteristics of secondary charged particles produced in such collisions. The multiplicity distributions of grey, black, and relativistic charged particles can be well represented by Gaussian distribution. The average multiplicity of grey particles is found to increase with the mass of projectile increasing, while that of black particles is found to decrease with the mass of projectile increasing. This result is in good agreement with the prediction of fireball model. Finally, the linear dependence between grey and black particles is observed, but there is no distinct dependence between the production of relativistic charged particles and the target excitation.  相似文献   
990.
许心光  邵耀鹏等 《物理学报》2002,51(10):2266-2269
在KNSBN:Ce晶体中,利用二波耦合作用,在单一光束无法获得相位共轭光的条件下,实现了“猫”式互抽运相位共轭光输出,获得较高的共轭光发射率,实验结果表明,晶体的二波耦合作用可以使晶体的自抽运相位共轭光的阈值光强降低。入射光的入射角范围增大,响应时间缩短。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号