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991.
通过用近红外光谱和PLS建立测定二元、三元调合食用油中花生油含最模型以及二甲亚砜水溶液浓度模型,使用交互验证统计参数,包括决定系数RC,标准偏差SEC,预测值和实际值线性拟合方程的斜率a和截距b,和外部验证统计参数,包括决定系数RV,标准偏差SEP,预测值和实际值线性拟合方程的斜率a和截距b,评价建模效果,比较了分别使用原始光谱和正交信号校正(OSC)处理光谱的PLS建模结果.研究结果表明:OSC校正可明显改善近红外光谱与被测物质浓度的线性相关性.虽然OSC预处理可以改善PLS模型的交互验证结果,似是外部验证结果变差,即正交信号校正用于PLS建模将导致过拟合现象.通过分析算法原理,认为OSC与PLS1对光谱中与性质无关的信息作了重复剔除,误删除了部分有效信息,导致过拟合效应. 相似文献
992.
采用不同方法B3P86,B3LYP,MP2和LSDA,结合Dunning的相关一致基组cc-PVTZ,对聚合型硼氢化物(BH3)n(n=1-3)分子的可能几何构型进行优化计算,得出最稳定构型的几何参数、电子结构、振动频率和光谱等性质参数,并给出了最稳定结构的总能量(ET),结合能(EBT),平均结合能(Eav),电离势(EIP),能隙(Eg),费米能级(EF)等.结果表明:采用密度泛函DFT中的方法B3P86计算的能量最低,结构参数更接近文献值;三种硼氢化物分子基态都为1重态,电子态分别为1A',1A和1A; BH3分子的最稳定几何构型为平面三角形结构;B2H6为对称性乙烯式D2h立体结构,H-B之间生成氢桥式三中心双电子键;B3H9为C3ν立体结构,也生成氢桥式三中心双电子键,但三个氢桥三中心双电子键彼此隔离.最后分析了三种氢化物的红外和拉曼光谱、平均结合能、电离势、能隙和费米能级等特性,说明(BH3)n(n=1-3)三分子中B2H6最稳定,H-B桥键键长比端键更长,最强峰红外光谱强度最大.
关键词:
聚合型硼氢化物
几何构型
光谱 相似文献
993.
提出应用级联倍频方法提高倍频系统输出稳定性,并就该方法的有效性进行了理论分析和模拟计算.分析和计算结果不但证明级联倍频方法能实现倍频系统稳定输出,而且还表明可以通过仔细调节第一块倍频晶体中波矢方向 k 与光轴间夹角、两块倍频晶体间的间隔,能调节改变实现倍频系统最稳输出时所需第二块晶体的理论计算长度,使之与第二块倍频晶体的实际加工长度一致,最终实现系统稳定倍频输出.级联倍频方法在实现高输出稳定性的同时能实现高的倍频转换效率,对应用于光参量啁啾脉冲放大系统的高稳定抽运源系统的设计建造具有重要参考意义.
关键词:
级联倍频
稳定倍频输出
光参量啁啾脉冲放大 相似文献
994.
以丝阵内爆零维模型为基础,采用Pspice模拟行为建模方法,建立了丝阵内爆动态电感与Z箍缩驱动器耦合的全电路模型,实现驱动器放电过程与丝阵内爆过程的自洽求解,并研究了丝阵参数、电路参数对内爆过程的影响.结果表明:丝阵负载与驱动器存在强耦合关系,丝阵参数、电路参数对丝阵峰值箍缩电流、内爆时间、内爆动能影响很大;在驱动器参数不变,内爆时间不超过电路固有放电周期1/4的前提下,峰值箍缩电流、内爆时间、内爆动能随丝阵质量的增加而增大,内爆时间随丝阵初始半径的增加而增大;在丝阵参数不变时,随着驱动器等效电容的增大,内爆时间减小,丝阵内爆动能增大,但驱动器储能转化为内爆动能的效率却先增大后减小.对于特定的驱动器,优化的丝阵参数应使内爆过程充分利用驱动器固有放电周期的上升沿,使丝阵快速收缩的时间起点接近电路固有放电周期的四分之一,以获得最大的动能效率.
关键词:
Z箍缩驱动器
零维内爆模型
模拟行为建模
耦合特性 相似文献
995.
研究一种新型的并列式的高密度存储材料ADPA-PVK-PBA-TNF聚合物薄膜.在非吸收区用光抽运测试法研究了薄膜光致双折射,获得光致双折射变化值Δn=1.3×10-3,分析了该聚合物薄膜光致取向增强的物理和化学机理.探讨了抽运光对光致双折射的增强和抑制效应.在此基础上初步实现了多重角度复用信息存储、获得了较为清晰的全息存储图像.并讨论了图象存储的增强/抑制效应,利用这种效应可对存储图像处理或删除.
关键词:
掺杂偶氮苯聚合物薄膜
光致双折射
光全息存储
光致取向增强 相似文献
996.
997.
考虑了在非平衡凝固条件下球晶生长过程中界面动力学系数随界面温度的变化,利用渐近分析方法求出了在过冷熔体中球晶生长温度场和界面的近似解析解,研究了非线性界面动力学过冷对于过冷熔体中球晶界面形态和生长速度的影响.研究表明,界面动力学系数越大,球晶的生长速度越快; 反之,表明界面动力学系数越小,球晶的生长速度越慢.与忽略界面动力学的情形比较,在球晶生长过程中依赖于界面温度变化的界面动力学显著地减缓了晶体生长的速度.
关键词:
球晶
界面形态
渐近分析 相似文献
998.
运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了氮原子取代掺杂手性单壁(6,3)碳纳米管的电子结构和输运特性.计算结果表明:不同构形和不同数目的氮原子取代掺杂对手性碳管的输运性质有很复杂的影响.研究发现,氮原子掺杂明显改变了碳管的电子结构,使金属型手性碳管的输运性能降低,电流-电压曲线呈非线性变化,而且输运性能随着杂质原子间间距的变化而发生显著改变.在一定条件下,金属型碳管向半导体型转变.
关键词:
手性单壁碳纳米管
氮掺杂
电子结构
输运性能 相似文献
999.
用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe3O4薄膜.电阻-温度关系表明Fe3O4薄膜的Verwey转变(TV)约在122 K,低温段(TV)输运特征满足Mott变程跳跃模型,高温段(T>TV)为小极化子输运.激光作用下的光电导实验发现,在整个温区表现为光致电阻率减小,而且低温段的电阻变化率比高温段要大很多.分析认为Fe3O4薄膜的光致电阻率变化主要与激光激发t2g电子的转移有关.
关键词:
3O4薄膜')" href="#">Fe3O4薄膜
小极化子
光诱导特性 相似文献
1000.