大数猜想与暗物质

讨论恒星质量、核子质量、暗物质粒子质量和普朗克质量四者间通过大数A～10¹⁹联系在一起,而且强相互作用与引力间也唯象地通过大数A似乎有着某种深层的联系.     

PⅦ离子2p~44f组态能级及2p~44f－2p~43d跃迁波长和振子强度的计算

利用组态相互作用的半经验方法，预言了ＰＶⅦ离子２Ｐ４４ｆ组态的２８个精细结构能级，计算了２Ｐ４４ｆ－２Ｐ４３ｄ跃迁的谱线波长和振子强度。     

Ca_3La(BO_3)_3∶Tb~(3+)的合成与发光性质

高温固相反应法合成了Ca3La(BO3)3∶Tb3 光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca3La(BO3)3∶Tb3 的光致发光特性。确定了在Ca3La(BO3)3基质中Tb3 离子浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机理;探讨了助熔剂L i2CO3、敏化剂Ce3 离子的加入对荧光粉发光强度的影响。     

丰富多彩的数学游戏问题

《数学课程标准》强调“数学学习活动应当是一个生动活泼、主动的和富有个性的过程”．因此提供一个具有挑战性的问题情境，或一个有趣的游戏情境，可以让学生感受到数学就在自己的身边，激发学生学数学的兴趣．本文从2004年的中考试卷中选取一些取材于生活中丰富多彩的数学游戏问题，背景真实，内容鲜活，学生熟悉，     

计算对称群Sn的所有幂零子群

本文研究了对称群Sn的所有幂零子群的计算方法.利用添加生成元的方法,获得了S7的全部5119个幂零子群.结果表明此方法是有效的.     

解数学题常见的思维模式

本文拟列出几条常见的解数学题的思维模式。一、弄清题意这属于非智力因素的范畴,对大多数学生(甚至是成绩较好的学生)来说,都不是多余的忠告。教学中,我们经常发现学生不明题意就茫然解之,结果或是目的性不明而碰壁或是变换(增加、去掉、更解)条件而导致错误。例1 设函数y=f(x)(x∈R且x≠0),对任意非零的实数x_1、x_2满足f(x_1x_2)=f(x_1) f(x_2),f(x)在(0, ∞)上为增函数,(1)求证f(1)=f(-1)=0;(2)解不等式f(x) f(x-1/2)≤0。     

半导体激光器的电流调制特性研究

本介绍了半导体激光器注入电流调制特性，研究了半导体激光器的输出光频与注入电流的关系，并给出了其测量结果。     

R值测量中束流相关本底的扣除方法

利用北京谱仪R值扫描数据,研究了束流相关本底的特征及其扣除方法.采用f因子方法和拟合强子事例顶点z分布的方法来扣除残余束流相关本底,并讨论其对R值测量误差的贡献.结果表明,两种方法对R值测量误差的影响约为0.3%至2.3%.     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延