范缜的批佛斗争和《神灭论》的法家思想

范缜(约公元四五○年——五一五年),是我国南北朝时期杰出的法家唯物主义思想家。他同儒佛联盟展开的以“神灭”还是“神不灭”为中心议题的大论战,是先秦以来法家反天命同儒家尊天命的长期斗争的继续,是庶族地主革新、统一路线同士族地主倒退、分裂路线的激烈斗争在意识形态领域里的反映。著名的《神灭论》,就是范缜在两条路线激战中写成的。     

用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .     

云南发现一种具有“三折射”现象的天然晶体

云南发现一种具有“三折射”现象的天然晶体司民真（云南楚雄师专物理系，楚雄６７５０００）武荣国（云南楚雄市环境监测站，楚雄６７５０００）当光在各向异性晶体中传播时，一般只会出现两束折射光线，用检偏器检验，则两束折射光线都是线偏振光，这是众所周知的事实。...     

ZnSe MIS二极管蓝色电致发光的空间分布

本文研究了用ZnS多晶薄膜作绝缘层时制备的ZnSe MIS二极管,在正向电压激发下的蓝色电致发光的空间分布,在光学显微镜下观察到电致发光呈稀疏的点状分布。为了了解发光点的起因,用扫描电镜观测了二极管的二次电子像(SEI),束感生电流像(EBICI)和吸收电流像(AEI)。一个重要的发现是二极管的电致发光点(ELS)和EBICI有相当好的对应关系。文中指出了发光点的存在与绝缘层(Ⅰ)的引入有关。绝缘层一半导体(I-S)界面较大的能带失配和较差的结合,从而产生较多的无辐射复合中心,是产生稀疏发光点可能的原因。文中根据对发光点起因的分析,提出用ZnSe多晶薄膜取代ZnS多晶薄膜作绝缘层来铡备ZnSe MIS二极管。当用显微镜观察时,电致发光点呈密集分布,而用肉眼观察时是均匀的蓝色发光。文中还指出了进一步改进电致发光空间分布的可能途径。     

铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究

为了研究波长在２５５．３ｎｍ的铜蒸气激光倍频在亚微米光刻中的可行性，设计了带宽为１ｎｍ的１：１折反射式投影光刻物镜和一个带散射板的光管式均匀照相系统，获得了０．６μｍ的光刻分辨率。此结果表明，铜激光倍频光可作为亚微米光刻的照明光源。     

应力对铌钛超导线临界电流的影响

近年来,随着超导体在大型装置中越来越多的应用,以及对于超导体”退化”和“锻炼”问题的深入研究,广泛开展了超导体应力效应的研究.我们建立了一个简单的装置,来研究应力对铌钛(50 wt％)单芯线临界电流的影响. 实验装置简图见图1.实验杜瓦4为在存有液氦情况下可更换样品的玻璃杜瓦.背     

贝叶斯指数可靠性增长模型先验分布参数的确定

Ｇａｍｍａ分布函数Г（ｘ│α，β），α〉０，β〉０通常用做贝叶斯指数可靠性增长模型的先验分布密度函数，参数αβ的不同，将引起增长试验的评估结果很大的差异，本文应用计算机仿真，通过对典型示例的分析，比较得出了先验分布参数的三种取法对可靠性评估结果的影响。     

软对策论及其创新

传统对策论虽已取得巨大发展，但仍存在某些不足，软对策论就是在对它的某些假定进行修正和扩展的基础上提出的。该理论引入了情绪和非理性等因素，使对策模型更加接近于社会实际。