表面修饰纳米TiO2的贮氢合金电极的光充电行为

采用水解-沉淀法制备了锐钛矿结构的纳米级TiO2,研究了表面修饰TiO2的贮氢合金电极的光充电、循环伏安及交流阻抗特性.结果表明,表面未修饰TiO2的贮氢合金电极在光照下电极电位基本无变化,而表面修饰TiO2的贮氢合金电极在光照下,电极电位向负方向偏移,可达-0.835V,表明在光照射条件下电极表面有氢原子形成.电化学阻抗谱的结果也表明,表面修饰电极在光照时表面有吸附氢存在,并存在氢原子向贮氢合金内部的扩散过程.扫描电镜观察表明,表面修饰TiO2的贮氢合金电极在光充电后产生的氢原子被贮氢合金吸收引起膨胀,导致表面出现大量微裂纹.     

熔盐电解法制备纳米碳管及纳米线

以LiCl、LiCl+SnCl2 等为熔盐电解质 ,采用电解石墨的方法制备了纳米碳管和纳米线 ,并运用TEM、XRD、EDS等分析手段对产物的形貌和结构进行了表征 .结果表明 ,熔盐成分对电解产物的形态和性质有显著影响 .在LiCl熔盐中可得到直径为 75～ 10 0nm的纳米碳管 ;在LiCl+1.0 %SnCl2 熔盐中可生成 β Sn填充的纳米碳管 .XRD测试表明 ,电解制备的 β Sn纳米线经氧化处理后在碳管内可转变为SnO2 ,其晶体结构为四方晶系 ,直径为 2 0～ 5 0nm .电解过程中Li+ 在石墨阴极上反应生成的LiC6化合物对纳米碳结构的形成具有重要作用 .     

复合酶法提取洋葱多糖的研究

本文以洋葱为原料,以多糖提取率为考察指标,用苯酚-硫酸法测定多糖的总糖含量。采用正交试验确定了纤维素酶、木瓜蛋白酶和果胶酶的最佳配比为18∶5∶10,进而采用中心组合设计对洋葱多糖的复合酶法提取工艺进行了优化。结果表明:在提取温度55℃、时间120min、pH为5.0、酶用量为0.4%、料液比为1∶40(m/V)时,洋葱多糖提取率为3.27%,多糖含量高达50.5%,实验重现性好。     

掺杂氧化锌的掺杂元素计量技术研究进展

概述了掺杂氧化锌的掺杂性能、吸波机理以及化学成分计量的研究和发展现状。重点介绍了半导体、稀土元素和金属离子掺杂氧化锌的吸波性能的改变与掺杂元素含量的关系,通过对氧化锌化学计量方法和标准物质现状的分析,指出掺杂氧化锌计量技术将向着高灵敏度、低检测限、多元素覆盖范围的方向发展。     

Influence of GaAs substrate on the transmission performance of epitaxially grown Fabry-P'erot filter

The influence of GaAs substrate on the transmission performance of a multi-film Fabry-P’erot filter (FPF),fabricated by metalorganic chemical vapor deposition epitaxial growth on GaAs substrate,is investigated using the transfer matrix method.On the basis of the theoretical simulation,we determine that the quality of the resonant transmission peak of this epitaxially grown FPF (EG-FPF) deteriorates through splitting when the substrate is taken into account.Rapid periodic oscillation of peak-transmittivity along with the alteration of substrate thickness is also observed in the simulation results.Finally,a remarkably improved transmission performance of the EG-FPF is obtained by thinning the substrate down to a suitable thickness range through well-controlled grinding and polishing.     

InxGa1-xN能带结构和Bowing参数的研究

应用总能赝势方法和CASTEP程序对InxGa1-xN进行了模拟计算.利用第一原理密度泛函理论来探讨不含应力的闪锌矿化合物半导体InxGa1-xN在In的不同组分下的带隙值,并利用Vegard定理拟合出Bowing参数值为1.5728±0.14783 eV,认为其Bowing值应该在1.5 e V附近.可见InxGa1-xN材料有明显的Bowing现象,这一结果对于InxGa1-xN的异质外延有一定的理论指导作用.     

伪凸集值映射的误差界

考虑了伪凸集值映射的误差界.证明了对于伪凸集值映射,局部误差界成立意味着整体误差界成立.通过相依导数,给出了伪凸集值映射存在误差界的一些等价叙述.     

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In _{x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x关键词： 纳米线异质结构 xGa1-xAs')" href="#">InxGa1-xAs 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法}     

圆锥形喷管的脉冲激光推进能量相似律数值模拟

 为了验证理论分析得到的圆锥形喷管在单脉冲条件下的激光推进能量相似律,用2维轴对称辐射流体动力学方法,计算得到了不同构形的推进性能参数,分析了锥角、长度、无量纲因子、入射激光能量对冲量、冲量耦合系数的影响。计算揭示的激光推进能量相似律合理,在理论模型可以描述的范围内,其定性规律与理论分析、实验结果之间相互印证。结果表明：当锥角固定时,冲量和冲量耦合系数随无量纲因子先增大后减小,极大值对应的无量纲因子仅与气体比热比相关;当无量纲因子固定时,冲量随入射激光能量增加而增大,冲量耦合系数受激光能量的影响很小,冲量和冲量耦合系数均随锥角增大而单调减小。     

镍基高温合金元素分析方法研究进展

对近10年来镍基高温合金分析方法标准的修订情况以及分析方法研究方面的进展进行综述,主要包括我国国家标准和美国ASTM标准的修订情况,以及原子吸收光谱法、原子发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法、同位素稀释质谱法等分析方法的特点等的归纳总结,对各方法的优缺点和适用范围进行了比较。我国目前还没有相应的国家标准,现行分析方法陈旧、繁琐,具有一定的局限性,制约着我国高温合金材料的发展。综合不同测试技术的特点,建立一套高灵敏度,高准确度,低检出限,快速简便,自动化的镍基高温合金元素分析方法体系,从而实现镍基高温合金中元素分析水平的飞跃。