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简要介绍了三维动力学分析软件MSC/DYTRAN的功能,基本特征,以及在数值计算领域如:浅滩水下爆破,弹丸高速碰撞,成型装药等问题中的应用,并给出了部分算例。 相似文献
72.
硬岩中地下爆炸的自由场位移衰减规律 总被引:2,自引:0,他引:2
本文从两个方面叙述总结了硬岩中,地下爆炸引起的自由场的径向质点位移随爆心距的变化规律。其一是分析地下爆炸应力波经验规律结合方程式求解得到的地运动位移,有下规律:DM/W?=2.01((1/100)(R/W?))?(DM为地运动位移峰值,W为爆炸当量,R为爆炸距,其二是用地运动位移传感器直接测到的地运动位移,可用DM/W?=2.1((1/100)(R/W?))?表示地运动位移的变化规律。由这两种方法得到的位移结果的一致性较好。文中并对所得位移经验公式与国外报导的位移公式作了对比分析。 相似文献
73.
为获取高压下材料的纯热力学压力-比容参考线和完全物态方程,减去应力-应变曲线中的其它信息,对准等熵压缩实验中由加载应变率引起的黏性耗散和热传导引起的热耗散做了分析讨论。基于反积分计算和流体动力学积分计算相结合的方法,根据激光加载(约108 s-1)和磁驱动准等熵压缩(约105 s-1)的实验数据,对材料声速、应力-应变曲线、温度和熵增等物理量进行计算,分析了不同应变率与该物理量的关系;还对热传导和SCG本构模型进行了计算,分析了热传导引起的温度变化对材料屈服强度、剪切模量和拉格朗日声速的影响。结果表明:激光加载实验中,应变率引起的温升差异约为180K,熵增差异约为250J/(kg·K),热传导导致温度下降40K;磁驱动准等熵压缩应变率较低,引起的熵增变化小于8J/(kg·K)。 相似文献
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75.
76.
天然石墨经过浓硫酸氧化处理,酚醛树脂包覆并高温碳化后形成具有核壳结构的碳包覆氧化天然石墨复合材料.采用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD),激光显微拉曼光谱(Raman)等检测技术对氧化处理以及酚醛树脂热解碳包覆前后天然石墨材料的结构与形貌进行分析与表征.结果表明,氧化处理与适量的酚醛树脂热解碳包覆有效修复了天然石墨表面的一些缺陷结构,使其表面更为光滑.电化学测试结果显示,经过氧化处理与酚醛树脂热解碳包覆后天然石墨材料电化学性能得到明显提高.酚醛树脂包覆量为9%时,复合材料表现出最好的电化学性能,其首次放电比容量为434.0mAh·g-1,40次循环后,放电比容量保持在361.6mAh·g-1,而未经处理的天然石墨放电比容量仅为332.3mAh·g-1.该改性方法有效提高了天然石墨材料的比容量,对其进一步应用具有重要意义. 相似文献
77.
78.
开展了(010)、(011)晶向HMX晶体的斜波压缩实验,获得了约15 GPa压力下的速度响应剖面。实验结果表明,HMX单晶存在明显弹塑性转变行为,且速度波形有下降趋势,这是材料的黏性效应导致,材料的弹性极限随着样品厚度增加而变化,不同晶向的材料动力学特性存在差异。结合Hobenemser-Prager黏弹塑性本构关系和三阶Birch-Murnaghan物态方程开展了HMX晶体斜波压缩物理过程的数值模拟,计算结果可以很好地描述HMX晶体的弹塑性转变这一物理过程。 相似文献
79.
80.
Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献