微波消解/等离子体发射光谱法测定蒙药哈日阿-布日-16中的多种元素

采用高压密封微波消解,以V(HNO3) V(HClO4)=5 1为溶样试剂,电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了蒙古药—哈日阿-布日-16中的镁、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、锶、银、镉、铅等金属元素的含量。结果表明,回收率为99.5%~104.7%,RSD为0.4%~2.3%。哈日阿-布日-16中的多种金属元素,尤其镁、钙、锌、锶的含量较高,未测到有铅、银等元素。     

甘氨酸钙络合物的熔融法合成及表征

以甘氨酸和氢氧化钙为原料,采用熔融法合成了甘氨酸钙络合物,最佳合成条件为:原料摩尔比n甘氨酸:nCa(OH)2=2:1,在熔融状态下,反应温度150℃左右,反应时间40min,并通过元素分析、红外光谱、X-射线粉末衍射、差热-热重等实验手段对该络合物进行了表征,确定其化学式为Ca(NH2CH2COO)2,所得产品的产率达94.1%.     

杂化共聚反应

杂化共聚是具有不同可聚合基团的2种或2种以上单体的共聚合反应.它颠覆了传统共聚的概念,因为传统共聚的单体必须具有相同的可聚合基团.显然,杂化共聚为高分子合成提供了新路径.然而,由于具有不同可聚合基团的单体聚合机理不同、反应活性相差大,杂化共聚十分具有挑战性.20世纪80年代,先后出现了自由基开环杂化共聚和两性离子杂化共聚.近年来,随着有机小分子引发/催化的发展,人们创立了阴离子杂化共聚和阳离子杂化共聚.本文将介绍杂化共聚的进展情况.     

利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.     

厦门西海域表层沉积物中稀土元素分布特征

以厦门西海域表层沉积物为对象,研究了沉积物中稀土元素(REE)的分布特征.结果表明:厦门西海域沉积物中REE含量为125.71～206.02 μg·g-1,西部港湾区的8号和九龙江口的2号采样点REE含量较高,且轻稀土占绝对优势.REE含量随沉积物粒级呈有规律的变化,REE含量最高的是＜63μm的粒级,最低的是250 μm的粒级;沉积物经球粒陨石标准化后,各粒级REE总体配分曲线相近,均表现为明显的Eu亏损和Ce亏损,且＜63μm粒级亏损尤为严重.Eu与Ce异常平均值均小于黄河流域和长江流域沉积物;＜63μm粒级的沉积物中轻重稀土分馏程度最高,但在其他三种粒级沉积物中由粗到细分馏程度逐渐降低.分馏现象表明细粒级沉积物轻重分馏较粗粒级明显.与当地土壤稀土元素背景值比较,沉积物主要来自厦门西海域本地的土壤.     

葡聚糖衍生物涂敷型手性固定相的分离性能研究

本文用苯甲酰氯和苯基异氰酸酯修饰葡聚糖得到两种手性选择体,再将其涂敷于氨丙基硅胶表面,得到相应的手性固定相。研究并比较了这两种手性固定相在正相模式下的分离能力以及温度对手性分离的影响。     

克伦特罗在微悬臂免疫传感器上的响应

微悬臂传感器是将对待测物敏感的修饰层固定于微悬臂表面,当与待测物分子作用时,少量的分子吸附在微悬臂梁的表面,微悬臂梁发生弯曲或谐振频率的变化.     

常见的非线性递推数列通项公式求法

我们经常遇到含有分式根式或二次式等非线性递推关系．如何根据这些非线性递推关系求数列的通项公式呢？     

Fabrication of Mn-Doped GaN Nanobars

We report a new method for large-scale production of GaMnN nanobars, by ammoniating Ga2O3 films doped with Mn under flowing ammonia atmosphere at 1000oC. The Mn-doped GaN sword-like nanobars are a single-crystal hexagonal structure, containing Mn up to 5.43 atom%. Thickness is about 100 nm and with a width of 200-400 nm. The nanobars are characterized by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence. The GaN nanobars show two emission bands with a well-defined PL peak at 388 nm and 409 nm respectively. The large distinct redshift （409 nm） are comparable to pure GaN（370 nm） at room temperature. The red-shift photoluminescence is due to Mn doping. The growth mechanism of crystalline GaN nanobars is discussed briefly.     

基于射线穿透法的GPU并行阶梯型有限差分网格生成算法

三维大规模有限差分网格生成技术是三维有限差分计算的基础，网格生成效率是三维有限差分网格生成的研究热点。传统的阶梯型有限差分网格生成方法主要有射线穿透法和切片法。本文在传统串行射线穿透法的基础上，提出了基于GPU （graphic processing unit）并行计算技术的并行阶梯型有限差分网格生成算法。并行算法应用基于分批次的数据传输策略，使得算法能够处理的数据规模不依赖于GPU内存大小，平衡了数据传输效率和网格生成规模之间的关系。为了减少数据传输量，本文提出的并行算法可以在GPU线程内部相互独立的生成射线起点坐标，进一步提高了并行算法的执行效率和并行化程度。通过数值试验的对比可以看出，并行算法的执行效率远远高于传统射线穿透法。最后，通过有限差分计算实例可以证实并行算法能够满足复杂模型大规模数值模拟的需求。