L-天冬酰胺及其一水合物的太赫兹光谱研究

本文利用太赫兹时域光谱技术测量了室温条件下无水L-天冬酰胺与L-天冬酰胺一水合物的光谱特征,发现二者存在显著的差异,并利用太赫兹时域光谱技术实时检测L-天冬酰胺一水合物受热脱水的动态过程.结果表明太赫兹波对晶体结构变化、含结晶水状况以及分子间弱相互作用敏感.结合差示扫描量热法与热重分析联用、傅里叶变换红外光谱、粉末X射线衍射等多种技术分别从热学性质、分子振动等方面进行了表征,进一步确认了太赫兹实验结果的可靠性.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)下的PBE交换-关联泛函,对L-天冬酰胺一水合物进行模拟计算,对实验所得太赫兹光谱与分子结构以及相互作用间的关系进行了讨论分析.     

导电高分子及其纳米复合材料的热电性质

与无机热电材料相比, 有机热电材料具有资源丰富、 成本低、 质量轻、 柔韧性好及热导率低等优点, 成为热电研究领域关注的热点. 理论和实验结果表明, 低维化和小尺度化是热电材料研究和开发的发展方向. 本文对低维有机热电材料的合成、 器件组装及热电性质的影响因素等进行简要评述, 并对低维有机热电材料的研究方向进行了讨论.     

静电纺丝技术制备无机纳米纤维材料的应用

高压静电纺丝技术是一种简单通用的制备聚合物及无机纳米纤维材料的方法. 本文综述了利用高压静电纺丝技术制备的无机纳米纤维材料在能源、 纳电子器件、 催化以及传感器等领域的研究进展, 并对其发展前景进行了展望.     

基于能量平衡原理的有限单元耦合方法

结构非线性数值计算分析应真实反映局部损伤破坏细节,以作为损伤演化全过程分析的依据。对同类构件,有限单元耦合方法可以解决破坏细节与整体模拟的空间尺度差异问题。基于能量平衡原理,建立了梁与实体单元、梁与壳单元以及壳与实体单元的耦合方程,适用于结构的损伤数值计算。对某RC框架结构原位推覆试验的损伤数值分析表明,有限单元耦合模型能正确反映整体结构的承载力和变形性能,并且能准确反映局部损伤破坏细节。     

微波烧结制备铁酸铋陶瓷的介电性和铁电性

采用微波烧结法制备铁酸铋多铁陶瓷,研究了微波烧结时间对其显微结构、介电性和铁电性的影响.结果表明:在4 kW下烧结35～40 min制备出基本为纯相的铁酸铋陶瓷;随烧结时间增加,铁酸铋陶瓷结构越来越致密,晶粒尺寸有一定程度增大;在-10～90℃范围内,介质损耗随烧结时间增加而增大;随微波烧结时间增加,剩余极化强度增大,而矫顽场强先增加后减小,且铁电性具有明显的频率依赖性;铁酸铋陶瓷的漏电流随微波烧结时间增加而减小,这是结构致密化的结果.     

应用二维谱学技术归属泰妥拉唑的1H和13C NMR

应用DEPT（无畸变极化转移增强谱）、HMQC（异核多量子相干谱）、HMBC（异核多键相干谱）、¹H-¹H COSY（相关谱）、NOESY（核欧沃豪斯谱）和 TOCSY（全相关谱）谱学技术,对泰妥拉唑所有的氢进行了归属. 不对称硫原子引起邻接CH₂ 2个氢化学位移不等价;该2个氢相互偶合,其偶合常数为12.9 Hz;借助DEPT谱,2个甲氧基被区别;借助DEPT和TOCSY谱,另2个与碳相连的甲基被区分;利用HMBC谱,所有的碳峰可以归属.      

Structures and Phase Transition of GaAs under Pressure

A first-principles plane wave method with the ultrasoft pseudopotential scheme in the frame of the density functional theory （DFT） is performed to calculate the lattice parameters a and c, the bulk modulus B0 and its pressure derivative B0 of the zinc-blende GaAs （ZB-GaAs）, rocksalt GaAs （RS-GaAs）, CsCl-GaAs, NiAs- GaAs and wurtzite GaAs （WZ-GaAs）. Our results are consistent with the available experimental data and other theoretical results. We also calculate the phase transition pressures among these different phases. The results are satisfactory.     

在实数体上讨论二元二次多项式的因式分解

设二元二次多项式f(x,召)=ax“ 2吞xg eg“ Zdx Zey f(a,b,。中至少有一不等于0)则 l0f(x,万)a沪0(或c铸0)有axZ 2(右g d)x c夕2 Ze夕 faf二“一壑丝土自:十‘一鱼吐兰一、’ La八a, ey“ 2 ey f 一 a一了丝丝j’1 占a IJ·t(X l。设各=业并-)’}、。,贝。一‘6“一““,“’ 2     

扩展裂纹尖端塑性场

本文通过对幂硬化材料中平面应变Ｉ型裂纹的扩展过程进行精细的弹塑性有限元计算，给出扩展裂纹尖端附近环形区域内弹塑性场的分布。首次提出适用于扩展裂纹尖端环形区域的三项解。其中首项为ＨＲＲ奇异解；第二项反映三轴应力的强弱；第三项与ＨＲＲ奇异性项相比还含有线性项。并指出：扩展裂纹尖端环形区域弹塑性应力应变场的分布和强弱可由Ｊ－Ｑ－ｋ２三参量刻划，此结论适用于不同试样几何。不同材料硬化指数以及由小范围屈服至     

薄膜非线性撕裂三种弯曲模型的解答及讨论

针对薄膜非线性撕裂的弯曲模型,引入了3种表征薄膜撕裂过程的双参数准则.这3种表征分别为:(1)界面断裂韧度和分离应力; (2)界面断裂韧度和薄膜的裂尖转角; (3)界面断裂韧度和薄膜在裂尖的临界Mises等效应变.从3种双参数准则入手,分析并给出了针对上述各准则的薄膜非线性撕裂问题的解答.通过分析和比较,建立弯曲模型解答与严格平面应变弹塑性分析解答之间的关联.