T1—2212超导薄膜的制备

以铝酸镧晶体为基片，采用两步法制备T1-2212超导薄膜，包括在低温(150℃)下利用激光脉冲沉积(PLD)工艺沉淀Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜和在高温(740～830℃)下前驱体薄膜的铊化结晶、取向生长过程，实验结果表明所制得的膜的相组成为T1-2212，表面存在大量均匀分布的成分为T12Ba2CaCu2Ox的亚微米颗粒，其零电阻温度为101K，薄膜与基片之间界面清晰，没有过渡层，薄膜具有良好的c取向外延条纹。     

网络化《大学物理》教学体系的建设和应用

文章介绍了基于网络技术的《大学物理》教学体系的建设和应用，该体系以精品课程建设为依托，建设《大学物理》课程网络资源，在正常教学中引入网络化联班教学模式．实现主讲教室和其他多媒体副教室之间的音视频及教学课件传输，并对信号进行实时采集和编辑处理，形成可供网络传输的流媒体课件．在保证教学质量的前提下，该网络化教学体系有效地扩大了教学规模，实现了教学手段的优化和教学资源共享．     

迈克尔孙干涉仪干涉条纹的数学表达式

把迈克尔孙干涉仪的干涉条纹看成是两个虚点光源在空间的干涉与屏幕的交线，进行适当的坐标变换后推导出屏幕上干涉条纹的数学方程。对各种情形下干涉条纹的形状以及随反光镜移动而引起的干涉条纹的移动进行了讨论。     

Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots

Contactless electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n^ GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs).It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs,whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level.It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi Level at GaAs surface is due to the QDs,which are surrounded by some oxidized InAs facets,rather than the wetting layer.     

自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构.下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML.透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰.     

平面式一阶梯度计的设计和制备及其在无损检测上的应用

我们在10×10mm2的SrTiO3双晶基片上,设计并制备了YBCO双晶结dc-SQUID一阶平面式梯度计.其基线长度为5.5mm,该梯度计能够在无屏蔽环境下稳定的工作.在77K下,200Hz时,其磁通噪声为1×10-4Φ0/Hz,能够分辨的最小磁场梯度为94pT/m.我们将该器件作为磁传感器,可以利用涡流检测的原理对非磁金属进行无损检测.实验结果表明,可以很清楚地分辨出10mm以下的缺陷.同时,我们还研究了激励线圈的尺寸与空间分辨率的关系,结果表明若激励线圈足够大,则对于梯度计和缺陷而言感受到的是均匀磁场的激励,因此涡流的分布只与缺陷的形状有关,而空间分辨率取决于梯度计的基线长度和磁场分布.     

稀土硼氢化物研究——ⅩⅡ.含[B_(12)H_(12)]~(2-)、[B_(10)H_(10)]~(2-)及[B_(10)H_9NH_2COC_3H_7]~-的联吡啶氮氧化物稀土配合物

稀土十二氢十二硼酸与2,2′-联吡啶-N,N′-二氧化物反应,或稀土氯化物与2,2′-联吡啶N,N′-二氧化物及十硼十氢双四乙基铵或Et_4NB_(10)H_9NH_2COC_3H_7反应,制取八个新型稀土配合物。经元素分析、红外光谱、紫外光谱、摩尔电导测定及X射线衍射分析对配合物进行了表征。结果表明,2,2′-联吡啶N,N′-二氧化物以两个氧原子与稀土螯合。含[B_(10)H_9NH_2COC_3H_7]~-配合物中,它通过羰基氧与稀土配位。配合物热稳定次序为:[B_(12)H_(12)]~(2-)>[B_(10)H_9NH_2COC_3H_7]~->[B_(10)H_(10)]~(2-)配合物。     

CeCl_3-LiCl二元体系相图和CeCl_3-CaCl_2-LiCl三元体系液相限的研究

CaCl_2-LiCl和CeCl_3-CaCl_2二元体系的相图已有报道。这两个体系的相图都属于简单低共熔型。文献[1]报道的CaCl_2-LiCl的低共熔点为487℃(43.3wt％LiCl),该体系在439℃以下有复盐CaCl_2·LiCl存在。对于CeCl_3-CaCl_2二元体系相图,各文献报道的低共熔点组成相差较大,归纳大致有三种:625℃(57.5wt％CaCl_2);613℃(61.5wt％CaCl_2)和618℃(26.9wt％CaCl_2)。由于盐的熔点和盐的纯度及     

N元Stolarsky平均的凸性和几何凸性

讨论了n个正数的Stolarsky平均的S-凸性和S-几何凸性,证明了:n元Stolarsky平均在r>1时是S-凸的和S-几何凸的;在r<1时是S-凹的.作为推论,此文也比较了n个正数的Stolarsky平均和算术平均的大小.     

红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。