The temperature dependence of single-event transients in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFETs

This paper investigates the temperature dependence of single-event transients(SETs) in 90-nm complementary metat-oxide semiconductor(CMOS) dual-well and triple-well negative metal-oxide semiconductor field-effect transistors(NMOSFETs).Technology computer-aided design(TCAD) three-dimensional(3D) simulations show that the drain current pulse duration increases from 85 ps to 245 ps for triple-well but only increases from 65 ps to 98 ps for dual-well when the temperature increases from-55℃ to 125℃,which is closely correlated with the NMOSFET sources.This reveals that the pulse width increases with temperature in dual-well due to the weakening of the anti-amplification bipolar effect while increases with temperature in triple-well due to the enhancement of the bipolar amplification.     

一种数话同传的激光通信系统的实现

 针对传统通信模式易被干扰和保密性差的缺点,设计了一种可以同时传送语音和数据的无线激光通信系统。在保证语音不失真的前提下,采用AMBE语音压缩算法,将语音压缩到4 800 bit/s的数据率,和数据混合编码后驱动激光器发光;接收端接收激光后经光电转换、解码处理将语音和数据还原,通过2.5 km的通信试验,表明该系统具有传输距离远、语音清晰、数据稳定的特点,在未来的空对空、空对地、地对空、地对地通信中将得到广泛的应用。     

基于制造生态框架的知识模块演化动力机制研究

面向某一业务问题求解相关的一组知识及其相关情境资源的组合被称为知识模块, 知识模块的演化代表了业务解决能力的变化. 针对业务问题求解过程中知识模块的演化现象, 提出基于制造生态框架的知识模块演化的动力机制研究方法. 在多维度视角下构建知识模块演化的维度体系, 在演化维度体系的基础上引入生态势理论, 构建了知识模块生态系统演化的生态势分析框架模型. 并利用系统动力学方法与Vensim PLE软件对知识模块演化的生态势模型进行动力学建模与仿真, 研究知识模块演化的动力机制问题. 本文研究有益于丰富知识管理理论, 为企业知识管理实践提供参考.     

基于PMMA毛细管电泳芯片的多位点突变检测研究

利用基于激光诱导荧光(LIF)检测的芯片毛细管电泳平台,批量制作了低成本聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)芯片,通过修饰管道,优化有效分离距离、分离介质等条件,可在90s内完成DNA片段的分离检测,实现单碱基分离,并在此平台上成功地对遗传性耳聋三个常见突变位点实现分型检测,为这种低成本的PMMA芯片应用于分型相关的临床诊断领域奠定了基础。     

双波长数字全息相位解包裹方法研究

使用两个不同的波长分别记录数字全息图,分别由数值再现得到每个波长对应的包裹相位图,再求得两者的相位差得到等效波长的相位图,通过此双波长相位解包裹方法得到连续的相位分布以消除相位包裹。通过数值模拟研究了双波长相位解包裹方法,搭建了双波长数字全息实验系统,并利用660nm和671nm两个波长的激光对标准石英平片和平凹透镜进行了相衬成像。通过双波长相位解包裹方法得到了连续的相位分布,实验结果与数值模拟结果具有较好的一致性,证明了双波长相位解包裹方法的有效性。     

Influence of double A1N buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemical vapour deposition

<正>In this paper we report that the GaN thin film is grown by metal-organic chemical vapour deposition on a sapphire (0001) substrate with double AlN buffer layers.The buffer layer consists of a low-temperature(LT) AlN layer and a high-temperature(HT) AlN layer that are grown at 600℃and 1000℃,respectively.It is observed that the thickness of the LT-AlN layer drastically influences the quality of GaN thin film,and that the optimized 4.25-min-LT-AlN layer minimizes the dislocation density of GaN thin film.The reason for the improved properties is discussed in this paper.     

蓝宝石单晶纳米压痕蠕变性能研究

蓝宝石单晶的蠕变性能对结构失效行为有很大的影响.本文采用纳米压痕测试方法对蓝宝石单晶窗口材料的蠕变性能进行了测试与分析.分析表明,纳米压痕测试方法能够较为精确地测得蓝宝石单晶蠕变应力指数;不同的最大载荷对蓝宝石单晶的蠕变位移及蠕变应力指数没有明显的影响;蓝宝石单晶的蠕变位移及蠕变应力指数随着加载速率的减小分别减小和增大.     

基于离子束抛光的KDP晶体表面嵌入铁粉清洗研究

磁流变抛光技术是实现KDP晶体超精密加工的新方法,但磁流变液中的铁粉容易嵌入质软的KDP晶体表面.本文提出了利用基于低能离子溅射原理的离子束抛光技术去除KDP表面嵌入的铁粉.利用红外拉曼光谱和白光干涉仪分别分析了低能离子束抛光前后KDP晶体表面物质结构变化和表面粗糙度的变化;结果显示,低能离子束溅射不改变KDP晶体表面的组成结构,并改善了KDP晶体表面质量,因此离子束抛光可用于KDP晶体的加工;利用飞行时间二次离子质谱分析技术分别对单点金刚石车削、磁流变抛光和低能离子束抛光后的KDP晶体表面进行元素分析,结果显示低能离子束抛光可有效去除磁流变抛光在KDP晶体表面嵌入的铁粉.     

铜金属变温四端电阻实验仪

本文首次使用了数显温度可控的功率电阻作为铜金属丝的加热源,在实验中采用了双臂电桥、铜金属丝的四端电阻接线方式,不仅实现了铜金属丝的温度可控性和实时测量性,而且将铜金属温度系数的测量精度提高到3%以内.     

N′-苯氧乙酰基-N-呋喃-甲酰肼类化合物合成及其对害虫生长的抑制活性

经5-取代苯基-2-呋喃甲酰氯与取代苯氧乙酰肼反应,得到8种未见文献报道的昆虫生长调节剂N′-取代苯氧乙酰基-N-呋喃甲酰肼衍生物,其结构经IR、^1H NMR和元素分析测试技术得以确认。初步杀虫活性测定结果表明,标题化合物对蚜虫、螨虫有一定抑制作用。