用高效液相色谱法考察表面活性剂在油层中的色谱分离

强化采油中常用的表面活性剂石油磺酸盐在通过油层时会发生色谱分离作用,其完整性受到破坏,从而影响与原油界面的活性。采用高效液相色谱法（ＨＰＬＣ）,通过测定磺酸盐色谱分离因子,定量地描述石油磺酸盐在岩心多也介质的色谱分离程度。应用该方法可以考察影响色谱分离因子的因素,以优化化学驱油配方的设计。该方法具有灵敏度高、可靠、用量少等特点。     

3,5,6-三氯吡啶-2-醇钠的合成研究进展

综述了3,5,6-三氯吡啶-2-醇钠的合成方法,并比较了各种路线的利弊,重点介绍了三氯乙酰氯路线的合成方法.提出三氯乙酰氯路线的一步合成法具有更好的经济效益,适合国内大规模生产.     

单缩二氨基硫脲的微波合成及其抗菌活性

在微波辐射下,以良好的产率合成了9个未见文献报道的单缩二氨基硫脲化合物(1a～1i),其结构经1H NMR,IR.ESI～MS和元素分析表征.初步生物活性测试结果表明,1对大肠杆菌具有较好的抑制作用.     

喷墨打印构建碳纳米管薄膜晶体管及其电性能的研究

本文利用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3-噻二唑)](PFO-BT)、聚[N,N′-二(2-辛基十二烷基)-异靛蓝-共-(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)](PFIID)、聚[氮-(9-十七烷基)咔唑](PCZ)、聚[N,N′-二(2-辛基十二烷基)-异靛蓝-共-N-[1-(辛基壬基)-咔唑基-2,7-二基](PCZIID),尝试从本实验室用电弧放电法制备的单壁碳纳米管中分离纯化出高纯的半导体碳纳米管,并通过喷墨打印方式在氧化铪基体表面构建碳纳米管薄膜晶体管器件。研究表明这4种聚合物都能从自制单壁碳纳米管中选择性分离半导体碳纳米管,其中分子量和共轭单元更大的PCZ和PCZIID表现出更高的分离效率。通过对基底进行氧等离子体处理和优化打印工艺,得到了性能较好的印刷碳纳米管薄膜晶体管器件,器件的开关比为1.2×10~5~8×10~5,迁移率可达到5.3~6.8cm~2·V~(-1)·s~(-1)。表明自制的单壁碳纳米管可用于构建性能优越的印刷薄膜晶体管器件,还有望应用于高密度集成电路和新型显示所需的驱动电路等。     

Ca1-xPrxFeO3催化热解甘蔗渣木质素制备酚类化合物

采用溶胶-凝胶法合成了一系列镨掺杂的铁酸钙氧化物(Ca_1-xPr_xFeO₃, 简称CPF-x), 优化了其焙烧机制, 研究了其对甘蔗渣木质素(BL)的催化热解作用, 考察了其再生性能. 研究结果表明, CPF-x适宜的合成及焙烧参数分别为: x=0.5, 焙烧温度为800 ℃, 焙烧时间为6 h, 在该条件下得到的CPF-0.5-800-6呈立方晶相, 为疏松多孔结构; 掺杂Pr后, 其比表面积提高了近3倍. CPF-0.5-800-6对BL催化热解最佳工艺参数为: m(CPF-0.5-800-6)∶m(BL)=1∶3, 热解温度为650 ℃, 液相收率最大可达20.73%, 其中主要产物为紫丁香酚类、 苯酚类及愈创木酚类, 其总选择性为63.21%. 以CPF-0.5-800-6为催化剂, 紫丁香酚类化合物选择性由20.60%增大到29.59%, 实现了提高BL催化热解中某种单酚化合物的选择性. CPF-0.5-800-6经5次催化热解-再生循环反应后, 仍具有良好的反应活性和结构稳定性.     

纳米阵列的可控制备技术在实验教学中的开展

由于存在师资、设备等条件的限制,研究型实验教学通常难以开展。本文探究了基于纳米阵列可控制备的研究型实验教学。本文探究的纳米阵列可控制备设备要求低,实验步骤简单易行。首先通过改变实验条件,可以制得不同尺寸的纳米球。再利用制备好的纳米球,通过水/空气界面提取法得到周期性的纳米阵列。基于纳米阵列可控制备的研究型实验教学不仅使学生更加深刻理解纳米材料,激发学生的科研兴趣。     

概率因果模型结合改进遗传算法的核动力系统故障分析

将概率因果模型的似然函数作为遗传算法的适应函数,从而将复杂系统的故障诊断转化为最优问题,建立了一种将概率因果模型和遗传算法相结合的故障诊断方法,并利用改进算法与概率因果故障诊断模型对船用核动力装置进行故障诊断实例分析,分析结果对船用核动力装置故障诊断具有重要的指导意义,而改进遗传算法是进行船用核动力装置故障诊断有效而实用的方法。     

力学和数学中的“调和”释义1)

力学的教学过程中经常涉及``调和'这个概念,其与数学基础理论和力学应用紧密联系,了解该概念的本义与延伸,可以帮助学生更恰当准确地理解和掌握相关知识点。本文将力学学习过程中经常遇到的多个与``调和'有关的名词联系起来,给出了详细的解释,并示例应用,有助于相关知识点的教学活动。     

Characterization of 4H-SiC substrates and epilayers by Fourier transform infrared reflectance spectroscopy

The infrared reflectance spectra of both 4H–SiC substrates and epilayers are measured in a wave number range from 400 cm 1 to 4000 cm 1 using a Fourier-transform spectrometer. The thicknesses of the 4H–SiC epilayers and the electrical properties, including the free-carrier concentrations and the mobilities of both the 4H–SiC substrates and the epilayers, are characterized through full line-shape fitting analyses. The correlations of the theoretical spectral profiles with the 4H–SiC electrical properties in the 30 cm 1 –4000 cm 1 and 400 cm 1 –4000 cm 1 spectral regions are established by introducing a parameter defined as error quadratic sum. It is indicated that their correlations become stronger at a higher carrier concentration and in a wider spectral region (30 cm 1 –4000 cm 1 ). These results suggest that the infrared reflectance technique can be used to accurately determine the thicknesses of the epilayers and the carrier concentrations, and the mobilities of both lightly and heavily doped 4H–SiC wafers.