关于一个非线性三阶三点边值问题的正解存在性

An existence theorem of positive solution is established for a nonlinear third-order three-point boundary value problem. Here, we concentrated on the case that the nonlinear term is neither superlinear nor sublinear, and is not asymptotic at zero and infinity.     

一个半正Sturm-Liouville边值问题的n个解的存在性

通过构造与非线性项有关的辅助函数并考察这个辅助函数在有界集上的性质，对于Sturm-Liouville边值问题建立了几个解的存在性，其中非线性项是下有界的．同时，给出了正解和非平凡解的一个判别方法．主要工具是锥压缩与锥拉伸型的Krasnosel’skii不动点定理．     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系.     

脲和盐酸胍诱导的卵清溶菌酶分子去折叠过程中各稳定构象态的分布和过渡

以内源荧光光谱和荧光相图法研究了脲和盐酸胍诱导的卵清溶菌酶分子的去折叠过程,结果表明,当变性液中脲和盐酸胍的浓度分别约为4.0和3.0 mol/L时,卵清溶菌酶分子的去折叠过程均存在一个折叠中间态,这两个去折叠过程均符合"三态模型".在卵清溶菌酶分子"三态"去折叠过程的基础上,通过变性剂分子和卵清溶菌酶分子之间的缔合一...     

苏芸金杆菌蜡螟亚种(Bacillus thuringiensis subsp. galleriae)(H5ab)δ-内毒素基因的克隆和表达

本文通过分子杂交得到阳性克隆FG2,带有8.5kb的Barn HI和Sal I插入片段,经western blot分析表明此重组子表达了130kD和68kD的δ-内毒素蛋白,能与HD-1的δ-内毒素抗血清反应,同时对2—3龄的玉米螟进行了生物活性测定,证明有毒杀活力。本工作首次报道了苏芸金杆菌蜡螟亚种(H5ab)的δ-内毒素基因在大肠杆菌中的克隆和表达,同时为δ-内毒素基因在130Md质粒上的定位提供了直接证据。     

关于全连续映象的渐近不动点定理的推广

利用非线性全连续映象与线性全连续映象的关系讨论不动点的存在性往往是一种有效的方法。本文的目的在于利用 Ioffe 准扇代表单个线性全连续算子,考察某种“广义”渐近线性全连续映象的不动点的存在性。我们的工作推广了全连续映象的渐近不动点存在定理。     

GROWTH CHARACTERISTICS OF DIAMOND FILMS DEPOSITED ON Si AND W SUBSTRATES

Growth characteristics of diamond films synthesized by using a dc arc discharge plasma CVD were studied by means of XRD,SEM and reflection electron diffraction. The results showed that columnar growth of the diamond films was observed, the columns having an average diameter of about 15μm, with sharp and regular base edges. Diamond grains grows on the substrata were initially of uniform polygons. An interfacial transition layer of polycrystalline SiC was observed between the diamond film and Si substrate. Diamond grains grown during the early-stage on W substrate were also uniform, and an interfacial transition layer of polycrystalline WC was observed between the diamond film and the substrate.     

透明活动蒸汽机和电学万能教具台的制作

我们学校为了配合教学改革和满足部分中、小学教学的需要,一年来在党委的领导下,克服了技术差和工具设备简陋等困难,大胆地革新,创制了不少的新教具,透明活动蒸汽机(如图1)和电学万能教具台(如图2)就是其中之一。这两种教具制作简单,但用途和实验效果都很好。现将这两种教具的制作方法介绍如下,希同志们批评指教。     

分层掺B和吸附H2O碳纳米管的结构稳定性及电子场发射性能

运用基于第一性原理的密度泛函理论,系统研究了处于外电场中分层掺B并吸附不同数目H₂O碳纳米管体系的结构稳定性和电子场发射性能. 研究表明:第3层掺B并吸附5个H₂O的B₃CNT+5H₂O体系结构最稳定,管帽处Mulliken电荷最密集,尤其与单独掺B的B₃CNT和单独吸附H₂O的B₃CNT+5H₂O相比,其Fermi能级处态密度分别     

三阶常微分方程的某些非线性特征值问题的正解

研究了三阶常微分方程的某些非线性特征值问题. 通过考察非 线性项在有界集上的性质建立了这些问题的正解的存在性与多解性.