平面磁控溅射靶及其镀膜方法

研究合金薄膜材料,往往要求镀制一系列不同成分的合金膜. 本专利涉及一种可以连续调节合金膜成分的新型平面磁控溅射靶及其镀膜方法. 该靶对所镀膜层成分的调节是基于一种新的设计思想.这就是将平面磁控靶的跑道磁场分为左、右两个区段(见图1),并采用左、右两个电磁铁调节左、右区段的靶面磁场’使其相等或形成不同程度的强弱对比.当左、右区段分别安装A,B两种不同的纯金属靶材时(见图2),通过调节左、右电磁铁的励磁电流,即可获得不同成分的AB合金膜. 图3是这种新型平面磁控靶的结构示意图. 由于铁磁材料对磁场有屏蔽效应,当所采用的靶材…     

n维B—BBM方程和B—KdV方程的一类准确行波解

本文求出了n维BBM方程u_i+udivu-δ△u_i=0和n维B-BBM方程u_i+udivu-μ△u-δ△u_i=0的一类指数函数的有理分式形式的准确行波解.对n维B-BBM方程的这类行波解可分解为n维Burgers方程的某行波解与n维BBM方程的某行波解的线性组合.文中还对n维KdV方程u_i+udivu+δ=0和n维B-KdV方程u_i+udivu-μ△u+δ=0给出了类似的结论.     

线聚焦激光产生等离子体中的自聚焦成丝及喷流结构

在线状聚焦激光辐照平面靶及柱形细丝靶的实验中,我们首次观察到线聚焦激光在等离子体中分裂成丝与等离子体的小尺度喷流结构,这些现象有可能构成当今以激光产生的等离子体为放大介质的X射线激光实验研究中的一类应设法克服的障碍.     

有组态相互作用理论研究He原子的非谐振光致电离

本文用组态相互作用理论研究Ｈｅ原子的非谐振光致电离。本文详细分析双重激发自电离态，考察第一电离阈值附近的非谐振谱，计算非谐振区的ｅ－Ｈｅ＾＋，＾１＾，＾３Ｐ散射位相移动及来自ｌｓｎｓ＾１＾，＾３Ｓ的光致电离截面。本文计算结果与实验观测值及现有的理论结果相比较，相当符合。     

2P轨道不同标度对OH_2、CH_2分子几何构型和力常数计算的影响

本文在文献[1]的4—31G基集合的基础上,对O和C原子的2P轨道采用不同标度,并计算了OH_2、CH_2分子的几何构型和力常数,取得了比文献[1]更为与实验值相符合的结果。     

用高分辨双晶X-光荧光法研究含硫化合物的SK_α光谱及人发中硫的状态分析

本文用双晶X-射线荧光法研究了各种含硫化合物的SK_a线的特征,并测定了中国和日本居民(计66人)头发中硫的存在状态及各种状态的含量,结果表明头发中主要是S~(2-),含量在92%以上,其余是S~(6+)。还对12个人的黑发与白发进行了对照分析,黑发中S~(2-)的含量明显高于白发。     

准分子激光在YBa2Cu3O7—x靶面激励等离子体的角分布研究

用光学光谱分析仪测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向和径向分布，并由等离子发射谱的径向分布拟合得到等离子体中激发态粒子的角分布，结果表明激光等离子体呈现ｃｏｓθ分布，ｎ值范围为２．７８到７．６３，且随激光能量密度和背景氧压增大而增大，离子的ｎ值明显高于原子的ｎ值。     

A Kα线的化学位移与A离子价电子配置的关系

籍SCC-DV-Xα法,用[AlO_4]~(5-)和[AlO_6]~(9-)模型计算了Al离子的轨道占有率和配位数所引起的Al Kα线化学位移。这是基于下述考虑。对[AlO_(?)]~(?)基团,相对于中性自由Al原子的Al Kα线化学位移ΔE(m),可以用下式表示。ΔE(m)=(ΔE_(3p)+ΔE_3(?)+ΔE_(3d))+ΔE。其中,ΔE_3s、ΔE_3p和ΔE_3d分别为Al离子的3s、3p和3d电子数的变化所引起的AlKα线位移,ΔE_o为O离子电场不同所引起的位移。计算结果表明:(1)4配位Al离子的3p和3d电子数显著高于6配位Al。(2)配位数不同所产生的AlKα线位移主要取决于Al离子本身的电荷量及其价电子配置。而且,此位移主要是3p电子数的变化所引起。3d电子数的变化则导致Al Kα线向相反方向位移,并且其值甚小。