基于定位图像质心的内窥镜相对畸变率检测方法研究北大核心CSCD

在临床使用条件下,为提高内窥镜相对畸变率检测的准确性和效率,提出一种基于定位图像质心的相对畸变率自动检测方法。该方法对内窥镜拍摄的标准板图像进行灰度和二值化处理,结合Canny算子和三次样条插值法检测标准板上图形的亚像素边缘坐标,定位图像质心,确定过质心的最长和最短径向尺寸,从而计算相对畸变率。使用经溯源的标准板对此方法进行了验证,对3套临床在用内窥镜分别使用质心法、椭圆拟合法和人工测量法进行检测,结果显示,质心法和椭圆拟合法这2种图像处理方法的测量结果一致性较高,并且检测结果的准确度高于人工测量方法。     

水杨酸在羟基自由基检测中的应用

对近二十年来国内外有关水杨酸为捕捉剂的羟基自由基的测定方法,包括高效液相色谱法及其联用法、比色法、气相色谱法、气相色谱-质谱法、液相色谱-质谱法等进行了综述,引用文献25篇。     

基于水平集的闪光照相图像分割算法

针对Chan-Vese(CV)模型局部控制能力差的缺点,将基于区域的CV模型和分割曲线的局部信息结合起来,提出了一种新的水平集图像分割算法。该算法以CV法的分割曲线为初始曲线,以获得全局收敛性,在后继分割中引入分割曲线的局部信息,以提高模型对图像中微弱信号的分割能力。对闪光照相图像的数值实验表明,该算法噪声抵抗能力强,对初始轮廓位置不敏感,能实现对含细长拓扑结构和微小孔洞的弱边界闪光图像的自动分割。     

闪光照相系统成像重复性的测量

为了更直观利用照像图像信息考察照相系统的重复性,提出了利用等光程条件下的黑密度分布曲线对成像重复性进行测量的方法,通过两次成像的黑密度分布曲线的线性拟合参数来评估成像系统的成像重复性。实验测量了有无后锥条件下的闪光照相系统的重复性以及底片接收系统的成像重复性,实验结果表明:后锥的存在对成像重复性没有明显影响,底片接收时闪光照相系统的成像重复性约为5%,底片本身引入的成像重复误差约为1.6%。     

高功率激光多程放大器的三维反演方法

针对高功率激光多程放大的三维反演问题,提出了基于修正增益迭代算法结合输入输出积分能量曲线法和基于修正输入脉冲的正向迭代算法。利用这两种方法对有增益分布的四程放大进行数值模拟验证,计算结果表明这两种迭代算法都是有效可行的,都可得到输入脉冲时空分离的三维强度分布。计算所得输出脉冲与需求值基本相同,输出能量的相对偏差小于10~(-7),第一种方法功率波形的相对偏差小于1%,第二种方法功率波形的相对偏差小于10~(-6),很好地解决了由放大饱和效应引起的时空演化畸变。第一种方法主要依靠正逆模型的自洽性,相对直观;第二种迭代算法引入反馈因子,所得结果的精度较高、拓展性强。     

CeF_3:Tb的水热合成及发光性能研究

在水热条件下,以Ce(NO3)3,Tb(NO3)3和Na BF4为前驱体成功合成了Ce F3:Tb发光材料。X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)以及高分辨投射电镜(HRTEM)表征结果表明:所制备的Ce F3:Tb发光材料结晶良好,具有单分散六方片状形貌,颗粒尺寸分布范围为380~420 nm,平均粒径400 nm。光致发光性能(PL)测试表明:其激发光谱是由峰值位于250 nm左右的激发带组成,属于Ce3+4f能级到5d激发态不同晶体场劈裂组分的f-d允许跃迁;发射光谱是由Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)特征发射组成,其中以543 nm的5D4→7F5发射为主,表明Ce3+能够有效敏化Tb3+。     

苯基硫醚的合成及其衍生化性能

设计并合成了2,4-二硝基苯基硫醚(2a)和硝基苯基硫醚(2b),其结构经1H NMR和13C NMR表征。利用HPLC分别考察2a和2b与巯基[N-乙酰基半胱氨酸(NAC)为代表性巯基化合物]和其它亲核性基团[羟基(-OH),羧基(-CO2H)及氨基(-NH2)(色氨酸为代表化合物)]的反应活性。结果表明,2a对NAC的反应性明显高于2b;2a对-OH,-CO2H和-NH2均表现出明显的化学惰性。     

闪光照相条件下相对质量吸收系数的测量

X光穿透物质时符合指数衰减规律，原则上，给定闪光照相光源能谱以及照相物质已知的情况下，可以计算出透射X光的照射量，但事实上X光光源能谱测量十分困难，因此，实际上照射量的计算无法实现。所谓的“等效单能模型”就是将上述全能谱照射量等效成某一“单能”的照射量，在实际实验测量中经常需要的物理量是数种材料等效质量吸收系数的比值，称之为相对质量吸收系数，一般情况下，     

具有Uqp(U3)Uqp)(U2) Uqp(SO2)对称的双参数形变二维相互作用玻色子模型

构造了具有U_qp(U₃) U_qp(U₂) U_qp(SO₂)对称的双参数qp-形变二维相互作用玻色子模型(IBM),并给出了其能谱和跃迁矩阵元.结果表明,能谱和跃迁矩阵元极其敏感地依赖于第二个形变参数.