谈谈递归数列的通项

所谓递归数列是指:已知初项,而通项由一递归式给出。例如等差数列,等比数列是常见和初等的,前者是x_(n 1)=x_n d(d为公差),后者为x_(n 1)=αx_n(α为公比)。它们都是线性递归式的特例,其通项的表达式的求法是大家所熟     

读《权方和不等式及其应用》一文小议

读《权方和不等式及其应用》一文小议千溪本刊１９９４年第８期刊登了《权方和不等式及其应用》一文，（下称“权文”）文中称为权方和不等式，并给予证明，还讨论了若干应用例于．本文想对此作一些补充和议论．公式（＊）从表面上看似乎挺繁杂，但如果把它调整为而且熟悉...     

DC SQUID 中电感不对称性对I-V特性曲线的效应

DC SQUID的I-V曲线依赖于穿过它的外加磁通,在不同的给定磁通下DC SQUID具有一组I-V曲线.在某些有关DC SQUID的实验中,发现在两个不同给定磁通下,相应的两条I-V曲线不再象通常那样呈现准平行的特点,而是具有一个或几个交点.本文的计算表明,如果DC SQUID具有的电感不对称程度较为显著时,确实会出现上述实验现象.这是一种造成上述实验结果的可能解释.     

智能型落针粘度计

智能型落针粘度计沙振舜，张荫千（南京大学物理系）（南京通信工程学院）一、引言粘度是流体的重要物理性质，粘度的测量在许多领域日益受到重视．目前测量流体粘度的仪器不下２００种．在各类高校的物理实验室中，几乎都开设了液体粘度测量的实验，落球法因其特别简单而...     

有界随机媒质的等效介电常数

本文运用强扰动波动理论推导出半空间强扰动随机媒质的Dyson方程.在小尺度扰动下,给出了媒质的等效介电常数.在推导中考虑了空气-媒质分界面的影响.分析和计算结果表明:在媒质分界面处存在一过渡层,在该过渡层中,分界面对媒质的等效介电常数有较大影响,这在计算电磁波在有界随机媒质边界处的反射与折射时必须加以考虑.     

绵毛马兜铃“结晶K”(C_(15)H_(20)O_2)的分子及晶体结构

本文报导从绵毛马兜铃(Aristolochia Mollissima Hance)中提取的一种结晶体K,C_(15)H_(20)O_2的分子及晶体结构。晶体属于正交晶系,晶胞参数为:a=6.543(2),b=13.972(3),c=14.732(2),空间群为P2_12_12_1,Z=4,d_(cal)=1.15g/cm~3。结构模型由SHELXTL程序解出,经最小二乘修正,最后的一致性因子R=0.055。 结构测定表明,分子内存在一个10员二烯环和一个5员内酯环,它们共有一个碳—碳双键。5员内酯环呈平面构型,且与10员环的最小二乘平面相互垂直。     

关于微分的一点评注

我们知道,在用拉普拉斯变换的方法求解常微分方程的情况下,某些时候,我们往往要先对该微分方程进行微分运算之后再取其拉普拉     

超辐射式和腔式光泵氨分子 远红外激光特性比较

在对超辐射式和腔式光泵NH3分子远红外激光(NH3-OPFIRL)进行系统 深入地理论和实验研究的基础上,对这两类激光器的结构、特点、频谱特性及最佳工作参数 的差异进行了分析和比较,并给出了一系列有重要参考价值的理论结果和实验数据。     

基于ASIC芯片的硅微条阵列探测器多通道前端电子学模块设计

描述了为兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)外靶实验系统硅微条阵列探测器而设计的前端电子学模块。该模块采用专用ASIC芯片,可以处理96路能量信号。对前端电子学模块的性能进行了测试,结果表明,该模块在0.1～0.7 V范围内的积分非线性好于0.3%;其电子学分辨好于0.45%,最大串扰小于10%;通道一致性测试结果好于1.3%;在室温下连续工作24 h后,零点峰位最大漂移为1.48 m V。     

The effect of a HfO2 insulator on the improvement of breakdown voltage in field-plated GaN-based HEMT

A GaN/Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN high-electron mobility transistor utilizing a field plate (with a 0.3 μm overhang towards the drain and a 0.2 μm overhang towards the source) over a 165-nm sputtered HfO₂ insulator (HfO₂-FP-HEMT) is fabricated on a sapphire substrate. Compared with the conventional field-plated HEMT, which has the same geometric structure but uses a 60-nm SiN insulator beneath the field plate (SiN-FP-HEMT), the HfO₂-FP-HEMT exhibits a significant improvement of the breakdown voltage (up to 181 V) as well as a record field-plate efficiency (up to 276 V/μm). This is because the HfO₂ insulator can further improve the modulation of the field plate on the electric field distribution in the device channel, which is proved by the numerical simulation results. Based on the simulation results, a novel approach named the proportional design is proposed to predict the optimal dielectric thickness beneath the field plate. It can simplify the field-plated HEMT design significantly.