不同退火条件对纳米多孔氧化铝薄膜光致发光的影响

以草酸为电解液,采用二次阳极氧化法制备出了纳米多孔氧化铝薄膜,经不同退火温度和退火气氛处理氧化铝薄膜后,通过分析其光致发光光谱得出：相同的退火气氛中, 退火温度T≤600 ℃ 时,T=500 ℃具有最大的光致发光强度;退火温度T≥700 ℃时,随着退火温度的升高,样品的发光强度增大。在不同的退火气氛中,多孔氧化铝薄膜随着退火温度的升高,发光峰位改变不同,即在空气中退火处理后,随着退火温度的升高,发光峰位蓝移,而在真空中退火处理后,发光峰位并不随退火温度的升高而变化;通过对1 100 ℃高温退火处理后的氧化铝薄膜的光致发光曲线的高斯拟合,可以看出,经退火处理后的多孔氧化铝,主要存在三个发光中心,发光曲线在350～600 nm范围内对应三个发射峰, 发射波长分别为387,410,439 nm。相同的退火温度下,空气中退火得到的氧化铝薄膜的光致发光强度大于真空中退火处理后的氧化铝薄膜。基于实验结果,结合X射线色散能谱(EDS)、红外反射光谱等表征手段,探讨了多孔氧化铝薄膜的发光机制,并对经过不同退火条件得到的多孔氧化铝薄膜的光致发光特性的改变做出了合理的解释。     

Tandem organic light-emitting diode with molybdenum tri-oxide thin film interconnector layer

A 10-nm thickness molybdenum tri-oxide (MoO₃) thin film was used as the interconnector layer in tandem organic light-emitting devices (OLEDs). The tandem OLEDs with two identical emissive units consisting of N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine (NPB)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃) exhibited current efficiency-current density characteristics superior to the conventional single-unit devices. At 20 mA/cm², the current efficiency of the tandem OLEDs using the interconnector layers of MoO₃ thin film was about 4.0 cd/A, which is about twice of that of the corresponding conventional single-unit device (1.8 cd/A). The tandem OLED showed a higher power efficiency than the conventional single-unit device for luminance over 1200 cd/m². The experimental results demonstrated that a MoO₃ thin film with a proper thickness can be used as an effective interconnector layer in tandem OLEDs. Such an interconnector layer can be easily fabricated by simple thermal evaporation, greatly simplifying the device processing and fabrication processes required by previously reported interconnector layers. A possible explanation was proposed for the carrier generation of the MoO₃ interconnector layer.     

氧化铝薄膜的外逸电子蒙特卡洛模拟

本文利用蒙特卡洛方法模拟了氧化铝的外逸电子发射过程,即对外逸电子的产生,输运和逸出过程进行了蒙特卡洛模拟．对每个外逸电子刚离域时的初始能量和初始位置进行随机抽样,模拟跟踪了每个电子的运动轨迹和能量变化．最后得到了氧化铝在T=500K的能量谱,和不同温度下的平均能量分布图,为以后研究氧化铝的外逸电子发射提供了重要的理论依据．     

石墨烯氢氧化钴复合催化剂的一步合成及其对酸性橙的催化降解

用一步合成自组装法制备出了氢氧化钴与还原氧化石墨烯（Co（OH）₂/rGO）的复合催化剂,并将其用于水中染料的催化降解实验. 通过X射线衍射（XRD）,激光拉曼（Raman）光谱,透射电镜（TEM）,X射线能量色散谱（EDS）以及X射线光电子能谱（XPS）等一系列分析手段对催化剂的结构形貌进行了详细的表征,表征结果证实氢氧化钴很好地附着在还原石墨烯的表面. 最后初步考察了催化剂催化单过硫酸钾（PMS）降解酸性橙（AO7）的性能. 结果表明,催化剂显示出了高效的催化性能,酸性橙的色度可在12 min内完全去除,总有机碳（TOC）实验也表明染料降解的同时也可获得较高的矿化度. 循环稳定性实验表明在进行到第三次实验时,催化剂仍能保持高的催化活性,将酸性橙在16 min内降解完毕.     

过渡金属磷化物的制备与光/电催化的应用研究进展

过渡金属磷化物(TMPs)价廉易得,因其独特的结构特征具有丰富的活性位点、良好的导电性和结构稳定性,逐渐在催化领域引起了人们的广泛关注,被应用于有机物硫化、脱氢、电催化、光催化等方面.本文主要综述了过渡金属磷化物的结构特征、常用的制备方法以及在电催化和光催化方向应用的最新进展.     

手性螺旋聚合物的合成和结构控制

随着近些年研究的投入,越来越多的手性螺旋聚合物被合成出来并应用于手性分离和光电材料等领域,螺旋聚合物根据螺旋翻转壁垒的大小可以分为静态螺旋聚合物和动态螺旋聚合物.主要聚焦于手性聚异氰酸酯、手性聚异腈和手性聚乙炔三类手性螺旋聚合物的合成和结构控制,介绍手性单体聚合、螺旋选择性聚合、手性诱导和手性放大等几种手性螺旋聚合物的合成方法,同时也介绍了构象调控、聚合诱导自组装等光学活性螺旋聚合物的合成方法.     

综合性高分子化学实验设计：硬质聚氨酯泡沫材料制备与性能表征

针对传统“高分子化学实验”课程教学中,存在综合性、研究性实验项目少,不能支撑“新工科”人才实践和创新能力培养要求等问题,开发了硬质聚氨酯泡沫材料制备与性能表征综合实验项目。采用全水发泡体系,通过调节发泡剂和阻燃剂用量,制备了七组聚氨酯泡沫材料,然后采用国标方法表征了材料的表观密度、压缩强度和氧指数,分析了发泡剂和阻燃剂不同配比对泡沫材料性能的影响及原因。本实验贴近高分子产业发展,突出综合性和研究性,教学过程实现了基本实验技能与科学研究方法训练的有机结合,有助于提升高分子化学实验课程“创新性、高阶性和挑战度”,支撑“新工科”人才培养。     

基于Kolmogorov熵的系统协同效应度量方法及实证

度量协同度是协同学研究的核心和难点。通过分析现有协同度模型及其使用条件,发现基于协调发展思想的协同度模型在实际应用时有严格的限制条件,极大限制了其适用范围。基于协同效应思想,验证了Kolmogorov熵与系统协同度的关系,并构建了基于k熵的复杂系统协同度模型及量化方法。该方法考虑了序参量在系统某一时刻的发展趋势,能够在更大程度上反映系统的有序程度,弥补了现有研究的不足。最后,以中国2004~2015年各省份的科技金融系统为评价对象,对新的协同度模型与评价方法的应用范围进行了实证研究。分析发现,本模型不仅能够有效找到子系统的序参量,而且可以方便的计算系统协同度并以此描述系统发展对重大事件的反映。     

Distinctive distribution of defects in CdZnTe:In ingots and their effects on the photoelectric properties

Photoelectric properties of CdZnTe:In samples with distinctive defect distributions are investigated using various techniques. Samples cut from the head(T04) and tail(W02) regions of a crystal ingot show distinct differences in Te inclusion distribution. Obvious difference is not observed in Fourier transform infrared(FTIR) spectra, UV–Vis–NIR transmittance spectra, and Ⅰ–Ⅴ measurements. However, carrier mobility of the tip sample is higher than that of the tail according to the laser beam induced current(LBIC) measurements. Low temperature photoluminescence(PL) measurement presents sharp emission peaks of D~0 X and A~0 X, and relatively large peak of D~0 X(or A~0 X)/D_(complexfor) T04, indicating a better crystalline quality. Thermally stimulated current(TSC) spectrum shows higher density of shallow point defects, i.e.,Cd vacancies, In_(Cd)~+, etc., in W02 sample, which could be responsible for the deterioration of electron mobility.