表面形貌对GaAs生长速率测量的影响

本文利用Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)强度振荡测量GaAs同质外延生长,发现其生长速率随生长厚度按一定指数函数关系衰减.这种衰减与GaAs表面形貌的变化密切相关,表面台阶数量的增加使层状生长模式由2D成核模式逐渐转变为台阶流模式.由于RHEED强度振荡所测的生长速率与表面的粗糙程度密切相关,表面情况改变对生长速率会有一定的影响,导致测量的生长速率逐渐的衰减.根据生长速率随生长厚度的增加而衰减的拟合曲线,可以获得一个准确的生长速率.     

二层多目标最优化问题有效解集的稳定性

讨论了下层扰动参数,上层无扰动参数的二层非线性多目标最优化问题次（强）有效解集在半连续意义下的稳定性。     

一个和X级太阳耀斑相关的甚高能GLE事件

分析怀柔宇宙线EAS阵列在1991年6月份的计数率,数据表明在6月15日的太阳X12/3B级大耀斑后的GLE事件持续期间,TeV能区的宇宙线强度在25min内比通常有将近4a的超出,增强过程持续约25min.     

Effect of initial crystallization temperature and surface diffusion on formation of GaAs multiple concentric nanoring structures by droplet epitaxy

GaAs multiple concentric nano-ring structures(CNRs)are prepared with multistep crystallization procedures by droplets epitaxy on GaAs(001)to explore the influence of different initial crystallization temperatures on CNRs morphology.Atomic force microscope(AFM)images show that GaAs nanostructures are more likely to form elliptical rings due to diffusion anisotropy.Meanwhile,with the increase of initial crystallization temperature,the inner ring height and density of CNRs are increased,and outer rings are harder to form.In addition,the mechanism of formation of CNRs is discussed by classical nucleation theory and diffusion theory.The method can be used to calculate the diffusion activation energy of gallium atoms(0.7±0.1 eV)on the GaAs(001)surface conveniently.     

过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi2N4的第一性原理计算

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了W、Mn、V、Ti替位掺杂二维MoSi₂N₄后的几何结构、电子结构以及光学性质的变化.电子结构分析表明W、Mn、W、Ti替位掺杂二维MoSi₂N₄后的禁带宽度分别为1.806 e V、1.003 e V、1.218 e V和1.373 e V;四种过渡金属掺杂后MoSi₂N₄的带隙类型没有发生改变,均为间接带隙半导体;W掺杂后的杂质能级靠近价带顶,费米能级靠近价带顶,为p型半导体,杂质能级为受主能级;Mn掺杂后的杂质能级靠近导带底,费米能级靠近导带底,为n型半导体;V和Ti掺杂后杂质能级位于费米能级附近,为复合中心;光学性质分析表明,在2 e V～4 e V的能量区间内,W掺杂结构的吸收波长为336 nm,体系发生红移;Mn、V和Ti替位掺杂后的吸收波长分别为320 nm、358 nm和338 nm,且掺杂体系均发生蓝移.