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21.
22.
23.
绝对编码光栅的相位细分及其在位移测量中的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
提出通过光栅条纹相位的精密测量,获取光栅高精度位移信息的方法。具体方法是对光栅图像采用多码道设计,用CCD二维图像传感器获取测量段光栅图像多码道信息。对最低码道图形的周期函数序列进行傅里叶变换、基频滤波和逆傅里叶变换获得光栅截断相位分布,其余码道信息提供相位展开的级次,以此获得测量段光栅的绝对相位分布。用光刻的手段制作了实用的绝对编码光栅,基元码道的尺寸是:27.36μm用于明条纹,27.36μm用于暗条纹,最小基元码道空间周期为54.72μm,光栅长度为14008.32μm。在步长近似3μm的位移测试中,与比对的标准仪器记录值比较,标准偏差为0.2057μm,精度在亚微米量级。重复性实验表明,位置测试的稳定性为0.09μm(标准差),得到600倍以上细分的分辨力。 相似文献
24.
从热力学和动力学两个方面研究了旁侧序列对人端粒核心序列G3(T2AG3)3在钠离子溶液中所形成的Cr-quadruplex结构的影响.紫外吸收熔解实验表明G3(T2AG3)3一侧或两侧加上6个胸腺嘧啶核苷酸序列(T6)会明显降低G-quadruplex的相变温度(Tm).在3′端加上T6时Tm降低约5℃,在5′端加上T6时Tm降低约10℃,两侧同时加上T6时L降低16℃.采用表面等离子体共振(surface plasmon resonance,SPR)测定G-quadruplex折叠和去折叠动力学的结果表明旁侧序列的加入同时降低了折叠和去折叠的速率常数(kf,ku),使折叠平衡常数(KF)由9.01降至7.44.上述结果表明旁侧序列的存在降低了G-quadruplex结构的稳定性. 相似文献
25.
26.
讨论了一维非均匀介质中透射电磁波的拓幅和传播速度,当选z坐标轴沿介质连续变化的方向时,在一般入射角度下,介质内透射电磁波电场振幅的Etx和Ety与z坐标无关,仅Etx与z坐标有关,透射电磁波的群速和相速相等,都为1/√∈(z)μ(z),随z坐标变化。 相似文献
27.
采用溶胶凝胶法制备层状富锂Li1.2Cr0.4Mn0.4O2阴极材料.研究煅烧温度对阴极材料的结构,及电化学性能的影响.利用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X-射线光电子能谱(XPS)等方法对阴极材料的晶体结构、充放电过程中价态的变化、表观形貌、粒径大小等进行分析.结果表明850℃时煅烧后的阴极材料层状结构明显,电化学性能优良.以小放电速度进行恒流(10mA/g)充放电循环,首次放电比容量可以达到280mAh/g,经过40次循环后仍可以达到190mAh/g.研究发现在整个充放电过程中Mn始终保持 4价态,部分Cr作为活性离子价态在 6和 3之间可逆变化.Li1.2Cr0.4Mn0.4O2经过镀银后以大放电速度进行恒流(80mA/g)放电可以达到100mAh/g的比容量. 相似文献
28.
采用弧过滤离子沉积系统(arc filtered deposition,AFD)在纯硅表面制备铁纳米薄膜。研究了750℃下铁纳米薄膜在氢气氛围以及氨气氛围中重凝核的规律。研究表明,在氢气氛围中,铁纳米薄膜重凝核以后形成的铁纳米颗粒随薄膜的厚度增加以及保温时间的延长而增大;但在氨气氛围中,铁纳米薄膜重凝核后形成的纳米颗粒的尺寸随保温时间的变化更为复杂:在氨气作用的初始阶段,铁颗粒的尺寸随氨气作用时间的延长而逐渐变大,但一段时间以后,铁颗粒的尺寸又随氨气作用时间的延长而变小,直到铁颗粒平均直径达到一个最小值(大约在氨气介入后的12min),随后铁颗粒的尺寸又逐渐变大,并最终达到一稳定值。 相似文献
29.
利用套管法制备了Nb-Al七芯前驱体线材,并通过等温热处理的方式分别在700~1500℃对其进行热处理,研究了Nb-Al二元体系在其界面处的反应成相过程.研究发现700℃热处理的样品在其界面处只形成了NbAl3反应层;800~900℃热处理的样品界面处又形成一层Nb:Al≈1:1新反应层;随着热处理温度的增加到1000℃,界面处出现Nb2Al反应层,并随热处理温度的增加Nb2Al反应层的厚度增加;1400℃和1500℃热处理的样品中开始观察到了少量的Nb3Al相,磁性测量表明1400℃和1500℃条件下热处理样品的起始超导转变温度分别为14K和15.8K,说明套管法制备的Nb-Al前驱体线材在1400℃以上热处理可以获得Nb3Al超导相,但由于Nb3Al相中的Al含量偏离理想化学计量比,导致其超导转变温度偏低. 相似文献
30.
螺管线圈具有结构简单,材料利用率高等优点,是一种应用较为广泛的磁体结构.但单螺管线圈也具有漏磁较大,均匀度不高的缺点.针对螺管线圈的基本特征,包括磁场强度、磁场分布、磁体的内半径、磁体的漏磁等,本文利用数值计算的方法对高温超导螺管磁体结构进行了优化.在结构优化过程中,文中采用全局搜索能力较强的遗传算法和局部搜索能力较强的非线性规划算法相结合的非线性遗传算法进行优化,使超导磁体在满足一定约束条件的情况下达到最少的超导带材用量,以节约磁体的制造成本.同时比较分析了结构优化前后超导磁体的DSV(diameter spherical volume)区域的均匀度和杂散场分布. 相似文献