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91.
在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te(IV)显色反… 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶(CPC)存在下,pH4.8的HOAc-NaOAc缓冲介质中,Te(IV)与过量的水杨基荧光酮(SAF)形成1:4的稳定佤合物,其最大吸收波长为534nm,表现摩尔吸光系数为1.47×10^5,Te(Ⅳ)浓度在0~8μm/25ml范围内遵守比耳定律,建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法,获得了满意的结果。 相似文献
92.
席德明先生在物理通报1956年第10期发表的‘关于“二极管和整流作用”的补充’一文中写道“由于C已经被充电至E_m,这时,它将通过负载电阻R_放电”。认为二极管不能通电的时间开始于e_1=e_=E_m即t=π/2时,是错误的。因为二极管断电的时间是t_0(如图1),t_0>π/2。而二极管不通电时的等效电路中C开始放电的电压很明显不是E_m,而是E_0。这是因为输入电压e_1(或e_2)经过E_m后是沿正弦曲线下降的,而电容两端电压e_0达到E_m后是沿指数曲线下降的。后者比前者快,用数学式子比较t=π/2时二者的斜率即知: 相似文献
93.
我们曾经相继报导了(RO)_2P(S)SH类型化合物的R=Et,i-P_r两种化合物的旋转异构现象的红外及拉曼光谱的研究结果,本文将继续报导同系物R=Me的FT-IR研究结果。标题化合物按文献方法制备及提纯处理。样品的常温及低温光谱是在Nicofet5DX型FT-IR光谱仪上记录的,使用液氮作低温冷却剂。在不同温度下记录的P=S伸展振动带用计算机程序进行分峰处理,结果表明,P=S谱带仍由4个不同频率组成,这四个频率依次为671,661,655和649cm~(-1),它们对应于四个构象不同的旋转异构体。我们得到的结果是,第一,在室温到-80℃范围内,这四个异构体的P=S谱带的相对面积(S%)与温度之间的关系表明,异构体(1)与(2),(3)与(4)之间分别存在着对应相互转化关系,即异构体(1)的含量减少时,(2)便相应增加,反之亦然。(3)与(4)之间也有类似的现象。第二,O~-—R~-基的局部偶极场对P=S键的作用是一种引力场,因此构象(1)对应于四个频率中最高的671cm~(-1)带,构象(4)则对应于最低的频率649cm~(-1)。第三,由于存在S—H……S=P内氢键,因此S—H基的空间取向一旦形成,便不易改变,只有—OR基可绕O—P键旋转,所以存在异构体(1)与(2),(3)与(4)之间的相互转化关系。 相似文献
94.
分析了配制传统模拟海市蜃楼溶液的方法的不足,提出了新的配制溶液的方案,推导出了所配制的溶液浓度梯度随高度的分布公式,从而使实验过程中配液的时间大大缩短,实验现象更加明显,提高了实验的成功率. 相似文献
95.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor 下载免费PDF全文
With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
96.
Evaluation of Optical Properties of Self-Frequency-Doubling Crystal Yb:GdYAl3(BO3)4 for Laser Applications 下载免费PDF全文
Yb:GdYAl3 (B03)4 (Yb:GdYAB) is investigated as a new laser crystal for potential applications in self-frequency doubling. The emission and absorption properties of Yb:GdYAB crystal are studied, and the emission decay times of the upper laser level are measured. The emission cross sections are evaluated using the absorption cross section and principle of reciprocity. The other laser performance parameters, such as the minimum inversion fraction βmin, pump saturation intensity Isat and minimum pump intensity 1rain, are also calculated. The results are discussed in the framework of requirements for an effective diode-pumped Yb^3+ laser system. Yb:GdYAB is expected to exhibit the most useful laser properties and to be superior to Yb:YAB crystal that has been excellent self-frequency-doubling crystal at present in many key spectroscopic parameter values. 相似文献
97.
98.
我厂大型机床BQ2020六米龙门刨床的导轨两次严重拉伤。第一次于1981年2月,拉伤断续总长5.910mm,最宽处20mm,最深处1.35mm。第二次于1983年8月,在其它部位又发生拉伤,断续总长3400mm,最宽处20mm,最深处2mm。两次都用AR-5耐磨胶粘补,并经刮研后使用。但这样严重的拉伤很可能使机床报废,给国家带来重大损失。因此在1984年底对该机床导轨进行了专门修理。 相似文献
99.
应用离散变分Xa量子化学计算方法,研究了IrSb3,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmGe3Sb9三个skutterudites的组成、结构、化学键和热电性能之间的关系。对Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9,用多个模型研究了稀土元素振动的结构。计算结果表明,稀土原子靠近Ge原子的模型比靠近Sb原子的模型更为稳定,热导率也较低。Ir4NdGe3Sb9的共价键比Ir4SmGe3Sb9弱,Ir4NdGe3Sb9和Ir4SmCe3Sb9的共价键又比IrSb3弱,与热导率的实验测量结果一致。 相似文献
100.