无机介孔固体制备及其在纳米科技中的应用

由于量子限域和介电限域效应，固体纳米结构具有显著异于体相的量子特性，无机介孔固体作为周期性纳米结构的载 近年来备受注目，。本文综述了无机介孔固体的制备、表征、及其在纳米微结构设计中的应用，对最近的进展包括其在光子学、光电子学领域的材料设计、功能和应用进行了系统的分析。     

目标捕获指示瞄准具／飞行员夜视传感器

目标捕获指示瞄准具／飞行员夜视传感器目标捕获指示瞄准具／飞行员视视传感器（ＴＡＤＳ／ＰＮＶＳ）是两个独立工作的系统，它装在美陆军ＡＨ－６４Ａｐａｃｈｅ攻击直升机上，使其能在白天、夜间及恶劣气候条件下进行远距离作战。ＴＡＤＳ可使射手用直视光学系统、电视...     

准分子激光学术研讨会在哈尔滨举行

由国家高技术410准分子激光课题专家组主持的首次全国准分子激光及其在ICF中的应用研讨会于1992年9月7日至10日在哈尔滨举行。来自北京、上海、西安、成都、大连、哈尔滨的40多位专家、学者、青年科技工作者参加了研讨会。会议主席由该课题专家组组长单玉生担任。著名核物理学家王淦昌教授向大会发了贺信,中国原子能科学研究院科技委主任、410主题专家组成员王乃彦     

稀土配合物[Pr(C3H7NO2)2(C3H4N2)(H2O)](ClO4)3的标准生成焓及热分解动力学研究

合成了高氯酸镨和咪唑(C₃H₄N₂), DL-α-丙氨酸(C₃H₇NO₂)混配配合物晶体. 经傅立叶变换红外光谱、化学分析和元素分析确定其组成为[Pr(C₃H₇NO₂)₂(C₃H₄N₂)(H₂O)](ClO₄)₃. 使用具有恒温环境的溶解-反应量热计, 以2.0 mol•L^－1 HCl为量热溶剂, 在T＝(298.150±0.001) K时测定出化学反应PrCl₃•6H₂O(s)＋2C₃H₇NO₂(s)＋C₃H₄N₂(s)＋3NaClO₄(s)＝[Pr(C₃H₇NO₂)₂(C₃H₄N₂)(H₂O)](ClO₄)₃(s)＋3NaCl(s)＋5H₂O(1)的标准摩尔反应焓为Δ_rH_m^ө＝(39.26±0.11) kJ•mol^－1. 根据盖斯定律, 计算出配合物的标准摩尔生成焓为Δ_fH_m^ө{[Pr(C₃H₇NO₂)₂(C₃H₄N₂)(H₂O)](ClO₄)₃(s), 298.150 K}＝(－2424.2±3.3) kJ•mol^－1. 采用TG-DTG技术研究了配合物在流动高纯氮气(99.99%)气氛中的非等温热分解动力学, 运用微分法(Achar-Brindley-sharp和Kissinger法)和积分法(Satava-Sestak和Coats-Redfern法)对非等温动力学数据进行分析, 求得分解反应的表观活化能E＝108.9 kJ•mol^－1, 动力学方程式为dα/dt＝2(5.90×10⁸/3)(1－α)[－ln(1－α)]^－1exp(－108.9×10³/RT).     

双向电堆积与毛细管电泳联用对茶叶中咖啡酸及没食子酸的测定

采用在线双向电堆积与毛细管电泳联用技术测定茶叶中的有机酸离子。用砂芯取代盐桥隔离缓冲液与电极液,制成集成的双向电堆积装置,并用计算机程序控制分析过程。考察了电堆积时间、电堆积电压和样液体积等因素对富集倍数的影响。在优化的条件下,咖啡酸和没食子酸的富集倍数分别为24和20,检出限分别为0.4、0.2 mg/L。咖啡酸和没食子酸的线性范围分别为1.2~800 mg/L和0.8~800 mg/L。方法已应用于茶样中两种酸的测定,回收率为99%~109%。     

果糖二丙酮的结构全归属

2,3：4,5-双-O-（1-甲基亚乙基）-β-D-吡喃果糖又称为果糖二丙酮（diacetonefructose）,是一类重要的药物合成中间体,它是抗癫痫药物托吡酯中的母体部分,在药物合成中具有重要的作用.果糖二丙酮结构中含有手性碳原子,核磁共振（NMR）谱图较为复杂,本文首先应用¹H NMR、¹³C NMR、DEPT135、¹H-¹³C HMBC、¹H-¹³C HSQC、¹H-¹H COSY和NOESY实验对果糖二丙酮的¹H和¹³C NMR信号进行了指认归属,确定了其空间构型.然后,利用计算化学的方法对其结构进行了模拟,进一步佐证了该构型的正确性.     

应变作用下EuTiO3材料磁性的格林函数理论研究

基于自旋波和格林函数理论,研究了低温下二维应变诱导的EuTiO3在铁电四方相下的磁性性质,主要讨论了在铁电四方相下Eu离子在铁磁性和反铁磁性有序时系统沿不同高对称性方向的自旋波散射和磁化。我们发现施加外加应变不仅可改变晶格结构的对称性,还可以通过改变电子自旋之间的交换耦合作用,进而改变该材料的磁性散射和磁化等。     

Ni/Au/n-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型

可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调:1)位于位错中心的深能级受主态(主要Ga空位)电离后库仑势较高,理论上对泄漏电流没有贡献; 2)位错周围的高浓度浅能级施主态电离后能形成势垒高度较低的薄表面耗尽层,可引发显著隧穿电流,成为主要漏电通道;3)并非传统N空位,认为O替代N所形成的浅能级施主缺陷应是引发漏电的主要电学态,其热激活能约为47.5 meV.本工作亦有助于理解其他GaN器件的电流输运和电学退化行为.     

应变作用下EuTiO_3材料磁性的格林函数理论研究

基于自旋波和格林函数理论,研究了低温下二维应变诱导的EuTiO_3在铁电四方相下的磁性性质,主要讨论了在铁电四方相下Eu离子在铁磁性和反铁磁性有序时系统沿不同高对称性方向的自旋波散射和磁化.我们发现施加外加应变不仅可改变晶格结构的对称性,还可以通过改变电子自旋之间的交换耦合作用,进而改变该材料的磁性散射和磁化等.     

Approximated Vector Diffraction Theory for Readout Signal of Multi-Level Run-Length-Limited Discs

Multi-level run-length-limited read-only optical storage is a kind of high density storage method. The width and height of recording marks are varied with different levels, which is the key technology for the optical storage. Then the readout signal of these discs with complex recording marks is computed by vector analysis method, it is very hard and time-consuming. Approximated vector computation combines the convenience of scalar method and precision of vector method, which is effective for multi-level run-length-limited read-only optical storage.