基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响

利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、纳米硬度仪等表征技术,研究了基片温度对SiNx薄膜结晶状态、晶粒尺寸、晶体取向等结晶性能以及薄膜的生长速率、硬度等机械性能的影响,并探讨了薄膜结晶性能与机械性能之间的关系.研究结果表明,在基片温度低于300℃时制备的SiNx薄膜以非晶状态存在,硬度值仅为18 GPa左右;基片温度在320-620℃范围内,SiNx薄膜中出现纳米晶粒,且晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为620℃时达到最大,为20±1.5 nm;当沉积温度为700℃时,SiN<,x>薄膜的晶粒尺寸突然减小,但由于此时晶粒密度为最大,因此薄膜硬度达到最大值(36.7 GPa).     

导模法(EFG)生长大尺寸厚壁管状蓝宝石单晶

采用自行设计的导模法蓝宝石长晶装备,通过优化模具设计和长晶工艺,成功生长了内/外径分别为31/58 mm和50/65 mm,长度超过300 mm的大尺寸厚壁蓝宝石单晶圆管,无开裂多晶,无肉眼可见气泡,晶体质量优良.     

扬州市肺癌发病风险因素的Logistic回归分析

取扬州市中医院2010年1月-2013年12月住院治疗的肺癌患者,共425例,对照组为同期来院体检或探视病人的家属,共425例,采用自行设计的问卷进行调查,并使用Logistic回归分析来进行统计,分析扬州市肺癌病人发病的风险因素。结果表明,肺部疾病对肺癌发病率的影响最大,然后依次是内向忧郁的不良情绪,吸烟因素,患有高血压疾病;经常食用新鲜蔬菜瓜果则是肺癌的保护性因素.给出建议:应培养乐观积极的心态,大力提倡健康的生活方式,多吃新鲜蔬果,适当进行一些体育锻炼,加强控烟力度,防治慢性病.     

尼龙1010应力松弛行为研究

尼龙1010样品在初始应变为1%、2.8%和5.1%的条件下,在不同的恒温环境中分别进行不少于10 h的应力松弛实验,得到20~80℃范围的应力松弛曲线.研究了不同应力、温度下的应力松弛速率、松弛过程的残余应力、活化体积以及相关参数的数学关系.结果表明,尼龙样品在松弛过程中存在一定的形变残余应力,体系存在恒定的长时模量.不同初始应变的尼龙样品松弛过程表现出相似的规律,当松弛速率-d(σ/σ0)/dlnt达到最大值后,在一段时间内聚合物内部活化单元发生松弛,-dσ/dt与作用于样品的有效应力σ*为指数关系.随着松弛过程的进行,应力减小到一定程度后,活化体积V逐渐增加,此时独立的活化单元运动受到限制,聚合物内部依靠多个活化单元的协同运动将内应力逐渐松弛,应力辅助功Vσ*为常数,-dσ/dt与σ*满足幂律关系,幂指数为σ*V/(k T).     

石英音叉温度频率特性的温度传感器（英）

提出了一种基于石英晶体温度频率特性的石英音叉微谐振式温度传感器。通过理论分析的方法对传感器进行设计,并采用有限元仿真对传感器的结构参数进行优化。采用光刻和蚀刻微加工技术制造石英音叉谐振器,对石英音叉温度传感器样机的频率温度特性进行实验研究。实验结果表明:石英音叉温度传感器的标准谐振频率为36.545 kHz,灵敏度为-1.9 Hz/℃,在-20到100 ℃的温度范围内,其非线性误差小于0.18%,迟滞为0.02%,与理论研究相吻合。该传感器具有高精度、高灵敏度、低功耗和低成本的特点,为高性能温度测量提供较好的解决方案。     

铌酸钾锂晶体的光谱性质和二次谐波产生

铌酸钾锂（ＫＬＮ）晶体是一种能对近红外半导体激光进行倍频获得蓝光输出的非线性光学晶体,是人们感兴趣的一种非线性光学材料［１］。曾用多种生长技术生长了ＫＬＮ晶体,并对其倍频性能作过报道［１,２］。本文报道用电阻加热引上法从高Ｌｉ２Ｏ含量的熔体中生长的Ｋ...     

温梯法生长的Ti:Al2O3晶体的光谱分析

本文研究了不同掺Ti^3＋浓度对温梯法生长的Ti：Al2O3晶体吸收光谱、荧光光谱和X射线衍射光谱的影响。根据吸收光谱提出了一个色心模型。对比了样品各处420nm荧光谱，发现掺Ti^3＋浓度越大，该处荧光强度越弱，同时解释了420肿处荧光峰的起源。对比了样品各处720nm处的荧光谱，发现掺Ti^3＋浓度越大，该处荧光强度越强。X射线衍射谱（XRD）表明，衍射峰强度随掺Ti^3＋浓度的增大而逐渐增强。     

化学教师的得力助手--ACD/ChemSketch1.0化学软件介绍

在个人电脑如此普及的今天,文字编辑早就告别了纸与笔,进入了电脑时代,用上了Office等文字编辑软件。各种数学公式用Word中的公式编辑器也可非常方便地输入。可如果要在文章中用到分子结构式、化学方程式,便遇到了难题一没有专业绘制分子结构式的软件。但是作为一个化学教师,日常要写教案、出题都要画结构式,很多教师只好用Windows里的画笔一点一点画出分子结构式,不但不美观,而且非常麻烦。     

超宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶生长突破2英寸

<正>氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上,并且可以采用熔体法生长大尺寸体单晶,因此β-Ga_2O_3已成为超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料之一。由于其在军事、能源、医疗、环境等领域的重要应用价值,近年来,氧化镓材料及器件的研究与应用成为当前美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重