化学发光法快速检测海洛因

酯酶为脱乙酰剂 ,促使海洛因分子水解生成吗啡。在 5 0 μmol/ L鲁米诺 ,2 .4 μmol/ L H2 O2 及 0 .4 mol/ LNa2 CO3 (p H9— 11)条件下 ,吗啡 -鲁米诺 -过氧化体系具有较高的发光强度。 EDTA作为掩蔽剂可对部分阳离子的干扰予以掩蔽 ,化学发光法快速检测海洛因 ,该法检测速度快、灵敏度高 ,检出限为3× 10 -9mol/ L。     

沙粒粒径和外电位对黄铜腐蚀磨损的影响

利用自制旋转圆盘式空蚀与冲蚀联合作用试验装置,在质量分数为3.5%的Na Cl溶液中试验研究了沙粒粒径和外电位对黄铜腐蚀磨损行为的影响.结果表明:在相同质量分数下,沙粒粒径对黄铜腐蚀性能的影响较小;但黄铜冲刷腐蚀的主要失重方式受沙粒粒径和外电位影响,沙粒粒径较小时,黄铜的流失形式为磨损腐蚀,沙粒粒径较大时,流失形式随外加电位正移由磨损腐蚀转变为磨损.在黄铜冲刷腐蚀中,腐蚀磨损交互作用是引起黄铜流失的主要原因,且以腐蚀对磨损的促进作用更为显著,同时随沙粒粒径的增加及外电位正移,腐蚀磨损交互作用更加突出;基于腐蚀磨损失重率、沙粒尺寸和外电位的冲腐蚀材料流失图表明:在低电位条件下,沙粒粒径对腐蚀磨损总失重率的影响较小,在高外电位条件下,腐蚀磨损总失重率随沙粒粒径的增加急剧增加.     

金纳米颗粒@碳微球的制备及其电化学检测汞离子性能研究

本文研究了金纳米颗粒@碳微球(Au@CMSs)的制备及水环境中汞离子在该材料上的电化学行为. 实验结果表明,在0.1mol•L^-1 pH = 5.0的NaAc-HAc缓冲溶液中,采用方波伏安法测定汞离子,其浓度与氧化峰电流强度线性良好,相关系数为0.997,检出限为3.69 × 10^-8 mol•L^-1（3σ方法）.     

Highly Strained Si Films with Ultra-low Dislocation Density Grown on Virtual Substrates of Thin Thickness

By using compositionally graded SiGe films as virtual substrates, tensile strained Si films with the strain of 1.5% and the threading dislocation density less than 1.0 × 10^5 cm-2 are successfully grown in micron size windows by molecular beam epitaxy （MBE）. The thickness of the virtual substrates was only 33Onto. On the surface of the s-Si films no cross-hatched lines resulting from misfit dislocations could be observed. We attribute these results to the edge-induced strain relaxation of the epitaxial films in windows, and the patterned virtual substrates with compositionally graded SiGe films.     

基于色散器件的波束形成网络中的色散限制

利用强度—频率混合调制模型研究了基于色散器件的波束形成网络中色散导致的相位误差的变化规律.基于相位误差的分析,得到了0.5 ps延时精度下系统对最大色散值的限制,并指出存在最优的频率调制系数使系统色散容限最大;随着强度调制系数增大,频率调制系数的最优值也增大.     

非线性系统的一种图解分析方法及其在隧道二极管线路分析中的应用

本文提出了一个分析非线性系统瞬变过程的新计算方法。这个方法首先把非线性系统用非线性及线性的R,L,C线路元件等效。从等效线路选择适当变量,用线路分析法则写成特定形式的非线性微分方程组。然后在相平面上用我们提出的图解方法进行积分来求解方程。这方法具有下列优点:(1)可以从非线性元件的实验曲线直接求微分方程的解,不必先求出非线性函数的解析表示式;(2)计算方便,工具简单,分析过程的物理图象清楚;(3)有一定的精确度。应用这个方法分析了隧道二极管的几种基本运用线路。得出的计算结果与实验和用电子计算机计算的结果符     

“以形辅数”的解题途径

“以形辅数”的解题途径朱恩九（江苏省宜兴市徐舍中学２１４２４１）以形辅数中的“形”；或有形或无形．若有形，则可为图表与模型；若无形，则可另行构造或联想．因此以形辅数的途径大体有以下三种：１运用图形例１两个边长为ａ的正方形；其中一个正方形的顶点是另一个...     

25MeV/u 40Ar+natAg、209Bi反应中热核的温度和激发能测量

在25MeV/u ⁴⁰Ar+^natAg、²⁰⁹Bi反应中,用4个PPAC和11组望远镜完成了关联裂变碎片与发射轻粒子的符合测量,角关联描绘为两个被探测到碎片折叠角θ_ff的函数,线性动量转移〈LMT〉由测量到的角关联推出.将符合测量得到的对应于不同窗的后角轻带电粒子能谱用Maxwell分布来拟合其谱的后沿,经过一些修正,由能谱得到热核的初始温度T_int,在考虑反应Q值和预平衡发射的修正之后,可以得到不同窗所对应的激发能.实验结果表明,在⁴⁰Ar+^natAg、²⁰⁹Bi反应的中心碰撞中激发能分别为4.2、2.4MeV/u,而温度达6.1、5.5MeV,在半中心碰撞中激发能为3.5、1.9MeV/u,温度可达5.8、4.8MeV.     

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。