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电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础. 本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET 的16 个微分电容模型, 并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了所建模型的正确性. 同时对其中的关键性栅电容Cgg 与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究. 结果表明, 与体硅器件相比, 应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大, 随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变. 相似文献
982.
基于分层空时编码的多输入多输出技术是一种极具潜力的高速水声通信技术, 但要实现这种潜力需要复杂的空时信号处理方法, 以抵消来自水声信道的多径干扰和异步到达干扰, 以及叠加在接收端的各层信号之间的干扰. 对低复杂度的空时信号处理方案进行了研究, 提出了一种基于子信道传播时延排序的有序连续干扰抵消信号检测算法, 利用子信道间的传播时延差, 实现可使差错概率最小的最佳检测排序; 给出了利用信道估计, 以极低的计算量确定排序的方法, 从而可以大幅降低信号检测的计算复杂度. 采用低复杂度的单载波频域均衡来抵消水声信道中的码间干扰和异步到达干扰. 仿真结果表明, 基于时延排序的信号处理算法可以获得检测性能的改善, 而且性能增益在高数据率时更加显著. 研究结果表明, 采用有效的信号处理方法可使水声信道中造成信号检测干扰的传播时延成为改善系统性能的有利因素. 相似文献
983.
984.
985.
986.
987.
在水热条件下,以对苯二甲基二膦酸为有机配体,以4,4'-联吡啶为辅助配体,合成了具有二维层状结构的有机膦酸镍化合物.晶体属于单斜晶系,C2/c空间群.该化合物每个金属中心与4个氧原子和2个氮原子配位,金属中心Nil通过4,4'-联吡啶配体相连,形成一维链状结构,再由有机膦酸连接形成了二维层状结构.通过灼烧可以除去化合物... 相似文献
988.
989.
活性炭催化氧化脱除单质汞的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
模拟煤气的气氛,在硫化氢(H2S)和氧气(O2)存在条件下,对活性炭催化氧化吸附单质汞(Hg0)的性能进行了研究。结果表明,H2S和O2存在条件下,活性炭对Hg0的吸附能力明显提高。在180min内,H2S和O2共存气氛下,脱汞效率约为78%;只有H2S存在下,脱汞效率约为69%;没有H2S和O2气氛下活性炭脱汞效率快速下降为28%。随着吸附温度的升高,入口汞浓度的提高和吸附剂粒径的增大,活性炭的脱汞效率会随着下降。通过XRD表征表明,Hg0的吸附反应机理是Hg0在活性炭催化氧化下与H2S形成硫化汞(HgS),从而实现了Hg0的稳定化脱除。 相似文献
990.