坩埚下降法生长的LiNbO_3,Fe∶LiNbO_3,Zn∶Fe∶LiNbO_3单晶的吸收光谱特性

用紫外可见光谱 (UV/VisibleSpectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3 、Fe∶LiNbO3 ,以及Zn∶Fe∶LiN bO3 晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明 :LiNbO3 单晶沿晶体生长方向 ,其紫外吸收边向长波方向移动 ,且在 35 0～ 4 5 0nm波段的吸收也逐渐增大 ,这是由于Li的分凝与挥发 ,逐渐产生缺锂所造成的 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中观察到Fe2 + 离子在 4 80nm附近的特征吸收峰 ,并发现沿生长方向 ,Fe2 + 离子的浓度逐渐增加 ,这与提拉法生长得到的晶体不同 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中掺入质量分数为 1.7%ZnO后 ,吸收边位置发生蓝移 ,而掺杂质量分数达到 3.4 %时 ,观察到有红移现象。Fe2 + 离子在Zn∶Fe∶LiNbO3 单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数 1.7%ZnO的Fe∶LiNbO3 单晶中 ,Fe2 + 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数 3.4 %ZnO晶体中大 ,这是由于Zn2 + 抑制Fe2 + 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe2 + 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析     

Sb有序单晶纳米线阵列的制备

采用直流电沉积的方法在氧化铝模板（AAM）中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列. X射线衍射（XRD）证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜（TEM）显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40～50 nm,长径比大于1000.选区电子衍射（SAED）结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜（FE-SEM）显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100％.     

纳米Hg2Cl2/Al2O3有序阵列体系的制备和表征

纳米结构材料由于其独特的物理化学性质以及在微电子器件、光开关等方面的应用而备受关注. 多孔氧化铝由于具有孔径分布较窄、取向一致和孔密度高等优点而广泛用于模板制备纳米结构材料. 在多孔氧化铝中可以组装金属纳米粒子[1]、半导体纳米粒子[2]、导电高分子[3]以及碳纳米管[4]等.     

Er3+单掺和Er3+/Yb3+双掺铋硼酸盐玻璃的研究

用高温熔融法制备了Er^3 单掺和Er^3 /Yb^3 双掺铋硼酸盐玻璃样品，测量了上述玻璃样品的吸收光谱，荧光光谱，荧光寿命以及红外透过率。对高浓度掺杂Er^3 的铋硼酸盐玻璃中的浓度猝灭现象作出了解释。分析了Er^3 ／Yb^3 双掺铋硼酸盐玻璃样品中Yb^3 离子对Er^3 离子的敏化过程。研究发现Er^3 ／Yb^3 双掺铋硼酸盐玻璃在1．5～1．6μm波段有宽达81nm的荧光半峰全宽。实验还发现在熔制过程中通入氧气对其荧光寿命和红外透过率都有明显的提高。由于该玻璃材料表现出较好的物化性能。因此该材料可望成为宽带光纤放大器的适宜的基质材料。     

Sb_(1.95)Bi_(0.05)Sr_5Ca_(4.5)O_(14.5)晶体结构及其与掺Sb的Bi系超导氧化物相结构的关系

本文报道了应用助熔剂缓冷法,在 Bi-Sb-Sr-Ca-Cu-O 体系中培养出黄色透明单晶体.通过单晶 X 射线衍射分析,确定该晶体成分为 Sb_(1.95)Bi_(0.05)Sr_5Ca_(4.5)O_(14.5),空间群为 P_m、晶胞参数为 a=5.9000(9)(?) b=5.7738(5)(?),c=11.504(2)(?),β=90.14°.它是由畸变的钙钛矿亚单元堆砌而成,属氧缺陷化合物.本文还讨论了该相同掺 Sb 的 Bi 系超导氧化物中发现的 Bi_3SbSr_4Ca_4Pb_(1-x)Cu_xO_y 相结构的关系,探讨了不稳定的132K 超导相的可能起因.     

生长参数对碳纳米管阵列制备的影响

利用化学气相沉积法在沉积铁纳米颗粒的硅衬底上制备了垂直方向高度有序的碳纳米管阵列．扫描电子显微镜的观测发现，碳纳米管阵列的形貌受到若干生长参数的影响，包括催化剂颗粒大小、反应温度和反应气体的分压等．研究发现，当反应温度升高，或反应气体中碳源气体含量增加时，碳纳米管变粗、变短．当催化剂薄膜的厚度减小时，碳纳米管的直径随之减小而纳米管阵列的高度则先增后减，有一个最大值．这些结果表明，碳纳米管的直径和阵列的高度可通过选择合适的反应温度、匀胶机转速和反应气比率来调节．     

纳米Pd粉的热稳定性研究

采用化学液相合成法制备了纳米Pd,热稳定性研究表明,温度在773～523K内,样品的平均粒径d与退火温度T之间服从Arrhenius关系,且平均粒径与退火时间t之间满足经验公式d=ktn。纳米Pd的热稳定范围T≤250℃。计算得到纳米Pd颗粒生长的表观激活能为0.15eV,远比纳米复合材料的生长激活能小（约为1eV）。故纳米Pd颗粒-极易长大,热稳定范围非常窄。     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成(Y0.95Eu0.05)2O3纳米粉,用超临界干燥技术制备了n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体。结果表明,当Y3+∶　Eu3+=20∶　1,均相反应时间为4 h,且经680℃、 4 h灼烧热处理后得到的n-(Y0.95Eu0.05)2O3中, 光致发光强度最大（发光峰位于612 nm),以Si与 2Y摩尔比为1∶　7的n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体,经同样条件热处理后,光致发光强度达不到n-(Y0.95Eu0.05)2O3的红光发射强度,而且峰位出现红移（发光峰在616 nm）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

MnS纳米线阵列上MnS花状球的水热合成

通过水热处理的方法,在氧化铝模板表面生成的MnS纳米线阵列上合成了六方相MnS花状球。利用场发射扫描电镜,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和X射线衍射对制备的样品进行了分析与表征。结果表明MnS花状球是在MnS纳米线阵列上生长的,纳米线的直径为70～80nm,与氧化铝模板的孔径一致且结晶性较好。随着阳极氧化氧化铝模板(AAO)的孔洞长度的减少,MnS花状球的数量快速增加。提出了MnS复合纳米结构可能的生长机制:氧化铝模板和反应中硫脲分解产生的H2S气体对产物的最终形貌有很重要的影响。室温光致发光光谱显示在420nm处存在一个很强的MnS带边发射峰。