载有电流的超导膜的能隙和临界电流

利用文献所导出的补偿方程和电流方程,计算了一个载有电流的超导膜的能隙,给出了它和电流的依赖关系。所得到的结果适用于所有的温度,但电流数值要比较小。在温度接近T_c的范围内,本文还对超导膜的临界电流问题进行了讨论。文中指出,非局域效应对于比较厚的超导膜的临界电流是重要的,但是对于比较薄的超导膜是不重要的。     

急冷Al-Si合金负磁阻效应的一个可能解释

管惟炎等人观察到的Al-Si急冷合金的负磁阻效应,实际上就是以R-H_e曲线的形式表示出来的第二类超导膜的纵场峰值效应。在磁通线切割模型基础上,对这个效应提出了一个可能的解释。 关键词：     

在强磁场中金属薄膜的超导电理论(Ⅰ)

本文研究了在接近转变温度T_c的区域内,超导薄膜在磁场中的性质。磁场是沿着超导膜的表面。在文章中,首先对Γорьков理论进行了分析,指出这个理论实际上是采用了局域近似,这个近似主要是隐含在他所采用的磁场中电子Green函数G_ω⁰(rr′)的表示式中。作者指出,Γорьков所采用的G_ω⁰(rr′)表示式对于本文研究的问题是不适用的,本文采用G_ω⁰(rr′)按矢势的微扰展开式。本文把Γорьков的补偿方程和电流方程推广到超导膜。对于d<δ₀(T)的膜,求出了这二个方程的解,得到超导薄膜的矢势、磁矩、能隙和临界电流的表达式,并研究了超导薄膜在磁场中的相变问题,求得超导薄膜的临界磁场。本文所得到的结果,对比较厚的膜(d?ξ₀)和ГЛ理论一致,而对比较薄的膜(d<ξ₀)和ГЛ理论有着显著不同(除了临界电流和超导膜在磁场中相变级数的判据外),二者的差异特别是表现在对厚度依赖关系上。由于本文所采用的近似,所得到的结果适用于δ₀(T)>d?d^*情形,其中2d^*=(1/(0.36)×ξ₀/p₀)^1/2,对于Sn,2d^*～10^-6cm。     

A型超导体的近似临界温度公式(Ⅱ)μ~*≠0情形

本文把作者在前一篇文章中对Eliashberg方程数值解进行的分析以及所得到的A型超导体的近似临界温度公式推广到μ~*≠0情形。     

金属薄膜的超导电性质

在本文中,我们指出,当超导膜的厚度足够小时,它的临界温度T_c、能隙△以及热力学性质都随着膜的厚度d的改变作周期性的变化,变化的幅度随着d的减少而增加。 关键词：     

关于一级近似Tc级数解的收敛问题

本文通过一个实例说明:μ^*=0时,一级近似T_c级数解的收敛半径既不是由z_ph=-∫₀^(ω_ph)dωg(ω)dω·ω²/(ω_ph²-ω²),也不是由z_ph=∫₀^(ω_ph)dωg(ω)dω·ω^{2< 关键词：}     

A型超导体的近似临界温度公式(Ⅰ)——μ*=0情形

本文用数值解方法从Eliashberg方程计算出超导临界温度T_c,并考察T_c对有效声子谱的依赖关系。在这个研究中,a²F(ω)被取为双δ函数谱,并允许其中的谱参数可以在很宽范围内改变。作者发现在λ<∧区域(即在T_c级数解的收敛圆外),T_c除了依赖λ和矩比外,还依赖T_c级数解的收敛半径倒数Λ;它们之间的关系是有规律的。在这些结果的启示下,本文在μ^*=0情形,用弥合数值解的方法得到一个适用于λ<Λ区域的T_c近似公式。接着,本文作者对吉光达和吴杭生的一篇文章进行了研究,指出:该文提出的超导体分类建议及其工作的主要结论是对的。但其中对决定A型超导体临界温度主要参量问题进行的分析,只适用于这样一些A型超导体,它们的收敛半径倒数Λ或者比λ₀小,或者虽比λ₀大、但λ又小于λ₀,其中λ₀是个依赖谱形状的参量,它的定义在正文中给出。对另一些A型超导体(λ₀<λ<Λ),决定T_c的主要参量不再是λ,而是δ=1/∧^0.5(ω_1/2/ω_log)^5.5λ^1.55。 关键词：     

Gd2CuO4的远红外反铁磁共振理论

提出一个适用于奈耳温度6.4K以下,Gd₂CuO₄的远红外反铁磁共振理论.理论预言的结果与Kaplan等的实验符合. 关键词：     

T_c级数解的收敛性质

本文证明了,当||相似文献