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采用带有半封闭式气体循环系统的100千瓦级直流电弧等离子体喷射CVD设备制备三组不同质量的金刚石膜,通过532 nm激光激发金刚石膜的拉曼光谱时,除1332 cm-1金刚石一阶拉曼峰外还出现了1420 cm-1宽峰,本文针对这一峰位的由来及分布进行研究。结果表明,增加或降低拉曼激发波长该峰为都不复存在,不符合材料的拉曼特征频移与激发波长无关这一原则,证明其并非本征拉曼峰;采用488 nm激发和514 nm激发时拉曼光谱分别出现了与1420 cm-1峰型一致的3125 cm-1和2060 cm-1峰,将拉曼频移转换为波长后发现,三个峰位都对应于波长575 nm(2.156e V);575 nm为金刚石膜荧光光谱中常见峰位,对应于氮杂质相关的[N-V]0中心,这表明含氮杂质金刚石膜采用532nm激发时产生的1420 cm-1峰是[N-V]0相关的氮杂质引起的荧光峰;采用532 nm对金刚石膜形核面和生长面的拉曼面扫描结果表明,[N-V]0相关的氮杂质存在于金刚石膜表面晶粒与晶界各处,并存在一定程度的偏聚。 相似文献
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The binding energy ofa biexciton in GaAs quantum-well wires is calculated variationally by use of a two-parameter trial wavefunction and a one-dimensional equivalent potential model. There is no artificial parameter added in our calculation. Our results agree fairly well with the previous results. It is found that the binding energies are closely correlative to the size of wire. The binding energy of biexcitons is smaller than that of neutral bound excitons in GaAs quantum-well wires when the dopant is located at the centre of the wires. 相似文献
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备选答案: (A)直线(B)椭圆(C)双曲线(D)圆(E)抛物线(F)线段的垂直平分线。 1.设复数“满呢条件: J二+zJ之·J:一}2二l, 2.设复数z满足条件: !:+5!一1:一5!二s; 3.设复数:满足条件: !二+31!+1一3f{闷o, 4.设复数:满足条件: !:“4一2不}二}二+3一5讨;5.设复数:满足条件,!二+3一石}匕幻6.设复数:满足条件:,.1:一}2+}:+1}“这;7.设复数二满足条件:}二乞{“9.1.(A),5.(D)梦3二(B),4.(F),了。(D)。 .。.幼自内h︸复数图形选择题@刘金龙!江西九江 ~~… 相似文献
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通过恒电压电沉积法在不同的碳纤维基体上原位制备NiCo层状双金属氢氧化物(NiCo-LDH)复合材料(NiCo-LDH/碳纤维布),该方法无需粘合剂,可以有效避免由于粘合剂的加入引起的导电性降低。在NiCo-LDH的层状晶体结构中,正电荷的主体层和层间电荷补偿阴离子可以促进电极材料之间的离子扩散,从而可高效利用活性位点。得益于NiCo-LDH折叠层状结构的特点,NiCo-LDH/碳纤维布具有出色的比电容(1 A·g-1时1387.5 F·g-1)。此外,以NiCo-LDH/碳纤维布作为正极,涂覆在泡沫镍表面的还原氧化石墨烯(rGO/NF)作为负极,组装而成的非对称超级电容器(ASC)具有极好的电化学性能。ASC在1 A·g-1时能量密度为26.6 Wh·kg-1,功率密度为850.4 W·kg-1,在最大功率密度为8500.3 W·kg-1时能量密度仍保持有14.9 Wh·kg-1。 相似文献
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FPGA(field programmable gate array)具有可重复编程、算法实现灵活等优势,以97单元变形镜为原型,提出基于FPGA的SPGD(stochastic parallel gradient descent algorithm)控制算法通用快速实现方案。采用TimeGen软件对SPGD算法进行时序分析,并采用Vivado软件分别对SPGD算法随机扰动电压生成、性能指标计算和控制电压的计算与输出进行FPGA配置和编程,将每个模块的计算结果与Matlab结果进行对比、分析。研究结果证明了该文所提方案的合理性和可行性,为下一步基于FPGA的SPGD算法硬件实现和应用提供基础。 相似文献
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Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOSFETs 下载免费PDF全文
By using the linear combination of bulk band (LCBB) method incorporated with the top of the barrier splitting (TBS) model, we present a comprehensive study on the quantum confinement effects and the source-to-drain tunneling in the ultra-scaled double-gate (DG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). A critical body thickness value of 5 nm is found, below which severe valley splittings among different X valleys for the occupied charge density and the current contributions occur in ultra-thin silicon body structures. It is also found that the tunneling current could be nearly 100% with an ultra-scaled channel length. Different from the previous simulation results, it is found that the source-to-drain tunneling could be effectively suppressed in the ultra-thin body thickness (2.0 nm and below) by the quantum confinement and the tunneling could be suppressed down to below 5% when the channel length approaches 16 nm regardless of the body thickness. 相似文献
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新型Ni/TiO_2催化剂用于对硝基苯酚催化加氢 总被引:3,自引:0,他引:3
以介孔氧化钛晶须为载体,采用等体积浸渍法制备了Ni/TiO2催化剂,通过扫描电镜、X射线衍射、N2吸附脱附、热重分析和程序升温还原技术对催化剂及其前驱体进行了表征,考察了催化剂中Ni含量及焙烧和还原温度对催化剂催化对硝基苯酚加氢反应性能的影响.结果表明,Ni/TiO2催化剂不仅具有晶须状形貌和高结晶度的锐钛晶型,还保持了高比表面积和介孔结构.随着Ni/TiO2催化剂中镍负载量的增加,对硝基苯酚转化率逐渐增加,当镍负载量超过10%时,催化剂活性和选择性没有明显变化.当镍负载量为10%,焙烧和还原温度分别为500和450 ℃时,Ni/TiO2催化剂的加氢活性最佳,是Raney Ni的4倍.该催化剂循环使用7次后未发现明显失活. 相似文献