一维六方准晶压电材料反平面Ⅲ型裂纹电塑性分析

论文基于一维六方准晶压电材料反平面问题的基本方程,对Ⅲ型裂纹的电塑性区进行分析.采用条带模型并假设在电塑性区的切应力保持为常数,得到了电塑性区大小的表达式.这种假设方式消除了电场和应力在裂纹尖端的奇异性,这与实际情况相符合,也为一维六方准晶压电材料的断裂分析提供了理论基础.     

ATP-Co~(2+)-脱氧胆酸-凝胶体系的分形/周期沉淀

在体外模拟胆结石形成的实验中,选取腺苷-5'-三磷酸(ATP)-金属离子-脱氧胆酸(DC)凝胶体系进行了分形/周期有序结构的生长实验,研究ATP对Co2+-脱氧胆酸凝胶体系形成的分形/周期沉淀的影响,用FTIR表征有序沉淀物的结构.结果表明:在ATP存在下的Co2+-DC凝胶体系中,可形成周期沉淀及分形结构共存的复杂时空图案,ATP对Co2+-脱氧胆酸凝胶体系形成的图案模式较AMP的影响显著,体系的图案从分形模式转化为周期沉淀,ATP、脱氧胆酸钠、Co2+-存在复杂的相互作用,生成透明晶体新物质;红外光谱结果显示该晶体为脱氧胆酸,周期沉淀物为ATP、DC共同与金属离子配位的结果.此结果说明核苷酸作为重要的生命物质在结石形成过程中起到重要作用,结石的形成具有复杂的、非线性化学特性.     

外源一氧化氦对镉胁迫下番茄幼苗叶绿体保护作用的光谱学分析

镉(Cd)是重要的重金属污染源,一氧化氮(NO)是近年来发现的一种普遍存在于生物界的信使分子,研究表明其参与了植物对CA胁迫的应答反应调控.文章用硝普纳(SNP)作为NO供体,向番茄幼苗喷洒100 mol·L-1SNP 1 d后加入50 mol·L-1Ca处理7 d,取完全展开叶片,提取叶绿体进行光谱学研究,分别测定了叶绿体室温吸收光谱、叶绿体低温荧光光谱和DCPIP电子传递效率等指标,研究外源NO缓解Cd对叶绿体毒性的影响.结果发现,Ca对叶绿素a、叶绿素b和类胡萝卜素含量都有不同程度的降低,NO处理缓解了Cd的影响,使叶绿体室温吸收光谱的吸收率提高;Ca导致686 nm处峰(PSII)偏移4 nnl,峰值降低33%,734 nm处峰值降低23%,外源NO缓解了Cd对光合系统的影响,使得叶绿体低温荧光光谱在686和734 nm的峰值分别仅下降17%和10%;以DCPIP为人工电子受体,Cd处理的叶绿体中DCPIP还原速率较慢,光合电子传递(H2O→DCPIP)速率降低1.5倍,外源NO处理显著缓解了Cd对电子传递链的抑制,使其光合电子传递速率恢复到对照的水平.该研究可为NO处理增强植物对Cd胁迫的抗性提供理论依据.     

超分辨重建技术及其研究进展

超高分辨成像技术一直是航天、遥感、目标识别等领域的研究热点。随着光学成像到光电数字成像的转变,如何提高CCD的几何分辨率,已成为研制高分辨光电成像系统亟待解决的问题。本文从理论和工程实现的角度介绍了超分辨成像的技术原理,分析了实现超分辨重建技术的几种方法,主要描述了微扫描和亚像元两种重建技术的实现方式,指出了目前超分辨技术存在的缺陷。最后,针对超分辨技术中无混淆重建带宽较窄的问题,提出了一种新的技术方案。该方案将光学编码技术与目前的亚像元技术相结合,可将重建带宽拓展3倍。研究结论指出：融合了光学,光电子学和信号处理的成像系统的综合设计,将是未来成像领域的一个重要研究方向。     

Improvement of breakdown characteristics of an A1GaN/GaN HEMT with a U-type gate foot for millimeter-wave power application

<正>In this study,the physics-based device simulation tool Silvaco ATLAS is used to characterize the electrical properties of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) with a U-type gate foot.The U-gate AlGaN/GaN HEMT mainly features a gradually changed sidewall angle,which effectively mitigates the electric field in the channel, thus obtaining enhanced off-state breakdown characteristics.At the same time,only a small additional gate capacitance and decreased gate resistance ensure excellent RF characteristics for the U-gate device.U-gate AlGaN/GaN HEMTs are feasible through adjusting the etching conditions of an inductively coupled plasma system,without introducing any extra process steps.The simulation results are confirmed by experimental measurements.These features indicate that U-gate AlGaN/GaN HEMTs might be promising candidates for use in miltimeter-wave power applications.     

蜡油和洗油的HPLC法测定

采用HPLC法测定蜡油和洗油的含量,通过以蜡油和洗油混合液质量比所得拟合曲线计算混合液中蜡油与洗油的质量比值,为生产中快速准确测定蜡油和洗油的混合溶剂比提供一种可行的方法。     

自发辐射诱导相干对开放的Ladder型系统无反转激光增益瞬态演化的影响

利用开放的Ladder型三能级原子系统密度矩阵运动方程的数值解,研究了在探测场和驱动场双共振条件下,自发辐射诱导相干（SGC） 对系统无反转激光（LWI）增益瞬态演化的影响以及注入速率比和退出速率对与SGC相关的增益的调制作用.研究结果表明：SGC强度的变化将使瞬态增益和最终的稳定增益发生显著的改变;存在非相干抽运时,LWI增益随注入速率比和退出速率的减小而增大,而不存在非相干抽运时的情况与此正好相反;通过选取适当的SGC强度、注入速率比和退出速率可得到最大的LWI增益的瞬态值和最终的稳定值. 关键词： 开放系统 自发辐射诱导相干 瞬态演化 无反转增益     

界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命。     

无序二维约瑟夫森结阵列中磁场引起的涡旋玻璃态相变

采用电阻阻错结的无序二维约瑟夫森结阵列模型,数值研究超导薄膜中垂直磁场引起的涡旋运动.通过分析磁场激发产生的涡旋度Ne及低频电压噪声S₀的变化特性,得到如下结论：在无序超导体中固定温度不变,随着磁场的减弱涡旋液态经过准有序的布拉格相,涡旋玻璃相重新进入到低磁场下的钉扎稀磁液相. 由于在涡旋玻璃相中,电流驱动下的噪声值表现出一个峰,表明系统处于无序与有序相互竞争的亚稳态,并且临界电流应有峰值效应. 计算得到噪声值的变化与Okuma等得到的无序超导Mo_xSi_1-x膜实验现象一致,并能解释磁场降低引起的重新进入钉扎的稀磁液相行为. 关键词： 约瑟夫森结阵列 磁通玻璃 重新进入 峰值效应     

复杂网络的一种加权路由策略研究

复杂网络的传输能力是其功能正常运转的重要保障,提高网络的吞吐量有着重要意义.提出一种新的高效路由策略,以提高复杂网络的传输能力,称之为加权路由策略.即对网络的每一条边加权,权值与该边的两端节点的度相关,然后数据包按照这个加权网络的最短路径路由.这样的路径可以更均匀地经过各个节点,发挥它们的传输能力,极大地提高网络的吞吐量.可以避免数据包集中地通过个别度大的节点,在这些节点发生拥塞.仿真显示,该策略比传统的最短路径策略优越,对很多结构的网络,可以提高几十倍的吞吐量. 关键词： 复杂网络 路由策略 吞吐量 拥塞