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211.
We experimentally demonstrate the simultaneous generation of tunable multi-wavelength picosecond laser pulses using a self-seeding configuration that consists of a gain-switched Fabry-Perot laser diode (FPLD) with an external cavity formed by a tilted multimode fiber Bragg grating.Dualand triple-wavelength pulses are obtained and tuned in a flexible manner by changing the temperature of the FPLD.The side mode suppression ratio larger than 25 dB is achieved at different dualand triple-wavelengths and the typical pulsewidth of the output pulses is ~70 ps.In the experiment,the wavelength separation can be narrowed to 0.57 nm.  相似文献   
212.
本文简要回顾了K+ 核散射实验和理论方面近几年的研究进展。我们通过把介质中的K+ 核子相互作用与介质中的夸克凝聚联系起来 ,计算了K+ 核相互作用的非传统机制的贡献。结果表明核密度相关的介质内夸克凝聚可以解释K+ 核散射中的非传统介质效应。  相似文献   
213.
采用酸溶液处理方法对垂直于衬底生长的碳纳米管阵列的纯化进行了研究. 利用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等手段对纯化前后的碳纳米管阵列的结构、形貌及化学组成进行表征. 实验结果表明, 通过控制条件, 酸溶液处理方法能够在有效地去除催化剂粒子等杂质的同时又保持阵列的相对完整性. 纯化后的碳纳米管阵列会促进其在电子学领域的进一步应用.  相似文献   
214.
建立了适合于水和废水中COD测定的新方法--无汞高银低压消解法,以高氯水样为例,对样品中COD含量进行了测定,并与氯气校正法进行了比较验证.结果表明,测定高氯水样中COD,无汞高银低压消解法优于氯气校正法,具有操作简单、测定快速、结果准确、减少二次污染、设备通用等特点.  相似文献   
215.
为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In0.15Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In0.15Ga0.74Al0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果。  相似文献   
216.
对百瓦级半导体激光器风冷散热系统进行分析,利用ANSYS 有限元分析软件对高功率半导体激光模块器件的温度场分布进行了模拟和优化设计。为百瓦级大功率半导体激光模块风冷系统工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了实验验证。  相似文献   
217.
六重氢键的异互补寡聚芳酰胺双股分子链在自组装过程中表现出极高的顺序专一性. 本文借助扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和动态光散射(DLS)等实验手段,研究了氢键编码顺序为DADDAD-DADDAD的寡聚芳酰胺分子1及异互补分子2(ADAADA-ADAADA)存在下的自组装行为. 实验结果表明,分子1在四氢呋喃/甲醇(体积比为85/15)和单一溶剂丙酮中都能组装成大小均匀的囊泡结构,并且囊泡的尺寸随着溶液浓度的增加而增大;当加入异互补分子2后,囊泡则转变成实心球. 利用荧光显微镜,发现该囊泡能很好地包裹荧光分子(罗丹明B),通过进一步分子结构修饰有可能实现药物包埋和缓释方面的应用.  相似文献   
218.
通过用纳秒激光直接激发Pt4+掺杂的TiO2透明溶胶体系,研究了440 nm处O-吸收光谱的衰减过程.O-是被捕获的正空穴的信号,是光催化反应过程中产生OH.自由基的决定影响因素.OH.浓度和衰减速度决定了光催化反应的效率.研究表明,O-的寿命可以长达几十微秒.利用纳秒激光闪光光解的研究结果阐明了Pt4+掺杂显著提高TiO2光催化活性的机制.  相似文献   
219.
在碱性条件下,利用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂,以含氨基有机硅烷与过渡金属离子Co(Ⅱ)形成的配合物Co(Ⅲ)-APTMOS为金属离子前驱体,合成了含金属元素钴的介孔Co-SiO2微球.运用XRD,TEM以及N2-吸附等技术对所制备的产物进行了表征.结果表明,产物为具有高比表面、孔道无序的介孔微球.同时阐述了金属离子以配合物Co-APTMOS形式加入反应体系的优越性.  相似文献   
220.
利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法在InGaAs/InGaAsP多量子阱材料上研制出直径为8μm、4.5μm和2μm的碟型半导体微腔激光器。其中2μm直径的微碟在液氮温度下其光泵浦激射阈值仅为3μW左右。对高光功率密度下泵浦时出现的多模激射、跳模和激射光谱强度饱和现象进行了研究。并对微碟激光器的激射光谱线宽特性进行了初步的分析。  相似文献   
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