基于DISLab温度传感器的导热系数测定

对采用热电偶测量导热系数的实验进行改进,利用DISLab温度传感器测金属盘达到平衡的温度和散热盘的温度,解决了传统的导热系数测定时误差较大的问题。实验表明,该实验操作简单,精度高,具有明显的优势。     

利用Matlab模拟点电荷系的电场线和等势面

根据电场叠加原理,利用Matlab的绘图功能,绘出二维平面内点电荷系的等势面和电场线。以三个点电荷为例,模拟了它们的电场线和等势面,并通过改变电荷的位置和电荷量的大小对电场的分布情况进行分析比较,在教学中能起到很好的演示作用。     

Rashba效应对量子线中极化子激发态性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚极化子激发态性质的影响,计算了束缚极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率。讨论了这些量对约束强度、自旋轨道耦合强度和库伦束缚势的依赖关系。数值计算结果表明:束缚极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率都随约束强度的增加而增大;但第一激发态能量随库仑束缚势和自旋与轨道之间耦合强度的增加而减少,而激发能量和振动频率随库仑束缚势的增加而增大。     

柱形量子线强耦合极化子的性质

运用变分法研究了柱形量子线中强耦合极化子的性质,计算了极化子的基态能量、第一激发态能量、结合能以及由第一激发态到基态的跃迁频率。计算表明,柱形量子线中强耦合极化子的基态能量,第一激发态能量均随着柱形量子线的半径及电子-声子耦合强度的增大而减小。同时结合能,跃迁频率随着柱形量子线的半径减小而增大,随电子-声子耦合强度的增大而增大。     

高效毛细管电泳测定鸡蛋中三聚氰胺

建立了高效毛细管电泳-二极管阵列检测器检测鸡蛋中三聚氰胺的方法.样品用三氯乙酸提取,固相萃取小柱净化处理后进行检测,以50 mmol/L甲酸-50 mmol/L甲酸铵(pH 2.5)为缓冲溶液,在总长度为58.5 cm,内径为75 μm的毛细管中,分离时间约6 min,测得的定量限为0.25 mg/kg.三聚氰胺浓度在0.25～5.0 mg/kg范围内进行添加回收实验,平均回收率为80.2%～90.7%,相对标准偏差(RSD)为1.7%～3.4%.本方法简单易行、高效快速、经济环保,可以满足检测需要.     

基于新材料Mg/Ni/Fe水滑石的葡萄糖传感器的研究

葡萄糖浓度的测定在生物,医学,环境检测和食品工业等方面有着极其重要的意义,因此近年来已有许多方法被用于制各葡萄糖生物传感器.电化学生物传感器对葡萄糖的测定占据着主导作用,因为它有着灵敏度高,重现性好,操作简单等优点.到目前为止,已有多种材料用于葡萄糖氧化酶的固定,如粘土、无机、有机聚合物、凝胶以及生物材料等.近年来,用阴离子粘土修饰电极特别是水滑石也开始了深入的研究.     

基于磁性纳米粒子的葡萄糖生物传感器

葡萄糖是生物体的重要代谢产物,其浓度的检测对糖尿病人极为重要.葡萄糖氧化酶因其价格低廉、稳定性好和实用性强而成为一种理想的酶.它含有素黄素腺嘌呤二核苷酸(FAD)氧化还原中心,能催化电子从葡萄糖转移至葡萄糖酸内酯,已经被广泛应用于监测糖尿病的葡萄糖水平.     

树状大分子PAMAM(1G)-FCD的合成及荧光性能

合成了外围由小分子2-芴醛修饰的树状大分子PAMAM(1G)-FCD, 用IR, 1H NMR, MALDI-TOF-MS等手段表征了其结构, 并对其荧光性能及Sn2+对该性能的影响进行了研究, 结果表明, Sn2+能使化合物荧光显著增强. 紫外光谱表明, 随着PAMAM(1G)-FCD溶液中Sn2+浓度的增加, 体系在360 nm处出现了新的吸收峰, 表明二者之间存在化学反应. 故该树状分子有望作为难得的蓝光区荧光材料及金属-树状大分子杂化材料.     

La(Ⅲ),Sm(Ⅲ)与低分子量壳聚糖配合物的合成及性质

以低分子量壳聚糖(CTS')与稀土金属离子镧La(Ⅲ)、钐Sm(Ⅲ)在pH值4～5的条件下制备低分子量壳聚糖稀土金属离子配合物(La(Ⅲ)-CTS',Sm(Ⅲ)-CTS').通过紫外光谱(UV)、红外光谱(IR)、1H核磁共振、热失重分析对配合物进行表征,得出稀土金属离子和CTS'之间以氨基和羟基进行配位,配合物的热稳定性低于CTS'.最低抑菌浓度(MIC)试验表明,CTS'及其配合物对革兰氏阳性球菌和革兰氏阴性杆菌的最低抑菌浓度分别为4和5 g·L-1.     

As(V)在TiO2表面的吸附机理

用延展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱和密度泛函理论(DFT)研究了As(V)-TiO2体系的吸附机理. 离子强度变化对As(V)-TiO2体系吸附无显著影响, 表明吸附后形成了内层络合物. EXAFS结果表明, As(V)原子主要通过—AsO4上的O原子结合到TiO2表面上, 平均As-O原子间距(R)在吸附前后无明显变化, 保持在(0.169±0.001) nm. As-Ti层的EXAFS分析结果与DFT计算的吸附构型的As-Ti原子间距对照表明, 体系存在两种主要亚稳平衡吸附(MEA)结构, 即对应于R1=(0.321±0.002) nm 的双角(DC)强吸附构型和R2=(0.360±0.002) nm的单角(SC)弱吸附构型. 而且随着吸附量由9.79 mg·g-1增加至28.0 mg·g-1, 吸附样品中双角构型配位数与单角构型配位数的比值(CN1/CN2)从3.3降低到1.6, 说明双角亚稳平衡吸附结构在低覆盖度时占优势, 而在高表面覆盖度时单角亚稳平衡吸附结构占优势, 即在表面覆盖度较大时, As(V)在TiO2表面上倾向于形成单角构型.