大气激光通信链路的性能仿真

大气衰减和大气湍流严重影响着大气激光通信的链路质量。建立了大气信道的激光通信链路模型，研究了衰减信道和湍流信道中光链路的传输影响，对最大通信速率、链路功率余量和误码率进行了分析和计算。结果表明，大气湍流严重影响系统误码率，当大气闪烁指数斫是0．07时，可达到的最小误码率为10^-9。分析结果可为系统设计提供参考依据。     

一种A da95分布计算的实现模型

在研究 Ａｄａ９５ 分布计算语义的基础上,提出了一个支持 Ａｄａ９５ 的分布计算的实现模型 并讨论了在该环境下实现 Ａｄａ９５ 分布计算所存在的问题和解决方法,以及如何实现非 Ａｄａ９５ 分布计算语义的 Ａｄａ 程序的分布并行计算的问题对于后者,着重讨论了远程会合的实现问题     

具有真细菌基因启动子活性的古生菌DNA片段

以大肠杆菌启动子探测质粒pKK232-8 为载体,用4 组限制性内切酶分别消化古生菌盐生盐杆菌R1(Halobacterium halobium )的染色体DNA,在体外进行重组,转化E.coliDH-5α感受态细胞,得到12 个转化子(T1～T12),其抗性水平分布在10～500 m g/L的区间内. 将这些转化子所含质粒分别命名为pSX1～pSX12,限制性酶切分析表明,这些质粒各插入了一段不同的外源DNA 片段,杂交分析表明,抗性最强的转化子T11 所含质粒pSX11 上插入了一段来源于盐生盐杆菌R1 染色体的DNA 片段. 该DNA 片段在大肠杆菌中具有启动子功能.     

磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。     

MAGNON EXCITATION OF QUASI-ONE-DIMENSIONAL ORGANIC FERROMAGNET

A new quasi-one-dimensional organic ferromagnet model is proposed. Magnon excitations for finite and infinite on-site repulsion of electrons on main carbon chain are investigated. It is found that the lowest branch of spectrum preserves the characteristics of the ferromagnetic magnon. It is also shown that with increasing of the on-site repulsion energy, the itinerant π-electrons become tightly localized.     

悬浮颗粒散射引起的荧光增强现象

在含有悬浮颗粒的荧光物质溶液中,观测到由微颗粒散射引起的荧光增强现象,这种增强效应可能是由Rayleigh散射和Mie结构共振散射引起的。 关键词：     

湍动雾化射流液雾粒径分布的数值模拟

对水在空气中湍动雾化射流的气液两相流场进行了数值模拟.其中,气体流场采用k-ε湍流模型进行模拟,给出了载气轴向速度的分布情况.对喷雾粒子的运动采用颗粒轨道法,建立粒子破碎和碰撞的数值模型,研究了液雾粒径在不同工况下沿轴向的变化趋势.数值模拟结果与实验结果在多种气液比下进行了比较,两者吻合较好.同时,分析了初始粒径和粒子总数及喷嘴尺寸对液雾粒径变化趋势的影响,讨论了有助于粒径均匀分布的条件.     

处理污泥焦颗粒内部孔结构在燃烧过程中变化

在管式炉反应器中进行了1种污泥定温燃烧试验,进行了5个不同燃烬率样品的液氮静态容量法等温物理吸附试验.发现不同燃烬率的污泥样品孔分布特性相似,其孔系统可能主要是由一端封闭的不透气的孔构成;随着燃烬率的增加,比表面积、平均孔径和孔体积等参数变化不同;样品颗粒内孔表面分形维数随燃烬率的增长呈先降低再升高的趋势.     

浅析波谱分析课程教学改革

根据在波谱分析课程教学中遇到的一些实际问题,本文探讨了便于波谱分析课程教学的几种方法,并收到了较好的教学效果.     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.