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991.
992.
本文提出了一腔双模矩形开口腔的近似理论,再用金属栅条来控制腔体内两个接近简并的模,使腔外物体只对其中一个模产生做扰(称该模为工作模),而对另一个模不产生微扰(称为参考模)。从理论上可以通过测量双模的谐振频率之差地f1-f2=△f及双模的有载Q值之差QL1-QL2=△Q这两个参数来确定腔外物体的两个参数,例如,此物体的含水量及其温度。利用这个原理做出的微波检测设备(例如测湿设备)就可以直接在较差的环境下工作。文中还近似地计算了矩形波导端面开一个对称的矩形窗口的归一化等效导纳,并测试了样本谐振腔作为传感器。结果表明,它可以用于工业生产,作为连续测试的可携带式仪表。 相似文献
993.
994.
使用离线γ测量技术在质心系25.0—40.5MeV的能区测量了12C+93Nb熔合反应产生的二中子和三中子蒸发道的激发函数。由于在相同的激发能下,蒸发道的相对截面比与复合核的角动量有很强的依赖关系,应用统计蒸发程序(CASCADE),从二中子和三中子蒸发道的截面中提取不同能量下的复合核平均角动量和熔合截面。同时从能很好地拟合熔合激发函数的简单耦合道模型(CCFUS)计算中提取复合核的平均角动量。两种方法得到的复合核平均角动量随入射能量的变化相自洽,表明耦合道模型
关键词: 相似文献
995.
本文主要研究连续CO2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO2激光照射半导体有如下特点:CO2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。
关键词: 相似文献
996.
二甲亚砜硝酸钇Y(NO3)3·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P21/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间
关键词: 相似文献
997.
998.
999.
自由空间孤立导体的电容的计算新近受到了重视,因为这个计算是多电极系统的电极间互电容计算的第一步。本文提出采用混合的外接及内接曲面的方法来求得待计算导体电容的上限及下限,这个方法用在特殊截面同轴线特性阻抗的问题上收到了较好的效果。 试取图1中所示的有限长正方柱的自由空间的电容问题。文献[2]中已出现用外接及内接旋转长椭球曲面给出的此电容值粗的下限及上限。显然,如以一同长度的内接圆柱体的电容作为这个正方形柱的电容的下限,即可得到一个较大的下限。计算指出,如 相似文献
1000.