全文获取类型
收费全文 | 44356篇 |
免费 | 2957篇 |
国内免费 | 2374篇 |
专业分类
化学 | 21229篇 |
晶体学 | 498篇 |
力学 | 2307篇 |
综合类 | 193篇 |
数学 | 11038篇 |
物理学 | 14422篇 |
出版年
2023年 | 316篇 |
2022年 | 392篇 |
2021年 | 517篇 |
2020年 | 707篇 |
2019年 | 645篇 |
2018年 | 1736篇 |
2017年 | 1972篇 |
2016年 | 1468篇 |
2015年 | 1398篇 |
2014年 | 1386篇 |
2013年 | 1865篇 |
2012年 | 4591篇 |
2011年 | 3843篇 |
2010年 | 2910篇 |
2009年 | 2618篇 |
2008年 | 1737篇 |
2007年 | 1625篇 |
2006年 | 1511篇 |
2005年 | 5198篇 |
2004年 | 4463篇 |
2003年 | 2757篇 |
2002年 | 966篇 |
2001年 | 641篇 |
2000年 | 427篇 |
1999年 | 475篇 |
1998年 | 317篇 |
1997年 | 260篇 |
1996年 | 219篇 |
1995年 | 187篇 |
1994年 | 148篇 |
1993年 | 132篇 |
1992年 | 252篇 |
1991年 | 247篇 |
1990年 | 197篇 |
1989年 | 158篇 |
1988年 | 159篇 |
1987年 | 83篇 |
1986年 | 83篇 |
1985年 | 66篇 |
1984年 | 44篇 |
1983年 | 45篇 |
1979年 | 47篇 |
1978年 | 48篇 |
1976年 | 86篇 |
1975年 | 42篇 |
1974年 | 47篇 |
1973年 | 56篇 |
1972年 | 45篇 |
1968年 | 41篇 |
1966年 | 38篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
In this paper we construct an example of a word metric on an infinite cyclic subgroup. This example shows that subexponential
distortion does not obstruct non-trivial growth of connected radii. This answers a question of Gromov [6]. The constructed
metric has other pathological properies. Specifically, its asymptotic cone depends on the choice of ultrafilter and scaling
sequence.
The work has been partially supported by the Swiss National Science Foundation. 相似文献
32.
We build a metric space which is homeomorphic to a Cantor set but cannot be realized as the attractor of an iterated function system. We give also an example of a Cantor set K in R3 such that every homeomorphism f of R3 which preserves K coincides with the identity on K. 相似文献
33.
采用基于第一原理的全势能线性缀加平面波加局域轨道((L)APW lo)方法对Nd(Fe,Si)11Cx化合物(x=0,2)的电子结构进行了计算,得到了化合物态密度和磁矩等信息.计算结果表明NdFe9Si2化合物中Si原子主要与4b和32i位Fe原子产生杂化,导致Fe原子磁矩减小.NdFe9Si2C2化合物C原子使32i位Fe原子磁矩进一步降低,同时减弱了Si原子的影响,使得4b位Fe原子磁矩增大. 相似文献
34.
35.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
36.
37.
Milan Medved? 《Journal of Mathematical Analysis and Applications》2002,267(2):643-650
A criterion for the nonexplosion of solutions to semilinear evolution equations on Banach spaces is proved. The result is obtained by applying a modification of the Bihari type inequality to the case of a weakly singular nonlinear integral inequality. 相似文献
38.
提出了一种基于微悬臂梁传感技术研究大分子折叠/构象转变的新方法.通过分子自组装的方法将热敏性的聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)分子链修饰到微悬臂梁的单侧表面,用光杠杆技术检测温度在20-40 ℃之间变化时由于微悬臂梁上的PNIPAM分子在水中的构象转变所引起的微悬臂梁变形.实验结果显示:在升温过程中,微悬臂梁的表面应力发生了变化并且导致微悬臂梁产生了弯曲变形,这个过程对应着微悬臂梁上的PNIPAM分子从无规线团构象到塌缩小球构象的构象转变.在降温过程中,微悬臂梁发生了反方向的弯曲变形,这对应着PNIPAM分子从塌缩小球构象向无规线团构象的构象转变.整个温度变化过程中构象转变是连续进行的,而在低临界溶解温度(约32 ℃)附近转变幅度较大,这与自由水溶液中PNIPAM分子的无规线团-塌缩小球构象转变相对应.实验结果还显示:由于PNIPAM分子在塌缩过程中氢键的形成和链段间可能的缠结效应,整个温度循环过程中微悬臂梁的变形是不可逆的且有明显的迟滞效应. 相似文献
39.
40.
We consider the one-dimensional steady-state semiconductor deviceequations modelling a pnpn device. There are two relevant scalingsof the equations corresponding to small and large applied voltages.In both scalings, the semiconductor equations can be consideredas singularly perturbed. It turns out that the small-voltagescaling breaks down for current values between two saturationcurrents. In that interval, the large-voltage scaling has tobe employed. For both scalings, we derive the first-order termsof an asymptotic expansion and show that the reduced problemhas a solution. An example verifies that the current-voltagecurves obtained have the expected qualitative structure. 相似文献