基于半导体激光的光腔衰荡光谱装置测定水汽含量

搭建了一套基于光腔衰荡光谱技术的光学湿度计. 通过测量水分子在1.35和1.56 μm波段不同强度的吸收线,可测定水汽的相对含量,测量范围从10^-2到低至10^-12水平. 通过与商用冷镜式露点仪的对比测量,对该装置的定量精度进行了检验. 该系统所具备的高灵敏度使得水汽探测极限可达8 pptv     

Pettis-Aumann积分的若干性质

自文[1]建立了R~n空间的集值映射积分以来,讨论集值映射的可测性、可测选择、集值条件概率、鞅及其Radon-Nikodym定理等方面的工作相继出现.文[6]又系统地研究了R~n空间中集值测度的凸性定理、选择性定理以及与Aumann积分的关系.文[7]则讨论了集值测度的生成定理.但讨论Pettis-Aumann积分的工作目前尚未见到.     

Study of heavy-light hadrons within a flux tube model

A classic mass loaded flux tube model and the diquark picture are employed to explore both mesons and baryons. The spectrum of Λ_c⁺ baryons and D_s mesons is systematically obtained. The spin-orbit interaction in D_s was simplified as an L·S coupling. The spin-orbit interaction in Λ_c was simplified as a J_l·J_c coupling. The predicted masses are consistent with the latest experiments.     

一种新光致变色二芳基乙烯化合物的合成、光致变色反应动力学、荧光和结构研究

The photochromic diarylethene, 1,2-bis[2-methyl-5-（3-trifluoromethylphenyl）-3-thienyl]perfluorocyclopentene （BMTTP）, was synthesized and its photochromic kinetics, fluorescence and X-ray structure were investigated. This compound underwent a photochromic reaction both in solution and the single crystalline phase. Its cyclization/cycloreversion process was determined to be zeroth/first order reaction, respectively, and this is the first report on the cyclization/cycloreversion reaction order. In addition, its fluorescence property was also discussed.     

甲醇水蒸汽重整制氢Cu/Zn/Ce/Al催化剂的XPS研究

利用XPS技术，研究了在甲醇水蒸汽重整制氢过程中，添加稀土元素Ce对Cu/Zn/Al催化剂表面结构的影响。发现，催化剂表面存在Cu^2 和Cu^ 物种；CeO2的加入促进表面Cu^ 物种的生成，提高了表面Cu^ 物种的浓度。Cu60/Zn30/Al5/Ce5催化剂表面具有较高的Cu^ 浓度，是催化剂长时间保持高活性的重要原因之一。     

磷钼蓝光度法测定锰铁中磷

氟化钠-氯化亚锡磷钼蓝光度法测定磷的应用较广泛,但显色稳定性差.利用此法测定锰铁中磷的研究很少见报道.本文在前人经验的基础上,采用磷钼蓝直接光度法,试样以硝酸溶解,高氯酸发烟,亚硫酸钠还原高价锰,酒石酸钾钠掩蔽硅,试验了在硫酸介质中,用氟化钠-氯化亚锡还原磷钼黄为磷钼蓝,实现了锰铁中磷的测定.显色稳定性较好,已适用于锰铁脱磷工艺中批量分析,结果满意.     

弱电场下THF水合物生成特性

四氢呋喃(THF)水合物可以在常压、4.4℃时生成,广泛被用于水合物基础研究.本研究中,在反应釜两端的电极板之间施加了不同大小的电压,分析了不同电场强度对THF水合物一次生成、二次生成及三次生成的影响。研究结果显示:电场的存在对THF水合物生长期具有促进作用,加快了水合物的生成。在THF水合物的第二次生成过程中,由于弱电场以及水合物分解水记忆效应的存在,导致了THF水合物在生长期的生成速度增加,并出现了更高的温度峰值。在没有THF氧化反应的情况下,发现水合物快速生长期持续时间缩短。在电场存在条件下,水合物的生成表面以整齐的锯齿形由四周向轴线方向生成。     

光腔衰荡光谱方法探测痕量一氧化碳气体

基于通讯波段的分布式反馈半导体激光器(DFB),搭建了一套光腔衰荡光谱仪(CRDS)。衰荡光腔由一对反射率高于99.997%的高反镜组成,衰荡腔长约为130 cm,空腔衰荡时间约为150 μs。当光谱平均次数达到1 000次时,光谱仪灵敏度(最小可探测吸收系数)达到5×10-12 cm-1。利用热隔绝的方式稳定衰荡腔长,并使用衰荡光腔自身作为光学标准具,来标定光谱的频率：利用反馈式光谱扫描程序步进改变激光器频率,使之与衰荡腔的纵模频率逐一匹配,从而实现所测得光谱的自动标定。通过测量一氧化碳分子在1.565 μm附近的吸收光谱,测定气体中一氧化碳的含量。将光谱测量结果和标准样品中的一氧化碳含量进行对比,对装置的定量精度进行了检验,表明其对一氧化碳的探测极限达4 ppbv。利用该装置对实际大气中一氧化碳的含量进行了实时监测。     

Control of epitaxial growth at a-Si:H/c-Si heterointerface by the working pressure in PECVD

The epitaxial-Si(epi-Si) growth on the crystalline Si(c-Si) wafer could be tailored by the working pressure in plasmaenhanced chemical vapor deposition(PECVD).It has been systematically confirmed that the epitaxial growth at the hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H)/c-Si interface is suppressed at high pressure(hp) and occurs at low pressure(1p).The hp a-Si:H,as a purely amorphous layer,is incorporated in the 1p-epi-Si/c-Si interface.We find that:(i) the epitaxial growth can also occur at a-Si:H coated c-Si wafer as long as this amorphous layer is thin enough;(ii) with the increase of the inserted hp layer thickness,lp epi-Si at the interface is suppressed,and the fraction of a-Si:H in the thin films increases and that of c-Si decreases,corresponding to the increasing minority carrier lifetime of the sample.Not only the epitaxial results,but also the quality of the thin films at hp also surpasses that at lp,leading to the longer minority carrier lifetime of the hp sample than the lp one although they have the same amorphous phase.