Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for an InP planar Gunn diode

Mesa etching technology is considerably important in the Gunn diode fabrication process. In this paper we fabricate InP Gunn diodes with two different kinds of chlorine-based etchants for the mesa etching for comparative study. We use two chlorine-based etchants, one is HCl-based solution (HCl/H 3 PO 4 ), and the other is Cl 2 -based gas mixture by utilizing inductively coupled plasma system (ICP). The results show that the wet etching (HCl-based) offers low cost and approximately vertical sidewall, whilst ICP system (Cl 2 -based) offers an excellent and uniform vertical sidewall, and the over-etching is tiny on the top and the bottom of mesa. And the fabricated mesas of Gunn diodes have average etching rates of ～ 0.6 μm/min and ～ 1.2 μm/min, respectively. The measured data show that the current of Gunn diode by wet etching is lower than that by ICP, and the former has a higher threshold voltage. It provides a low-cost and reliable method which is potentially applied to the fabrication of chip terahertz sources.     

1-羟基苯并三唑的合成工艺研究

研究了以邻硝基氯苯和水合肼为原料 ,在微正压下采用蒸馏分水工艺合成 1 羟基苯并三唑的工艺过程。讨论了溶剂、原料摩尔比、反应进间、反应温度等因素对反应的影响 ,最适宜操作条件为 :邻硝基氯苯与水合肼的摩尔比为 1∶4、溶剂正庚醇用量是邻硝基氯苯质量的 90 %、反应温度 1 1 8℃、反应时间 5h ,产品收率达 98.7%。     

铕三元配合物-聚氨酯丙烯酸酯发光材料的合成与荧光性能研究

以1,10-邻菲啰啉和2,7-二羟基萘-3,6-二磺酸钠为配体,合成了铕-2,7-二羟基萘-3,6-二磺酸-邻菲啰啉三元配合物{[Eu(HL)(phen)(H2O)](H2O)3}∞;利用配合物中未参与配位的-OH作为活性基团,以二月桂酸二丁基锡为催化剂,与具有活性基团-NCO的异佛尔酮-二异氰酸酯反应制备铕三元配合物-聚氨酯丙烯酸酯发光材料。通过X射线单晶衍射、红外、热分析和荧光光谱分析,测定了配合物及发光材料的组成、结构、热稳定性和发光性能。结果表明,在496 nm波长激发下,配合物及发光材料在610 nm处能发出较强的特征荧光,且随着配合物含量的增加,荧光性能增强,同时在测试范围内没有发生荧光淬灭现象,是一种极具潜在应用的新型发光材料。     

缺陷对Pt在Graphene上吸附影响的研究

本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼（B）掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明：Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.     

胞嘧啶、胸腺嘧啶在银胶体系中的傅里叶变换表面增强拉曼散射

胞嘧啶、胸腺嘧啶在银胶体系中的傅里叶变换表面增强拉曼散射胡凤霞，李勤，林书煌，张崇起（首都师范大学综合所，首都师范大学物理系，首都师范大学综合所，北京１０００３７）ＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍＳｕｒｆａｃｅ－ＥｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒ...     

用Nd：YAG1064nm激发的FT－SERS技术研究鸟嘌呤分子

用Ｎｄ：ＹＡＧ１０６４ｎｍ激发的ＦＴ－ＳＥＲＳ技术研究鸟嘌呤分子张崇起，胡凤霞，李勤（首都师范大学物理系，都师范大学综合所，都师范大学物理系北京１０００３７）ＮＩＲ－ＦＴ－ＳＥＲＳｏｆＧｕａｎｉｎｅｉｎＳｉｌｖｅｒＣｏｌｌｏｉｄｓ￥ＺｈａｎｇＣｈｏｎ...     

线性齐次偏微分方程组的既约化基

本文参照代数Grobner基的思想,提出线性齐次偏微分方程组的既约化基的概念, 并给出了线性齐次偏微分方程组的既约化基的唯一性定理.     

均匀磁场中旋转的轴对称导体上的电荷分布析

分析了均匀磁场中旋转的轴对称导体上的电荷分布，指出这里不存在普遍的面电荷密度公式。     

新题征展(17)

Ａ．题组新编 １，关于Ｘ的方程 （１）恰有一个根，则ａ值范围是； （２）恰有两个根，则ａ值范围是； （３）恰有三个根，则ａ值范围是； （４）恰有四个根，则ａ值范围是 ２．满足的复数ｚ在复平面上对应的点Ｚ的轨迹 （１）若是线段，则复数ｚ０在复平面上对应的点的轨迹是； （２）若是椭贺，则｜ｚ０｜； （３）若不表示任何图形，则复数ｚ０满足关系式 （第ｌ～２题由曹大方供题） ３．楼梯共１０级，某人上楼，每步可以上一级，也可以上两级． （１）要用 ８步走完这 １０级楼梯共有多少种不同走法？ （２）走完这 １０级楼梯共有多…     

Ge(111)反射束的高次中子成分

在重水反应堆旁利用中子飞行时间方法测量了5—22meV中子能区内Ge(111)Bragg反射束中的高次中子成分,并与理论计算进行了比较,两者符合甚好。结果表明,在20meV以下,Ge(111)反射束的级次污染较严重。 关键词：