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631.
S波震相初至时刻的精确识别是岩石动力学参数反演的关键环节。其拾取的精度和速度直接影响到岩石动力学参数反演的精度和效率。对S波的识别研究大多都集中在地震领域,现有方法难以有效的识别工程尺度下的爆破地震波S波的到时。本文中拟提出一种适用于工程尺度下S波的识别方法。该方法不对振动信号进行滤波处理,采用短时平均过零率、偏转角、偏振度和横向能量与总能量比值等4个识别参数对S波进行识别。结合丰宁抽水蓄能电站地质勘探洞爆破实验实测数据识别效果与数值模拟结果表明:该方法在工程尺度下的识别误差小于3%。该算法能较好地适用于工程尺度下S波初至时刻进行识别。  相似文献   
632.
将直觉梯形模糊数引入110kV智能变电站装配式建筑造价评价中,在识别出智能变电站装配式建筑造价影响因子的基础上利用ITFN对造价影响因子进行了定义和描述,并基于国网智能变电站装配式建筑典型设计方案构造了造价影响因子理想直觉梯形模糊向量,运用Hamming距离测度提出了多因子群决策模式下的专家权重决策向量的求解方法,引入得分函数和精确度函数建立了智能变电站装配式建筑造价评价模型,为科学合理的开展装配式建筑造价评价提供了一条有效途径。最后应用实例分析验证了模型的有效性和可行性。  相似文献   
633.
以6-311G(3df,3pd)为基组,采用B3PW91方法优化得到GaN基态分子的几何结构,并探究了电场对GaN分子基态能量、电荷布居数、键长、偶极矩、振动频率、红外光谱强度、HOMO、LUMO能级影响.研究表明:无电场时,谐振频率值为576.2218 cm~(-1),与实验值484.9 cm~(-1)很接近.有电场时,键长、偶极矩、能隙Eg、电荷布居数、红外谱强度、HOMO和LUMO能级随电场的增大而减小;谐振频率和分子总能量随电场的增加而增加.谐振频率和红外谱强度对电场有着明显的依赖关系,这对材料的光学特性研究有提供理论参考.  相似文献   
634.
近年来,在有机半导体中,聚苯胺低聚物已成为最为广泛的关注热点之一[1].这不仅是因为它们与母体聚苯胺相比,有着良好的溶解性和确定的化学结构以及较低的杂质含量[2].而且,通过改变共轭链长度或进行不同程度的化学修饰,如改变分子链上末端基团等,来调节它们的电子特性[3,4],使其能带值能够调制到所要求的范围内,以满足电子器件的诸多要求[’j.苯胺低聚物的这些优点及其3种相对稳定的氧化态形式使其作为高密度信息存储材料有巨大的潜力.将其以纳米粒子形式进行二维有序组装,使每一个粒子成为一个信息纪录点是我们目前所面临的…  相似文献   
635.
阐述了一种新的生物传感器的固定化方法。利用β-环糊精聚合物与亚甲基蓝间的超分子作用及β-CDP与戊二醛间的缩聚作用,将介体和酶代同固定在电极上,制成的过氧化氢传感器有良好的稳定性和充分的电子流动性,对1.0μmol/L ̄1.1mmol/LH2O2呈线性响应,检出限为0.5μmol/L。  相似文献   
636.
离子色谱法测定蔬菜硝酸盐含量   总被引:9,自引:0,他引:9  
建立了化学抑制电导检测离子色谱法定性定量分析蔬菜硝酸盐含量的方法。阴离子分离柱DionexAS14柱(4mm×250mm),保护柱IonPacAG14(4mm×50mm)。流动相为1.7mmol.L-1NaHCO3,1.8mmol.L-1Na2CO3。流速1.2mL.min-1,自动连续再生抑制装置SRS-ULTRA4mm。线性范围为0.1~100.0mg.L-1,线性关系为0.9997,检出限为0.05mg.L-1。应用此法,测定了多种蔬菜硝酸盐含量。方法操作简单、快速、基体干扰少、灵敏、准确。  相似文献   
637.
本文主要研究二维旋转谐振子势中单粒子的动力学行为,通过跳频的方式分析该粒子的压缩演化过程,并分析了相应的物理机制.一方面,研究跳频过程对回旋半径模式的压缩演化,通过选择适当的跳频时刻,分析跳频过程对压缩的影响.研究表明,回旋半径坐标的压缩程度并未在跳频时刻发生改变,但可在后续的演化中出现更强的压缩现象.另一方面,主要研究跳频过程中心导向模式的压缩演化.通过参数的选择,分析了两种压缩模式,即发散模式和振荡模式的压缩及演化.有趣的是,在中心导向模式压缩中,外势存在一个由旋转角速度决定的临界势阱纵横比.压缩模式在此处发生突变,且在振荡模式中,势阱纵横比趋于该临界值时,将出现明显的压缩.  相似文献   
638.
用周期瞬子方法研究了反铁磁粒子中激发态量子隧道效应.给出了各种低激发态下的隧穿幅、能级分裂以及前置因子.用统计平均得到给定温度下的隧穿率.理论计算的隧穿率随温度的变化关系与实验结果相符. 关键词:  相似文献   
639.
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。  相似文献   
640.
明确结构爆破振动响应对频率与持续时间的依赖性有助于进行爆破参数设计和爆破振动安全评价。本文从频域上推导单段爆破振动、多段爆破振动、单自由度系统振动响应三者之间的关系,以延迟时间和爆破段数作为纽带分析爆破振动频率和持续时间对结构爆破振动响应的影响,最后以一组实测试验数据进行验证。结果表明,在延迟时间△τ下,多段爆破振动出现间隔1/△τ的频带现象,频率成分向优势频率f_i=n/△τ集中(n∈Z^+),且随段数增加,优势频率幅值增大。爆破振动中接近结构自振频率f_n的优势频率成分使结构产生较大振动响应,为此延迟时间的选择应保证在n/△τ优势频率处不会引起结构的共振。多段爆破振动在其多个优势频率n/△τ附近的结构振动响应放大系数均比单段大,其余处与单段相差不大,特别的,当优势频率f_i、单段爆破振动主频f_m和结构物自振频率f_n三者相近时,结构可能产生最大的响应。爆破段数的增加,使爆破振动持续时间增加,但仅在一定范围内使结构爆破振动响应增加,增加到一定值后,结构响应与持续时间关系不大。  相似文献   
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