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Material structures and device structures of a 100-GHz InP based transferred-electron device are designed in this paper. In order to successfully fabricate the Gunn devices operating at 100 GHz, the InP substrate was entirely removed by mechanical thinning and wet etching. The Gunn device was connected to a tripler link and a high RF(radio frequency)output with power of 2 mW working at 300 GHz was obtained, which is high enough for applications in current military electronic systems. 相似文献
23.
研究了p型(100)InAs在不同中心波长飞秒激发光(750—850nm)作用下的太赫兹(THz)波辐射特性.这种太赫兹辐射的光谱性质与光学Dember效应密切相关,飞秒脉冲激发下产生的载流子在InAs表面的Dember场内做加速运动,从而辐射出THz电磁波.实验结果表明:不同中心波长的激发光作用下,InAs表面产生的Dember电场、光生载流子浓度、谷间散射效应以及处于不同状态的载流子数目都发生了变化,因而激发出太赫兹波的功率、振幅、频谱分布和有效谱宽是不同的.这项研究将有利于THz时域光谱技术以及实验 相似文献
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本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS2电子结构的影响。发现:剪切形变下,MoS2+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS2+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS2+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS2模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构。 相似文献
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Electronic and optical properties of 3N-doped graphdiyne/MoS2 heterostructures tuned by biaxial strain and external electric field 下载免费PDF全文
The construction of van der Waals (vdW) heterostructures by stacking different two-dimensional layered materials have been recognised as an effective strategy to obtain the desired properties. The 3N-doped graphdiyne (N-GY) has been successfully synthesized in the laboratory. It could be assembled into a supercapacitor and can be used for tensile energy storage. However, the flat band and wide forbidden bands could hinder its application of N-GY layer in optoelectronic and nanoelectronic devices. In order to extend the application of N-GY layer in electronic devices, MoS2 was selected to construct an N-GY/MoS2 heterostructure due to its good electronic and optical properties. The N-GY/MoS2 heterostructure has an optical absorption range from the visible to ultraviolet with a absorption coefficient of 105 cm-1. The N-GY/MoS2 heterostructure exhibits a type-Ⅱ band alignment allows the electron-hole to be located on N-GY and MoS2 respectively, which can further reduce the electron-hole complexation to increase exciton lifetime. The power conversion efficiency of N-GY/MoS2 heterostructure is up to 17.77%, indicating it is a promising candidate material for solar cells. In addition, the external electric field and biaxial strain could effectively tune the electronic structure. Our results provide a theoretical support for the design and application of N-GY/MoS2 vdW heterostructures in semiconductor sensors and photovoltaic devices. 相似文献
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29.
30.
随着x的增加,多晶La0.6-xGdxSr1.4MnO4(x=0, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6)的零场冷却 曲线从类自旋玻璃型转变成顺磁型,并且每条零场冷却 曲线都有一在20K的拐点。这一行为可以从Gd和Mn各自对材料总磁性的不同贡献来理解。另外,在所有的样品中,从100K到室温,都观察到了热激活导电行为。由于Mn-Mn间强的反铁磁耦和,直到外场达到50 kOe,都没有观察到明显的磁电阻效应。 相似文献