考虑二次梯度项影响的非线性不稳定渗流问题的精确解

考虑了二次梯度项影响的非线性径向流动问题的无限大地层和有界地层渗流模型．在井底定流量和定压生产时,对无限大地层及有界地层(包括封闭和定压地层)六种情况,利用广义Weber变换和广义Hankel变换求得了实空间的解析解,分析了非线性压力解与线性压力解的差异,发现在晚时段其差异可达8%以上．因此在试井长时要考虑二次梯度项的影响．     

ZnO薄膜的XPS价带谱研究

用MOCVD方法在Al₂O₃衬底c面生长ZnO薄膜,用XPS对薄膜进行了测量.结果显示,与O_1s和Zn_2p态相比,Zn_3d态有更大的化学位移,可用于更有效地分析ZnO薄膜变化;随着Zn_3d+Zn_4s态和Zn_3d态电子与O_2p态电子耦合的增强,Zn_3d态电子的结合能变大;二乙基锌(DEZn)源温是影响ZnO成键的重要因素.     

气相色谱法同时测定涂料中的苯系物和游离二异氰酸酯类单体

国内外对涂料的检测报道较多。但大部分是用填充柱,分离效果差,分析速度慢,而且耐苯系物和甲苯二异氰酸酯是分别测定的。本文建立了一种同时测定涂料中多种有毒有害成分的毛细管气相色谱法(GC),能够满足对进出口涂料的批量、快速、准确检验的要求。     

M-Z型极化DANS聚合物电光波导强度调制器研究

研究了Mach-Zehnder型极化聚合物电光波导强度调制器的制备工艺.器件采用DANS (4-dimethylamino-4′nitro-stlibene)聚合物为电光波导材料,由电光波导层、上下介质缓冲层、上下金属电极层构成五层波导结构.对五层光波导各层之间的光学、化学以及微加工工艺的相互兼容性进行了深入研究.采用紫外光漂白方法制备出侧壁光滑的条波导,采用钨丝电晕极化方法对DANS聚合物波导进行有效极化,使其具有电光特性.通过优化器件制备工艺,研制出工作波长为1300 nm的M-Z型电光波导强度调制器原型器件.实验测得器件半波电压约为10 V,调制带宽约为1 GHz.     

降冰片烯端基聚苯乙烯大分子单体的合成

近年来,大分子单体的合成及其共(自)聚合正日渐成为高分子合成中非常活跃的领域。本试验室曾合成了具有烯丙基端基的聚苯乙烯大分子单体(PS-allyl),并将其与乙烯、丙烯共聚合得到了乙丙共聚物(EPR)为主干、聚苯乙烯(PS)为支链的接校共聚物EPR-g-PS。本工作以5-溴甲基-2-降冰片烯(BrMNB)与聚苯乙烯阴离子(PS^-)偶合,制备具有降冰片烯端基的聚苯乙烯大分子单体(PS-NB)。     

聚硅芳撑硅氧烷的研究(Ⅱ)——聚四甲基对硅苯撑硅氧烷的合成

本文以具有硅苯撑结构的环状有机硅氧烷--十二甲基环三对硅笨撑硅氧烷为单体,用开环聚合方法合成了聚四甲基对硅苯撑硅氧烷.选用硅醇钾催化,环单体有较高的开环聚合活性.通过IR、¹H NMR和¹³C NMR等证明了聚合物的化学结构.聚合物在空气中的热失重温度较聚二甲基硅氧烷约高110℃,因此热稳定性更好.     

多核Nd－Al双金属配合物对共轭双烯烃的聚合Ⅲ．溶剂等因素的影响

报道了多核Nd-Al双金属配合物活性体对共轭双烯烃的溶液聚合.结果表明,适宜的振荡时间有利于提高活性体的催比活性;通过外加AlEt₃,验证了聚合体系的纯度和活性体的稳定性,溶剂类型对活性体催比活性和聚合物分子量影响较大,活性次序为甲苯≥环己烷>正己烷;对产物[η]的影响则相反:甲苯《环己烷<正己烷.不同单体的定向聚合性能有差别,聚丁二烯的顺1,4含量较低,且易受反应条件的影响.     

亚硝酸根在钴（Ⅱ）－邻菲口罗啉络合物存在下的电催化还原

研究钴（Ⅱ）－邻菲口罗啉络合物Ｃｏ（Ｐｈｅｎ）２＋２在玻碳电极上的伏安行为和对亚硝酸根电化学还原的催化作用以及影响催化作用的因素     

用激基缔合物荧光研究聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物在溶液中的分子构型

聚苯乙烯在溶液中的激基缔合物荧光被发现以来一直引起人们的兴趣^{[ 1, 2]}. 聚苯乙烯激基缔合作用主要与处于基态的苯环层叠对的形成有密切关系. 其形成方式主要有(1)符合n= 3规则的相邻苯环间的相互作用.(2)主链上非相邻苯环间由于链段的卷曲而相互作用.(3)分属于不同主链上的苯环相互贯穿时的相互作用. 由于激基缔合作用是近程作用, 因此利用它研究聚合物线团在稀溶液的变化及由稀溶液到浓溶液的变化是十分有效的^{[ 3]}. 嵌段聚合物在形成胶束时, 一种聚合物分子链段形成核, 在核内大分子链段相互缠结, 相互贯穿. 而另一种聚合物分子链段形成壳, 其链段较为舒展. 因此利用激基缔合物荧光技术研究分子链段在核内的变化也应是十分有效的. 本文研究聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物体系。     

托卡马克芯区Zeff测量和分析方法的研究

基于等离子体锯齿弛豫振荡的测量和研究,结合芯区电子功率平衡的分析,获得一种可靠的确定芯区平均有效离子电荷数Zeff的测量方法。该方法不受杂质的限制,测量条件十分容易满足。